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PMBTA44
400 V , 0.3 A NPN高电压低V
CESAT
( BISS )晶体管
版本01 - 2008年2月22日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN高电压低V
CESAT
突破性小信号( BISS )的晶体管
SOT23封装( TO- 236AB )小型表面贴装器件( SMD )塑料封装。
1.2产品特点
I
低电流(最大300 mA)的
I
高电压(最大400 V)的
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
I
I
I
I
I
LED驱动器的LED模块链
LCD背光
高强度放电( HID )前大灯
汽车电机管理
叉簧开关用于有线通信
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
= 10 V ;我
C
= 10毫安
条件
开基
-
-
50
典型值
-
-
-
最大
400
300
200
单位
V
mA
恩智浦半导体
PMBTA44
400 V , 0.3 A NPN高电压低V
CESAT
( BISS )晶体管
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
2
sym021
简化的轮廓
3
符号
3
1
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PMBTA44
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
PMBTA44
[1]
* = - :香港制造
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
标记代码
标识代码
[1]
W3*
类型编号
PMBTA44_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年2月22日
2 12
恩智浦半导体
PMBTA44
400 V , 0.3 A NPN高电压低V
CESAT
( BISS )晶体管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
°C
[1]
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
最大
500
400
6
300
300
100
250
150
+150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
300
P
合计
( mW)的
200
006aab196
100
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
FR4 PCB,标准的足迹
图1.功率降额曲线SOT23封装( TO- 236AB )
PMBTA44_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
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版本01 - 2008年2月22日
3 12
恩智浦半导体
PMBTA44
400 V , 0.3 A NPN高电压低V
CESAT
( BISS )晶体管
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
[1]
热特性
参数
条件
[1]
-
典型值
-
最大
500
单位
K / W
从结热阻在自由空气
环境
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
10
3
Z
号(j -a)的
(K / W)
10
2
占空比= 1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
10
0.02
0.01
006aab151
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB,标准的足迹
图2.瞬态结点的热阻抗到环境的脉冲持续时间的函数
SOT23封装( TO- 236AB )
PMBTA44_1
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版本01 - 2008年2月22日
4 12
恩智浦半导体
PMBTA44
400 V , 0.3 A NPN高电压低V
CESAT
( BISS )晶体管
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
条件
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
100
10
100
单位
nA
A
nA
集电极 - 基极截止V
CB
= 320 V ;我
E
= 0 A
当前
V
CB
= 320 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
V
EB
= 4 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
= 1毫安;我
B
- 0.1毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
V
BESAT
f
T
C
c
C
e
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
I
EBO
h
FE
50
45
40
-
-
-
-
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
200
-
-
400
500
750
850
-
7
180
mV
mV
mV
mV
兆赫
pF
pF
基射
饱和电压
跃迁频率
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
V
CE
= 10 V ;我
E
= 10毫安;
F = 100 MHz的
集电极电容V
CB
= 20V;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
发射极电容
脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
V
EB
= 0.5 V;
I
C
= i
c
= 0 ; F = 1 MHz的
PMBTA44_1
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5 12
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PMBTA44
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
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16+
68000
SOT23
原装进口,样品可出
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
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一级代理/放心采购
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电话:0755-82812004/82811605
联系人:朱先生
地址:广东深圳福田区华强北上步工业区405栋6楼607
PMBTA44
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SOT23
进口原装!现货!假一赔十
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地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
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