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分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D088
PMBT5550
NPN型高压晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据06月16日
1999年04月15日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
特点
低电流（最大300 mA）的
低电压（最大140 V） 。
应用
电话。
描述
手册， halfpage
PMBT5550
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
在SOT23塑料包装NPN高压晶体管。
PNP补充： PMBT5401 。
记号
类型编号
PMBT5550
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
标识代码
(1)
1F
顶视图
3
3
1
2
1
2
MAM255
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
160
140
6
300
600
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年04月15日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 100 V
I
E
= 0; V
CB
= 100V ;牛逼
AMB
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
V
CE
= 5 V ; （见图2）
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k;
F = 10 Hz至15.7千赫
60
60
20
100
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
PMBT5550
价值
500
单位
K / W
分钟。
马克斯。
50
50
50
250
150
250
1
1.2
6
30
300
10
单位
nA
A
nA
mV
mV
V
V
pF
pF
兆赫
dB
1999年04月15日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
PMBT5550
手册，全页宽
160
MGD814
的hFE
120
VCE = 5 V
80
40
0
10
1
1
10
10
2
IC毫安
10
3
图2直流电流增益;典型值。
1999年04月15日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PMBT5550
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月15日
5
分立半导体
数据表
dbook ， halfpage
M3D088
PMBT5550
NPN型高压晶体管
产品数据表
取代1999年的数据4月15日
2004年1月21日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
特点
低电流（最大300 mA）的
低电压（最大140 V） 。
应用
电话。
描述
在SOT23塑料包装NPN高压晶体管。
PNP补充： PMBT5401 。
记号
类型编号
PMBT5550
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚。
* = W ：中国制造。
订购信息
TYPE
数
PMBT5550
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
标识代码
(1)
*1F
顶视图
手册， halfpage
PMBT5550
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
1
2
MAM255
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
VERSION
SOT23
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
160
140
6
300
600
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
2004年1月21日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 100 V
I
E
= 0; V
CB
= 100V ;牛逼
AMB
= 100
°C
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
V
CE
= 5 V ; （见图2）
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 50毫安
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
= 1毫安
I
C
= 50毫安;我
B
= 5毫安
I
E
= I
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= I
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k;
F = 10 Hz至15.7千赫
60
60
20
100
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
PMBT5550
价值
500
单位
K / W
分钟。
马克斯。
50
50
50
250
150
250
1
1.2
6
30
300
10
单位
nA
A
nA
mV
mV
V
V
pF
pF
兆赫
dB
2004年1月21日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
PMBT5550
手册，全页宽
160
MGD814
的hFE
120
VCE = 5 V
80
40
0
10
1
1
10
10
2
IC毫安
10
3
图2直流电流增益;典型值。
2004年1月21日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PMBT5550
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-236AB
JEITA
欧洲
投影
发行日期
04-11-04
06-03-16
2004年1月21日
5
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PIC18F1330-I/SSSQTP
PSA31U-XXX
PH2856-22
P83C51RA+5N
PSD935G2V-A-12JI
PM2ST1
PS2562-1-V
P230-3EC25BR100K
PSD4135F2-15M
PSS1214-2
PCA9306DCURG4
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PMBT5550
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
PMBT5550
NXP(恩智浦)
22+
28974
原装原厂公司现货
深圳市品优时代科技有限公司
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电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
PMBT5550
NXP
2019
79600
SOT23
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市俊晖半导体有限公司
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电话：13410941925
联系人：李先生【原装正品,可开发票】
地址：深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋1511A12
PMBT5550
NXP
24+
53
20160625
原装正品现货，可开增值税专用发票
深圳信泰电子器材有限公司
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电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
PMBT5550
NXP
24+
15000
20160625
100%原装正品，只做原装正品
深圳市科恒伟业电子有限公司
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电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PMBT5550
NXP
1925+
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SOT23
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电话：0755-82563615 82563213
联系人：王云
地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室
PMBT5550
NXP
2425+
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SOT23-3
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电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
PMBT5550
NXP
24+
8000
SOT-23
授权分销 现货热卖
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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PMBT5550
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23000
SOT-23
一级代理专营，原装现货，价格优势
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PMBT5550
NXP/恩智浦
24+
12300
SOT23-3
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电话：0755-22929859
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PMBT5550
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