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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第445页 > PMBZ5226
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D088
PMBZ5226B到PMBZ5257B
稳压二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据04月26日
1999年5月17日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
特点
总功耗：
最大。 250毫瓦
公差系列：
±5%
工作电压范围：
NOM 。 3.3至75 V
非重复性峰值反向功率
功耗：最大。 40 W.
应用
一般调节功能。
手册， halfpage
2
PMBZ5226B到PMBZ5257B
钉扎
针
1
2
3
阳极
没有连接
阴极
描述
1
2
北卡罗来纳州
1
3
描述
低功耗的稳压二极管
小型SOT23塑料SMD
包。
该系列由32种有
从标称工作电压
3.3 75 V.
记号
TYPE
数
PMBZ5226B
PMBZ5227B
PMBZ5228B
PMBZ5229B
PMBZ5230B
PMBZ5231B
PMBZ5232B
PMBZ5233B
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
记号
CODE
(1)
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
TYPE
数
PMBZ5234B
PMBZ5235B
PMBZ5236B
PMBZ5237B
PMBZ5238B
PMBZ5239B
PMBZ5240B
PMBZ5241B
记号
CODE
(1)
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8Q
8R
TYPE
数
PMBZ5242B
PMBZ5243B
PMBZ5244B
PMBZ5245B
PMBZ5246B
PMBZ5247B
PMBZ5248B
PMBZ5249B
记号
CODE
(1)
8S
8T
8U
8V
8W
8X
8Y
8Z
TYPE
数
PMBZ5250B
PMBZ5251B
PMBZ5252B
PMBZ5253B
PMBZ5254B
PMBZ5255B
PMBZ5256B
PMBZ5257B
记号
CODE
81A
81B
81C
81D
81E
81F
81G
81H
3
顶视图
MAM243
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
1999年5月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
I
F
I
ZSM
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
笔记
1.装置安装在8的陶瓷基板
×
10
×
0.7 mm.
2.设备安装在一FR4印刷电路板。
电气特性
总串联
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
参数
连续正向电流
PMBZ5226B到PMBZ5257B
条件
分钟。
请参阅表
“每键入”
65
马克斯。
200
单位
mA
非重复性峰值反向电流T
p
= 100
s;
方波;
T
j
= 25
°C
暴涨前
总功耗
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
T
AMB
= 25
°C;
注2
t
p
= 100
s;
方波;
T
j
= 25
°C
前激增;见图2
300
250
40
+150
150
mW
mW
W
°C
°C
条件
I
F
= 200毫安;见图3
马克斯。
1.1
单位
V
1999年5月17日
3
1999年5月17日
4
飞利浦半导体
每个类型
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
TEST
WORKING差TEMP 。 COEFF 。
S
Z
(%/K)
当前
耐电压
(2)
(1)
r
DIF
()
在我
Z
I
ZTEST
（MA ）
V
Z
(V)
在我
ZTEST
在我
Z
= 0.25毫安
喃。
PMBZ5226B
PMBZ5227B
PMBZ5228B
PMBZ5229B
PMBZ5230B
PMBZ5231B
PMBZ5232B
PMBZ5233B
PMBZ5234B
PMBZ5235B
PMBZ5236B
PMBZ5237B
PMBZ5238B
PMBZ5239B
PMBZ5240B
PMBZ5241B
PMBZ5242B
PMBZ5243B
PMBZ5244B
PMBZ5245B
PMBZ5246B
PMBZ5247B
PMBZ5248B
PMBZ5249B
PMBZ5250B
PMBZ5251B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
马克斯。
1600
1700
1900
2000
2000
2000
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
典型值。
0.064
0.065
0.063
0.058
0.047
0.013
+0.023
+0.023
+0.039
+0.040
+0.047
+0.052
+0.053
+0.055
+0.055
+0.058
+0.062
+0.065
+0.067
+0.073
+0.073
+0.073
+0.078
+0.078
+0.080
+0.080
