DF
N2
020
-6
PMC85XP
2013年5月15日
30伏P沟道MOSFET与预偏置NPN晶体管
产品数据表
1.概述
P沟道增强型场效应晶体管（ FET ）的沟道MOSFET
技术和NPN电阻配备齐全的晶体管（ RET）一起在无铅媒体
电源DFN2020-6 （ SOT1118 ）表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
2.特点和好处科幻TS
沟槽MOSFET技术
NPN晶体管内置偏置电阻
小型无引脚超薄SMD塑料包装： 2 ×2× 0.65毫米
裸露排水垫优良的热传导
3.应用
用于便携式设备的充电开关
高端负载开关
USB端口过压保护
电源管理电池驱动的便携设备
硬盘和计算电源管理
4.快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
R
DSON
NPN RET
V
首席执行官
I
O
集电极 - 发射极
电压
输出电流
T
AMB
= 25°C ;开基
-
-
-
-
50
100
V
mA
快速参考数据
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
V
GS
= -4.5 V ;我
D
= -2.6 A;牛逼
j
= 25 °C
[1]
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-12
-
典型值
-
-
-
最大
-30
12
-3.4
单位
V
V
A
P沟道MOSFET的沟道
P沟道MOSFET的沟道;静态特性
漏极 - 源极导通状态
阻力
-
85
110
mΩ
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恩智浦半导体
PMC85XP
30伏P沟道MOSFET与预偏置NPN晶体管
符号
NPN RET
R1
R2
参数
偏置电阻1
偏置电阻2
[1]
条件
民
3.3
-
典型值
4.7
47
最大
6.1
-
单位
kΩ
kΩ
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和安装垫
排水6厘米
2
5.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
7
8
管脚信息
符号说明
E
B
D
S
G
C
C
D
辐射源
BASE
漏
来源
门
集热器
集热器
漏
1
2
3
E
B
D
017aaa396
简化的轮廓
6
5
4
图形符号
C
G
S
7
8
R2
R1
透明的顶视图
DFN2020-6 （ SOT1118 ）
6.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMC85XP
DFN2020-6
描述
塑料的热增强型超薄小外形封装;没有
导致; 6终端;体2×2× 0.65毫米
VERSION
SOT1118
类型编号
7，打标
表4 。
PMC85XP
标记代码
标识代码
1K
类型编号
PMC85XP
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恩智浦半导体
PMC85XP
30伏P沟道MOSFET与预偏置NPN晶体管
8.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25°C ;吨≤ 5秒
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 25 °C
V
GS
= -4.5 V ;牛逼
AMB
= 100 °C
I
DM
P
合计
峰值漏极电流
总功耗
T
AMB
= 25°C ;单脉冲;吨
p
≤ 10 s
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
P沟道MOSFET的沟道;源极 - 漏极二极管
I
S
NPN RET
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
I
O
I
CM
P
合计
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
T
AMB
= 25 °C
T
sp
= 25 °C
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
结温
环境温度
储存温度
[1]
[2]
[2]
[1]
[2]
[2]
[1]
[2]
[1]
[1]
[1]
条件
T
j
= 25 °C
民
-
-12
-
-
-
-
-
-
-
最大
-30
12
-3.4
-2.6
-1.6
-8
485
1170
8300
单位
V
V
A
A
A
A
mW
mW
mW
P沟道MOSFET的沟道
源出电流
T
AMB
= 25 °C
T
AMB
= 25°C ;发射极开路
T
AMB
= 25°C ;开基
T
AMB
= 25°C ;集电极开路
积极
负
[1]
-
-1.2
A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50
50
10
30
-5
100
100
465
985
4160
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
mW
-55
-55
-65
150
150
150
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和安装垫
排水6厘米
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜;镀锡和标准的足迹。
2
PMC85XP
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30伏P沟道MOSFET与预偏置NPN晶体管
120
P
DER
(%)
80
017aaa123
120
I
DER
(%)
80
017aaa124
40
40
0
- 75
- 25
25
75
125
T
j
(°C)
175
0
- 75
- 25
25
75
125
T
j
(°C)
175
图。 1 。
归一化的总功耗为
结温度的函数
图。 2 。
标准化的连续漏极电流为
结温度的函数
-10
I
D
(A)
-1
aaa-003661
性限R
DSON
= V
DS
/I
D
t
p
= 100 s
t
p
= 1毫秒
t
p
= 10毫秒
-10
-1
DC ;牛逼
sp
= 25 °C
DC ;牛逼
AMB
= 25 °C;
漏装垫片6厘米
2
t
p
= 100毫秒
-10
-2
-10
-1
-1
-10
V
DS
(V)
-10
2
I
DM
- 单脉冲
图。 3 。
安全工作区;结到环境;连续和峰值漏极电流为漏极的函数
源极电压
9.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻
从结点到
环境
条件
在自由空气
吨≤ 5秒;在自由空气
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民
[1]
[2]
[2]
典型值
223
93
55
最大
256
107
63
单位
K / W
K / W
K / W
4 / 15
P沟道MOSFET的沟道
-
-
-
PMC85XP
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30伏P沟道MOSFET与预偏置NPN晶体管
符号
R
日（J -SP ）
参数
热阻
从结点到焊点
点
热阻
从结点到
环境
热阻
从结点到焊点
点
[1]
[2]
条件
民
-
典型值
10
最大
15
单位
K / W
NPN RET
R
号（j -a）的
在自由空气
[1]
[2]
-
-
-
233
110
25
270
127
30
K / W
K / W
K / W
R
日（J -SP ）
设备安装在一FR4印刷电路板（ PCB ） ，单面铜;镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和安装垫
排水6厘米
2
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
占空比= 1
0.75
0.33
0.2
0.05
0.02
0.01
1
0
0.5
0.25
0.1
10
017aaa398
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图。 4 。
P沟道MOSFET的沟道：结点的瞬态热阻抗至环境作为脉冲的功能
持续时间;典型值
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