飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
PMBTA42
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。强调以上一个或
更多的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,设备或系统中使用,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月22
5
PMBTA42
300 V , 100毫安NPN高压晶体管
牧师05 - 2008年12月12日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
采用小型SOT23 ( TO- 236AB ) NPN高压晶体管表面贴装
器件(SMD )塑料封装。
PNP补充: PMBTA92 。
1.2产品特点
高电压(最大300 V )
1.3应用
电话和专业通信设备
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 30毫安
25
40
40
-
-
-
-
-
-
条件
开基
民
-
-
典型值
-
-
最大
300
100
单位
V
mA
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
2
2
sym021
简化的轮廓
3
图形符号
3
1
恩智浦半导体
PMBTA42
300 V , 100毫安NPN高压晶体管
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMBTA42
PMBTA42/DG
[1]
/ DG:不含卤素的
类型编号
[1]
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
-
4.标记
表4 。
PMBTA42
PMBTA42/DG
[1]
[2]
/ DG:不含卤素的
* = - :香港制造
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
标记代码
标识代码
[2]
*1D
* BV
类型编号
[1]
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
65
65
最大
300
300
6
100
200
100
250
150
+150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
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6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
[1]
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1]
民
-
典型值
-
最大
500
单位
K / W
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止
当前
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
条件
V
CB
= 200 V ;我
E
= 0 A
V
EB
= 6 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 30毫安
V
CESAT
V
BESAT
C
re
f
T
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
能力= 20 mA ;我
B
= 2毫安
25
40
40
-
-
-
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
500
900
3
-
mV
mV
pF
兆赫
民
-
-
典型值
-
-
最大
100
100
单位
nA
nA
基极 - 发射极饱和我
C
能力= 20 mA ;我
B
= 2毫安
电压
反馈电容
跃迁频率
V
CB
= 20V;我
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
CE
= 20V;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
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9.包装信息
表8 。
包装方法
指示的-xxx是的12NC订货代码的最后三位数字。
[1]
类型编号
PMBTA42
PMBTA42/DG
[1]
[2]
如需进一步信息和包装方法的途径,请参阅
第13节。
/ DG:不含卤素的
包装说明
SOT23
4毫米间距8毫米磁带和卷轴
包装数量
3000
-215
10000
-235
10.焊接
3.3
2.9
1.9
焊区
阻焊
3
1.7
2
锡膏
0.6
(3×)
占领区
尺寸(mm)
0.5
(3×)
0.6
(3×)
1
sot023_fr
0.7
(3×)
图2 。
再溢流焊接足迹SOT23封装( TO- 236AB )
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