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
二极管CAP 。
C
d
（PF ）
在f = 1兆赫;
在V
R
= 0 V
马克斯。
450
450
450
450
450
300
300
300
200
200
150
150
150
150
90
85
85
80
80
75
75
75
70
70
60
60
反向电流
反向电压
I
R
(A)
马克斯。
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
非重复性峰值
反向电流
I
ZSM
（ A）在t
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
马克斯。
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
3.5
3.0
稳压二极管
型号
PMBZ5226B到PMBZ5257B
3.0
2.5
2.5
2.5
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.25
产品speci fi cation
1999年5月17日
5
飞利浦半导体
型号
TEST
WORKING差TEMP 。 COEFF 。
S
Z
(%/K)
当前
耐电压
(2)
(1)
在我
Z
r
DIF
()
I
ZTEST
（MA ）
V
Z
(V)
在我
Z
= 0.25毫安
在我
ZTEST
喃。
马克斯。
600
600
600
600
600
700
典型值。
+0.081
+0.082
+0.085
+0.085
+0.085
+0.085
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
二极管CAP 。
C
d
（PF ）
在f = 1兆赫;
在V
R
= 0 V
马克斯。
55
55
50
50
50
45
反向电流
反向电压
I
R
(A)
马克斯。
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
18
19
21
21
23
25
非重复性峰值
反向电流
I
ZSM
（ A）在t
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
马克斯。
1.25
1.25
1.0
1.0
1.0
0.9
稳压二极管
PMBZ5252B
PMBZ5253B
PMBZ5254B
PMBZ5255B
PMBZ5256B
PMBZ5257B
笔记
24
25
27
28
30
33
1. V
Z
测量用设备，在热平衡状态，而安装在8的陶瓷基板
×
10
×
0.7 mm.
2.对于各类PMBZ5226B到PMBZ5242B的我
Z
目前是7.5毫安;对于PMBZ5243B和更高的I
Z
= I
ZTEST
. S
Z
值25之间的有效
°C
和125
°C.
PMBZ5226B到PMBZ5257B
产品speci fi cation
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D088
PMBZ5226B到PMBZ5257B
稳压二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据04月26日
1999年5月17日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
特点
总功耗：
最大。 250毫瓦
公差系列：
±5%
工作电压范围：
NOM 。 3.3至75 V
非重复性峰值反向功率
功耗：最大。 40 W.
应用
一般调节功能。
手册， halfpage
2
PMBZ5226B到PMBZ5257B
钉扎
针
1
2
3
阳极
没有连接
阴极
描述
1
2
北卡罗来纳州
1
3
描述
低功耗的稳压二极管
小型SOT23塑料SMD
包。
该系列由32种有
从标称工作电压
3.3 75 V.
记号
TYPE
数
PMBZ5226B
PMBZ5227B
PMBZ5228B
PMBZ5229B
PMBZ5230B
PMBZ5231B
PMBZ5232B
PMBZ5233B
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
记号
CODE
(1)
8A
8B
8C
8D
8E
8F
8G
8H
TYPE
数
PMBZ5234B
PMBZ5235B
PMBZ5236B
PMBZ5237B
PMBZ5238B
PMBZ5239B
PMBZ5240B
PMBZ5241B
记号
CODE
(1)
8J
8K
8L
8M
8N
8P
8Q
8R
TYPE
数
PMBZ5242B
PMBZ5243B
PMBZ5244B
PMBZ5245B
PMBZ5246B
PMBZ5247B
PMBZ5248B
PMBZ5249B
记号
CODE
(1)
8S
8T
8U
8V
8W
8X
8Y
8Z
TYPE
数
PMBZ5250B
PMBZ5251B
PMBZ5252B
PMBZ5253B
PMBZ5254B
PMBZ5255B
PMBZ5256B
PMBZ5257B
记号
CODE
81A
81B
81C
81D
81E
81F
81G
81H
3
顶视图
MAM243
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
1999年5月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
稳压二极管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
I
F
I
ZSM
P
合计
P
ZSM
T
英镑
T
j
笔记
1.装置安装在8的陶瓷基板
×
10
×
0.7 mm.
