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分立半导体
数据表
dbook ， halfpage
M3D088
PMBT4403
PNP开关晶体管
产品数据表
取代1999年的数据4月15日
2004年1月21日
恩智浦半导体
产品数据表
PNP开关晶体管
特点
大电流（最大600 mA）的
低电压（最大40 V） 。
应用
工业和消费应用中的开关。
描述
PNP开关晶体管在SOT23塑料包装。
NPN补充： PMBT4401 。
记号
类型编号
PMBT4403
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚。
* = W ：中国制造。
订购信息
TYPE
数
PMBT4403
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
标识代码
(1)
*2T
顶视图
手册， halfpage
PMBT4403
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
1
2
MAM256
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
VERSION
SOT23
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
40
40
5
600
800
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
2004年1月21日
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP开关晶体管
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
40
V
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
1
V ; （见图2）
I
C
=
0.1
mA
I
C
=
1
mA
I
C
=
10
mA
V
CE
=
2
V
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
E
= I
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= I
c
= 0; V
EB
=
500
毫伏; F = 1 MHz的
100
20
30
60
100
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
PMBT4403
价值
500
单位
K / W
马克斯。
50
50
300
400
750
950
1.3
8.5
35
单位
nA
nA
mV
mV
mV
V
pF
pF
兆赫
I
C
=
20
毫安; V
CE
=
10
V ; F = 100 MHz的200
I
CON
=
150
毫安;我
BON
=
15
毫安;
I
B关
= 15毫安
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
（见图3）
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
40
15
30
350
300
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2004年1月21日
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP开关晶体管
PMBT4403
ndbook ，全页宽
300
MGD812
的hFE
VCE =
1
V
200
100
0
10
1
1
10
10
2
IC毫安
10
3
图2直流电流增益;典型值。
手册，全页宽
VBB
VCC
RB
示波器
Vi
R1
（探头）
450
R2
RC
Vo
（探头）
450
DUT
示波器
MGD624
V
i
=
9.5
V ; T = 500
s;
t
p
= 10
s;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 68
;
R2 = 325
;
R
B
= 325
;
R
C
= 160
.
V
BB
= 3.5 V; V
CC
=
29.5
V.
示波器：输入阻抗Z
i
= 50
.
图3测试电路的开关时间。
2004年1月21日
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP开关晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PMBT4403
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-236AB
JEITA
欧洲
投影
发行日期
04-11-04
06-03-16
2004年1月21日
5
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D088
PMBT4403
PNP开关晶体管
产品speci fi cation
取代1997年05月05数据
1999年04月15日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
特点
大电流（最大600 mA）的
低电压（最大40 V） 。
应用
工业和消费应用中的开关。
描述
PNP开关晶体管在SOT23塑料包装。
NPN补充： PMBT4401 。
记号
类型编号
PMBT4403
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
标识代码
(1)
2T
顶视图
手册， halfpage
PMBT4403
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
2
1
2
MAM256
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
40
40
5
600
800
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年04月15日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
40
V
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
1
V ; （见图2）
I
C
=
0.1
mA
I
C
=
1
mA
I
C
=
10
mA
V
CE
=
2
V
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
150
毫安;我
B
=
15
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
500
毫伏; F = 1 MHz的
100
20
30
60
100
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
PMBT4403
价值
500
单位
K / W
马克斯。
50
50
300
400
750
950
1.3
8.5
35
单位
nA
nA
mV
mV
mV
V
pF
pF
兆赫
I
C
=
20
毫安; V
CE
=
10
V ; F = 100 MHz的200
I
CON
=
150
毫安;我
BON
=
15
毫安;
I
B关
= 15毫安
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
（见图3）
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
40
15
30
350
300
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1999年04月15日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
PMBT4403
手册，全页宽
300
MGD812
的hFE
VCE =
1
V
200
100
0
10
1
1
10
10
2
IC毫安
10
3
图2直流电流增益;典型值。
手册，全页宽
VBB
VCC
RB
示波器
Vi
R1
（探头）
450
R2
RC
Vo
（探头）
450
DUT
示波器
MGD624
V
i
=
9.5
V ; T = 500
s;
t
p
=
10
s;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 68
;
R2 = 325
;
R
B
= 325
;
R
C
= 160
.
V
BB
= 3.5 V; V
CC
=
29.5
V.
示波器：输入阻抗Z
i
= 50
.
图3测试电路的开关时间。
1999年04月15日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP开关晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PMBT4403
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月15日
5
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PSA55-9P
PAL12R2ANM
PIC18F1330-I/SS
PIC16HV540T-20/SO
PL34020101000KXDD
PTHXX050Y
P4C1256-70L28M
PCA9552D
PIC16C621-04E/JW
PHE426PF6120JR06L2
P51XAG27JFA
PI74FCT573ATQ
P4C1281-25CC
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PMBT4403
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
辉华拓展
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电话：0755-83202411
联系人：杨泽鹏
地址：深圳市福田区 汉国中心55楼
PMBT4403
NXP(恩智浦)
22+
33683
原装原厂公司现货
深圳市晶美隆科技有限公司销售一部
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电话：0755-83209630 82519391
联系人：许小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
PMBT4403
RALINK
24+
18650
BGA196
原装新到货，公司现货
深圳市科恒伟业电子有限公司
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电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
PMBT4403
NXP/恩智浦
21+
9850
SOT-23
只做原装正品现货或订货！代理渠道订货假一赔三！
深圳市百域芯科技有限公司
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电话：075582788161
联系人：王小姐
地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507
PMBT4403
NEXPERIA
24+
3000
支持送样，BOM配单
深圳市川蓝电子科技有限公司
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电话：0755-82522939
联系人：彭小姐
地址：广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
PMBT4403
NEXPERIA
45000
19+
原包装原标现货，假一罚十，
0.1
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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电话：0755-83258002
联系人：林
地址：门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
PMBT4403
2015+
5
公司现货库存,绝对原装正品!
深圳市裕硕科技有限公司
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电话：0755-23613962/82706142
联系人：雷小姐
地址：深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
PMBT4403
NEXPERIA/安世
2024+
9675
SOT-23
优势现货，全新原装进口
瀚佳科技（深圳）有限公司
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电话：0755-23915992/23140719
联系人：李
地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
PMBT4403
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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PMBT4403
NXP
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市科恒伟业电子有限公司
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联系人：李小姐
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PMBT4403
NEXPERIA
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
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