【INCHANGE半导体ISC产品speci fi cationISC硅PNP Darlingtion】,IC型号PMD13K100,PMD13K100 PDF资料,PMD13K100经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP Darlingtion功率晶体管

PMD13K100

描述

高

直流电流增益

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

V

（ BR ） CEO

= -100V （最小值）

.Complement

键入PMD12K100

应用

·设计

为通用放大器和直流电动机的控制

应用程序。

绝对最大额定值（T

C

=25℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 连续

集电极电流峰值

基极电流

w

.CN

i

em

cs

。是

w

价值

-100

单位

V

-100

-5.0

-8

V

A

-16

A

-0.12

100

150

-65~200

A

W

℃

P

C

T

j

T

英镑

集电极耗散功率@ T

C

=50℃

结温

储存温度

热特性

符号

R

第j个-C

参数

ThermalResistance ，结到外壳

最大

1.5

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP Darlingtion功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

PMD13K100

民

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= -100mA ;我

B

= 0

-100

V

CER （ SUS）

集电极 - 发射极电压维持

I

C

= -100mA ;

BE

= 2.2kΩ

-100

V

CE

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -4A ;我

B

= -16mA

B

-2.0

V

BE

（SAT）

基射极饱和电压

I

C

= -4A ;我

B

= -16mA

B

-2.8

V

BE

（上）

基射极电压上

I

C

= -4A ; V

CE

= -3V

-2.8

V

I

CER

收藏家Cuto FF电流

I

EBO

发射极截止电流

h

FE

直流电流增益

C

OB

输出电容

w

.CN

i

em

cs

。是

w

V

CE

= -67V ;

BE

= 2.2KΩ

V

EB

= -5V ;我

C

= 0

I

C

= -4A ; V

CE

= -3V

I

E

= 0; V

CB

= -10V ; F

TEST

= 1.0MHz的

-5.0

mA

-3.0

mA

800

20000

200

pF

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2

功率晶体管

TO- 3案（续）

型号

IC

PNP

(A)

最大

10

30

8.0

10

16

10

40

PD

(W)

100

200

90

150

175

250

200

150

100

180

200

225

100

BVCBO BVCEO

(V)

民

500

100

60

80

60

80

60

80

100

600

--

60

90

120

40

60

80

100

40

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

(V)

民

200

90

60

80

60

80

60

80

100

400

60

90

120

40

60

80

100

40

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

60

80

100

* TYP

民

15

25

1,000

100

50

1,000

800

750

800

1,000

的hFE

最大

--

100

--

2,000

600

--

20,000

--

@ IC VCE （ SAT ） @ IC

(A)

2.5

7.5

3.0

5.0

10

6.0

10

20

6.0

4.0

10

15

7.5

(V)

最大

3.3

0.8

4.0

2.5

5.0

4.0

2.0

2.5

(A)

8.0

7.5

8.0

10

16

10

40

30

12

6.0

4.0

10

15

7.5

NPN

BUY69C

MJ802

MJ1000

MJ1001

MJ3000

MJ3001

MJ4033

MJ4034

MJ4035

MJ10012

MJ10023

MJ11012

MJ11014

MJ11016

PMD10K40

PMD10K60

PMD10K80

PMD10K100

PMD12K40

PMD12K60

PMD12K80

PMD12K100

PMD1601K

PMD1602K

PMD1603K

PMD16K60

PMD16K80

PMD16K100

PMD18K60

PMD18K80

PMD18K100

SE9303

SE9304

SE9305

fT

* TYP

（兆赫）

民

10*

2.0

6.0

--

-

4.0

1.0

-

MJ4502

MJ 900

MJ 901

MJ2500

MJ2501

MJ4030

MJ4031

MJ4032

MJ11011

MJ11013

MJ11015

PMD11K40

PMD11K60

PMD11K80

PMD11K100

PMD13K40

PMD13K60

PMD13K80

PMD13K100

PMD1701K

PMD1702K

PMD1703K

PMD17K60

PMD17K80

PMD17K100

PMD19K60

PMD19K80

PMD19K100

SE9403

SE9404

SE9405

30

12

8.0

20

30

10

阴影部分表示达林顿。

使用60密耳的线索。

见机械规格209页

85

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP Darlingtion功率晶体管

PMD13K100

描述

高

直流电流增益

-collector极 - 发射极

击穿电压 -

V

（ BR ） CEO

= -100V （最小值）

.Complement

键入PMD12K100

应用

·设计

为通用放大器和直流电动机的控制

应用程序。

绝对最大额定值（T

C

=25℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 连续

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率@ T

C

=50℃

结温

储存温度

价值

-100

-5.0

-8

-16

-0.12

100

150

-65~200

单位

V

A

W

℃

P

C

T

j

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

参数

ThermalResistance ，结到外壳

最大

1.5

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅PNP Darlingtion功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

PMD13K100

民

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= -100mA ;我

B

= 0

-100

V

CER （ SUS）

集电极 - 发射极电压维持

I

C

= -100mA ;

BE

= 2.2kΩ

-100

V

CE

（SAT）

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= -4A ;我

B

= -16mA

B

-2.0

V

BE

（SAT）

基射极饱和电压

I

C

= -4A ;我

B

= -16mA

B

-2.8

V

BE

（上）

基射极电压上

I

C

= -4A ; V

CE

= -3V

-2.8

V

I

CER

收藏家Cuto FF电流

V

CE

= -67V ;

BE

= 2.2KΩ

-5.0

mA

I

EBO

发射极截止电流

V

EB

= -5V ;我

C

= 0

-3.0

mA

h

FE

直流电流增益

I

C

= -4A ; V

CE

= -3V

800

20000

C

OB

输出电容

I

E

= 0; V

CB

= -10V ; F

TEST

= 1.0MHz的

200

pF

ISC的网站： www.iscsemi.cn

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