2.设备安装在一FR4印刷电路板。
电气特性
总串联
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
参数
连续正向电流
PMBZ5226B到PMBZ5257B
条件
分钟。
请参阅表
“每键入”
65
马克斯。
200
单位
mA
非重复性峰值反向电流T
p
= 100
s;
方波;
T
j
= 25
°C
暴涨前
总功耗
非重复性峰值反向功率
耗散
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
T
AMB
= 25
°C;
注2
t
p
= 100
s;
方波;
T
j
= 25
°C
前激增;见图2
300
250
40
+150
150
mW
mW
W
°C
°C
条件
I
F
= 200毫安;见图3
马克斯。
1.1
单位
V
1999年5月17日
3
1999年5月17日
4
飞利浦半导体
每个类型
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
TEST
WORKING差TEMP 。 COEFF 。
S
Z
(%/K)
当前
耐电压
(2)
(1)
r
DIF
()
在我
Z
I
ZTEST
（MA ）
V
Z
(V)
在我
ZTEST
在我
Z
= 0.25毫安
喃。
PMBZ5226B
PMBZ5227B
PMBZ5228B
PMBZ5229B
PMBZ5230B
PMBZ5231B
PMBZ5232B
PMBZ5233B
PMBZ5234B
PMBZ5235B
PMBZ5236B
PMBZ5237B
PMBZ5238B
PMBZ5239B
PMBZ5240B
PMBZ5241B
PMBZ5242B
PMBZ5243B
PMBZ5244B
PMBZ5245B
PMBZ5246B
PMBZ5247B
PMBZ5248B
PMBZ5249B
PMBZ5250B
PMBZ5251B
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.0
6.2
6.8
7.5
8.2
8.7
9.1
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
22
马克斯。
1600
1700
1900
2000
2000
2000
1600
1600
1000
750
500
500
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
典型值。
0.064
0.065
0.063
0.058
0.047
0.013
+0.023
+0.023
+0.039
+0.040
+0.047
+0.052
+0.053
+0.055
+0.055
+0.058
+0.062
+0.065
+0.067
+0.073
+0.073
+0.073
+0.078
+0.078
+0.080
+0.080
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
20
9.5
9.0
8.5
7.8
7.4
7.0
6.6
6.2
5.6
二极管CAP 。
C
d
（PF ）
在f = 1兆赫;
在V
R
= 0 V
马克斯。
450
450
450
450
450
300
300
300
200
200
150
150
150
150
90
85
85
80
80
75
75
75
70
70
60
60
反向电流
反向电压
I
R
(A)
马克斯。
25
15
10
5
5
5
5
5
5
3
3
3
3
3
3
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
6.5
6.5
7.0
8.0
8.4
9.1
9.9
10
11
12
13
14
14
15
17
非重复性峰值
反向电流
I
ZSM
（ A）在t
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
马克斯。
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
3.5
3.0
稳压二极管
型号
PMBZ5226B到PMBZ5257B
3.0
2.5
2.5
2.5
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.5
1.25
产品speci fi cation
1999年5月17日
5
飞利浦半导体
型号
TEST
WORKING差TEMP 。 COEFF 。
S
Z
(%/K)
当前
耐电压
(2)
(1)
在我
Z
r
DIF
()
I
ZTEST
（MA ）
V
Z
(V)
在我
Z
= 0.25毫安
在我
ZTEST
喃。
马克斯。
600
600
600
600
600
700
典型值。
+0.081
+0.082
+0.085
+0.085
+0.085
+0.085
5.2
5.0
4.6
4.5
4.2
3.8
二极管CAP 。
C
d
（PF ）
在f = 1兆赫;
在V
R
= 0 V
马克斯。
55
55
50
50
50
45
反向电流
反向电压
I
R
(A)
马克斯。
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
V
R
(V)
18
19
21
21
23
25
非重复性峰值
反向电流
I
ZSM
（ A）在t
p
= 100
s;
T
AMB
= 25
°C
马克斯。
1.25
1.25
1.0
1.0
1.0
0.9
稳压二极管
PMBZ5252B
PMBZ5253B
PMBZ5254B
PMBZ5255B
PMBZ5256B
PMBZ5257B
笔记
24
25
27
28
30
33
1. V
Z
测量用设备，在热平衡状态，而安装在8的陶瓷基板
×
10
×
0.7 mm.
2.对于各类PMBZ5226B到PMBZ5242B的我
Z
目前是7.5毫安;对于PMBZ5243B和更高的I
Z
= I
ZTEST
. S
Z
值25之间的有效
°C
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PMBZ5226B到PMBZ5257B
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PESD3V3U1UL
PT2129A-T81S
P54FCT643ATLB
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