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中央
145亚当斯大街，
Hauppauge的，纽约州11788美国
联系电话： （ 631 ） 435-1110
传真： （ 631 ） 435-1824
www.centralsemi.com
TM
半导体公司
功率晶体管
TO- 3案（续）
型号
IC
PNP
(A)
最大
10
30
8.0
8.0
10
10
16
16
16
10
40
PD
(W)
100
200
90
90
150
150
150
150
150
175
250
200
200
200
150
150
150
150
100
100
100
100
180
180
180
200
200
200
225
225
225
100
100
100
BVCBO BVCEO
(V)
民
500
100
60
80
60
80
60
80
100
600
--
60
90
120
40
60
80
100
40
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
(V)
民
200
90
60
80
60
80
60
80
100
400
400
60
90
120
40
60
80
100
40
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
60
80
100
* TYP
民
15
25
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
100
50
1,000
1,000
1,000
800
800
800
800
800
800
800
800
750
750
750
800
800
800
800
800
800
1,000
1,000
1,000
的hFE
最大
--
100
--
--
--
--
--
--
--
2,000
600
--
--
--
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
20,000
--
--
--
@ IC VCE （ SAT ） @ IC
(A)
2.5
7.5
3.0
3.0
5.0
5.0
10
10
10
6.0
10
20
20
20
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
10
10
10
10
15
15
15
7.5
7.5
7.5
(V)
最大
3.3
0.8
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
2.5
5.0
4.0
4.0
4.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.5
2.5
2.5
(A)
8.0
7.5
8.0
8.0
10
10
16
16
16
10
40
30
30
30
12
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
4.0
4.0
10
10
10
10
10
10
15
15
15
7.5
7.5
7.5
NPN
BUY69C
MJ802
MJ1000
MJ1001
MJ3000
MJ3001
MJ4033
MJ4034
MJ4035
MJ10012
MJ10023
MJ11012
MJ11014
MJ11016
PMD10K40
PMD10K60
PMD10K80
PMD10K100
PMD12K40
PMD12K60
PMD12K80
PMD12K100
PMD1601K
PMD1602K
PMD1603K
PMD16K60
PMD16K80
PMD16K100
PMD18K60
PMD18K80
PMD18K100
SE9303
SE9304
SE9305
fT
* TYP
（兆赫）
民
10*
2.0
6.0
6.0
--
--
--
--
--
--
-
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
4.0
1.0
1.0
1.0
-
MJ4502
MJ 900
MJ 901
MJ2500
MJ2501
MJ4030
MJ4031
MJ4032
MJ11011
MJ11013
MJ11015
PMD11K40
PMD11K60
PMD11K80
PMD11K100
PMD13K40
PMD13K60
PMD13K80
PMD13K100
PMD1701K
PMD1702K
PMD1703K
PMD17K60
PMD17K80
PMD17K100
PMD19K60
PMD19K80
PMD19K100
SE9403
SE9404
SE9405
30
30
30
12
12
12
12
8.0
8.0
8.0
8.0
20
20
20
20
20
20
30
30
30
10
10
10
阴影部分表示达林顿。
使用60密耳的线索。
见机械规格209页
85
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
中央
145亚当斯大街，
Hauppauge的，纽约州11788美国
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传真： （ 631 ） 435-1824
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TM
半导体公司
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP Darlingtion功率晶体管
PMD11K60
描述
高
直流电流增益
-collector极 - 发射极
维持电压 -
V
CEO （ SUS ）
= -60V （最小值）
.Complement
键入PMD10K60
应用
·设计
为通用放大器和低频
切换应用程序
绝对最大额定值（T
C
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极电流峰值
基极电流
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
-60
单位
V
-60
V
-5.0
-12
V
A
-20
A
-0.2
150
150
-65~200
A
W
℃
℃
P
C
T
j
T
英镑
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
热特性
符号
R
第j个-C
参数
ThermalResistance ，结到外壳
最大
1.17
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP Darlingtion功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
PMD11K60
民
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= -100mA ;我
B
= 0
-60
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -6A ;我
B
= -24mA
B
-2.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= -6A ;我
B
= -24mA
B
-2.8
V
V
BE
（上）
基射极电压上
I
C
= -6A ; V
CE
= -3V
V
CE
= -60V ;
BE
= 1KΩ
V
CE
= -60V ;
BE
= 1kΩ的，T
C
=150℃
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-2.8
-1.0
-5.0
-2.0
V
I
CER
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
h
FE
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
C
OB
输出电容
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
I
C
= -6A ; V
CE
= -3V
I
C
= -5A ; V
CE
= -3V中，f = 1kHz时
I
E
= 0; V
CB
= -10V ; F
TEST
= 1.0MHz的
mA
800
20000
4
兆赫
300
pF
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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PIN10D
PB114012
PSD8332V20MIT
P4C198-25PI
PIC16C558A-04/P
PT2283-16
PA7040P-3
PJ-A298C-120.0
PCN21A-SB-G
PCL-401A1SPL000
PC5201A-12ST
PI74HSTL1212A
PSD312V-A-20JM
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PMD11K60
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