1999年5月17日
5
飞利浦半导体
型号
TEST
WORKING差TEMP 。 COEFF 。
S
Z
(%/K)
当前
耐电压
(2)
(1)
在我
Z
r
DIF
()
I
ZTEST
(MA )
V
Z
(V)
在我
Z
= 0.25毫安
在我
ZTEST
喃。
马克斯。
600
600
600
600
600
700
典型值。
+0.081
+0.082
+0.085
+0.085
+0.085
+0.085
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
二极管CAP 。
C
d
(PF )
在f = 1兆赫;
在V
R
= 0 V
马克斯。
55
55
50
50
50
45
反向电流
反向电压
I
R
(A)
马克斯。
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
18
19
21
21
23
25
非重复性峰值
反向电流
I
ZSM
( A)在t
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
马克斯。
1.25
1.25
1.0
1.0
1.0
0.9
稳压二极管
PMBZ5252B
PMBZ5253B
PMBZ5254B
PMBZ5255B
PMBZ5256B
PMBZ5257B
笔记
24
25
27
28
30
33
1. V
Z
测量用设备,在热平衡状态,而安装在8的陶瓷基板
×
10
×
0.7 mm.
2.对于各类PMBZ5226B到PMBZ5242B的我
Z
目前是7.5毫安;对于PMBZ5243B和更高的I
Z
= I
ZTEST
. S
Z
值25之间的有效
°C
和125
°C.
PMBZ5226B到PMBZ5257B
产品speci fi cation