【分立半导体数据表书， halfpageM3D088PMBTA13 ; PMBTA14NPN达林顿晶体】,IC型号PMBTA13,PMBTA13 PDF资料,PMBTA13经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

PMBTA13 ; PMBTA14

NPN达林顿晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据04月18日

1999年04月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

特点

大电流（最大500 mA）的

低电压（最大30 V）的

高直流电流增益（最小值10000）。

应用

高输入阻抗前置放大器。

描述

NPN达林顿晶体管在SOT23塑料包装。

PNP补充： PMBTA64 。

记号

PMBTA13 ; PMBTA14

钉扎

针

BASE

辐射源

集热器

描述

手册， halfpage

TR1

TR2

MAM298

类型编号

PMBTA13

PMBTA14

记

= P ：香港制造。

= T：在马来西亚。

记号

CODE

(1)

顶视图

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

CES

EBO

合计

英镑

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C;

注1

= 0

集电极开路

条件

发射极开路

分钟。

马克斯。

500

800

200

250

+150

150

+150

°C

单位

1999年04月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

热特性

符号

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

EBO

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

PMBTA13

PMBTA14

直流电流增益

PMBTA13

PMBTA14

CESAT

BEON

集电极 - 发射极饱和电压I

= 100毫安;我

- 0.1毫安

基极 - 发射极导通电压

跃迁频率

= 100毫安; V

= 5 V

条件

= 0; V

= 30 V

= 0; V

= 10 V

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

PMBTA13 ; PMBTA14

价值

500

单位

K / W

分钟。

5000

10000

马克斯。

100

1.5

1.4

单位

= 10毫安; V

= 5 V ; （见图2）

= 100毫安; V

= 5 V ; （见图2）

10000

20000

125

兆赫

= 10毫安; V

= 5 V ; F = 100 MHz的

手册，全页宽

80000

的hFE

MGD837

60000

40000

20000

= 2 V.

IC （MA ）

图2直流电流增益;典型值。

1999年04月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PMBTA13 ; PMBTA14

SOT23

细节X

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

1.1

0.9

马克斯。

0.1

0.48

0.38

0.15

0.09

3.0

2.8

1.4

1.2

1.9

0.95

2.5

2.1

0.45

0.15

0.55

0.45

0.2

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年04月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN达林顿晶体管

释义

数据表状态

客观的特定网络阳离子

初步speci fi cation

产品speci fi cation

极限值

PMBTA13 ; PMBTA14

此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。

此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。

此数据表包含网络最终产品规范阳离子。

给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。强调以上一个或

更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营

该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的

是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。

应用信息

其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。

生命支持应用

这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障

产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户

在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏

不当使用或出售

1999年04月29日

分立半导体

数据表

PMBTA13 ; PMBTA14

NPN达林顿晶体管

产品数据表

取代1999年的数据04月29日

2004年1月22日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN达林顿晶体管

特点

大电流（最大500 mA）的

低电压（最大30 V）的

高直流电流增益（最小10 000）。

应用

高输入阻抗前置放大器。

描述

NPN达林顿晶体管在SOT23塑料包装。

PNP补充： PMBTA64 。

记号

类型编号

PMBTA13

PMBTA14

记

1. * = P ：香港制造。

* = T：在马来西亚。

* = W ：中国制造。

订购信息

TYPE

数

PMBTA13

PMBTA14

包

名字

描述

塑料表面贴装封装; 3引线

标识代码

(1)

*1M

*1N

顶视图

手册， halfpage

PMBTA13 ; PMBTA14

钉扎

针

BASE

辐射源

集热器

描述

TR1

TR2

MAM298

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

VERSION

SOT23

2004年1月22日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN达林顿晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

CES

EBO

合计

英镑

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

号（j -a）的

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

EBO

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

PMBTA13

PMBTA14

直流电流增益

PMBTA13

PMBTA14

CESAT

BEON

集电极 - 发射极饱和电压I

= 100毫安;我

- 0.1毫安

基极 - 发射极导通电压

跃迁频率

= 100毫安; V

= 5 V

条件

= 0; V

= 30 V

= 0; V

= 10 V

参数

从结点到环境的热阻

注1

条件

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C;

注1

条件

发射极开路

= 0

集电极开路

PMBTA13 ; PMBTA14

分钟。

马克斯。

500

800

200

250

+150

150

+150

单位

°C

价值

500

单位

K / W

分钟。

5 000

10 000

马克斯。

100

1.5

1.4

单位

= 10毫安; V

= 5 V ; （见图2）

= 100毫安; V

= 5 V ; （见图2）

10 000

20 000

125

兆赫

= 10毫安; V

= 5 V ; F = 100 MHz的

2004年1月22日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN达林顿晶体管

PMBTA13 ; PMBTA14

手册，全页宽

80000

的hFE

MGD837

60000

40000

20000

IC （MA ）

= 2 V.

图2直流电流增益;典型值。

2004年1月22日

恩智浦半导体

产品数据表

NPN达林顿晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PMBTA13 ; PMBTA14

SOT23

细节X

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

1.1

0.9

马克斯。

0.1

0.48

0.38

0.15

0.09

3.0

2.8

1.4

1.2

1.9

0.95

2.5

2.1

0.45

0.15

0.55

0.45

0.2

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-236AB

JEITA

欧洲

投影

发行日期

04-11-04

06-03-16

2004年1月22日