PMBTA44
400 V , 0.3 A NPN高电压低V
CESAT
( BISS )晶体管
版本01 - 2008年2月22日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN高电压低V
CESAT
突破性小信号( BISS )的晶体管
SOT23封装( TO- 236AB )小型表面贴装器件( SMD )塑料封装。
1.2产品特点
I
低电流(最大300 mA)的
I
高电压(最大400 V)的
I
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
I
I
I
I
I
LED驱动器的LED模块链
LCD背光
高强度放电( HID )前大灯
汽车电机管理
叉簧开关用于有线通信
开关模式电源
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
= 10 V ;我
C
= 10毫安
条件
开基
民
-
-
50
典型值
-
-
-
最大
400
300
200
单位
V
mA
恩智浦半导体
PMBTA44
400 V , 0.3 A NPN高电压低V
CESAT
( BISS )晶体管
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
最大
500
400
6
300
300
100
250
150
+150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
300
P
合计
( mW)的
200
006aab196
100
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
FR4 PCB,标准的足迹
图1.功率降额曲线SOT23封装( TO- 236AB )
PMBTA44_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年2月22日
3 12
恩智浦半导体
PMBTA44
400 V , 0.3 A NPN高电压低V
CESAT
( BISS )晶体管
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
[1]
热特性
参数
条件
[1]
民
-
典型值
-
最大
500
单位
K / W
从结热阻在自由空气
环境
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
10
3
Z
号(j -a)的
(K / W)
10
2
占空比= 1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
10
0.02
0.01
006aab151
1
0
10
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB,标准的足迹
图2.瞬态结点的热阻抗到环境的脉冲持续时间的函数
SOT23封装( TO- 236AB )
PMBTA44_1
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2008年2月22日
4 12