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分立半导体
数据表
PMBTH10
NPN 1 GHz的通用
开关晶体管
产品speci fi cation
在分立半导体的文件， SC14
1995年9月
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 1 GHz的通用开关晶体管
特点
低成本
高功率增益。
1
描述
该PMBTH10是一种通用
硅NPN晶体管，封装在
SOT23塑料封套。它的PNP
补是PMBTH81 。
2
3
钉扎
针
BASE
辐射源
集热器
1
顶视图
PMBTH10
描述
编号： V30
fpage
3
2
MSB003
图1 SOT23封装。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
P
合计
h
FE
C
re
C
rb
f
T
r
b
C
c
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
总功耗
直流电流增益
集电极 - 发射极反馈
电容
集电极 - 基极反馈
电容
跃迁频率
集电极 - 基极时间常数
开基
集电极开路
T
s
= 45
°C
（注1 ）
V
CE
= 10 V ;我
C
= 4毫安
V
CB
= 10 V ;我
E
= 0; F = 1 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
E
= 0; F = 1 MHz的
V
CE
= 10 V ;我
C
= 4毫安;
F = 100 MHz的;吨
AMB
= 25
°C
V
CE
= 10 V ;我
C
= 4毫安;
F = 100 MHz的;吨
AMB
= 25
°C
条件
发射极开路
分钟。
60
0.35
650
马克斯。
30
25
3
400
0.7
0.65
9
pF
pF
兆赫
ps
V
V
V
mW
单位
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电极片的焊接点的温度。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
总功耗
储存温度
结温
T
s
= 45
°C
（注1 ）
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
马克斯。
30
25
3
40
400
150
150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
1995年9月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 1 GHz的通用开关晶体管
热阻
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电极片的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C.
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE坐
V
上
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
re
C
rb
f
T
r
b
C
c
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极反馈
电容
集电极 - 基极反馈电容
跃迁频率
集电极 - 基极时间常数
条件
发射极开路;我
C
= 100
A;
I
E
= 0
开基;我
C
= 1毫安;我
B
= 0
集电极开路;我
E
= 10
A;
I
C
= 0
I
C
= 4毫安;我
B
= 0.4毫安
V
CE
= 10 V ;我
C
= 4毫安
V
CB
= 25 V ;我
E
= 0
V
CB
= 25 V ;我
C
= 0
V
CE
= 10 V ;我
C
= 4毫安
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0;
F = 1 MHz的
V
CB
= 10 V ;我
C
= i
c
= 0;
F = 1 MHz的
V
CE
= 10 V ;我
C
= 4毫安;
F = 100 MHz的;吨
AMB
= 25
°C
V
CB
= 10 V ;我
C
= 4毫安;
F = 100 MHz的;吨
AMB
= 25
°C
参数
从结点到焊接点（注1 ）
PMBTH10
热阻
260 K / W
分钟。马克斯。
30
25
3
60
0.35
650
0.5
0.95
100
100
0.7
0.65
9
单位
V
V
V
V
V
nA
nA
pF
pF
兆赫
ps
1995年9月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 1 GHz的通用开关晶体管
PMBTH10
100
手册， halfpage
Y11
（女士）
80
g11
60
b
11
40
MRA168
手册， halfpage
10
b11
MRA170
（女士）
20
30
1000兆赫
40
700
400
20
50
200 100
0
10
2
F（兆赫）
10
3
60
0
20
40
60
80
100
G11 （MS ）
V
CB
= 10 V ;我
C
= 4毫安。
V
CB
= 10 V ;我
C
= 4毫安。
Fig.2
共基极输入导纳（Y
11
），为
功能的频率。
图3共基极输入导纳（Y
11
).
手册， halfpage
70
MRA169
Y21
手册， halfpage
60
MRA171
b21
200
400
600
700
（女士）
50
b21
（女士）
50
100
30
g
21
40
10
30
1000兆赫
10
20
30
10
2
F（兆赫）
10
3
10
70
50
30
10
10
30
G21 （MS ）
V
CB
= 10 V ;我
C
= 4毫安。
V
CB
= 10 V ;我
C
= 4毫安。
Fig.4
共基极正向转移导纳
(Y
21
）作为频率的函数。
Fig.5
共基极正向转移导纳
(Y
21
).
1995年9月
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 1 GHz的通用开关晶体管
PMBTH10
手册， halfpage
5
MRA164
Y12
（女士）
手册， halfpage
0
MRA166
b12
（女士）
100
200
400
4
1
3
2
700
2
b
12
3
1000兆赫
1
g12
F（兆赫）
10
3
4
0
10
2
5
2
1.2
0.4
0.4
1.2
2
G12 （MS ）
V
CB
= 10 V ;我
C
= 4毫安。
V
CB
= 10 V ;我
C
= 4毫安。
Fig.6
共基极反向传输导纳
(Y
12
）作为频率的函数。
Fig.7
共基极反向传输导纳
(Y
12
).
手册， halfpage
10
MRA165
Y22
（女士）
手册， halfpage
10
MRA167
b22
（女士）
1000兆赫
8
8
700兆赫
6
b22
4
6
4
400兆赫
200兆赫
2
g22
0
10
2
0
0
2
4
6
8
10
G22 （MS ）
2
100兆赫
F（兆赫）
10
3
V
CB
= 10 V ;我
C
= 4毫安。
V
CB
= 10 V ;我
C
= 4毫安。
Fig.8
共基极反向导纳（Y
22
）为
频率的函数。
图9共基极反向导纳（Y
22
).
1995年9月
5
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