PMBT3906M
40 V ， 200毫安PNP开关晶体管
牧师01 - 2009年7月22日
底部视图
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
在SOT883 （ SC- 101 ）无引脚PNP单开关晶体管的超小
表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
NPN补充： PMBT3904M 。
1.2产品特点
I
I
I
I
单通用开关晶体管
电路板空间减少
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
超小型SMD塑料包装
1.3应用
I
通用开关和放大器阳离子
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
=
1
V;
I
C
=
10
mA
条件
开基
民
-
-
100
典型值
-
-
180
最大
40
200
300
单位
V
mA
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
钉扎
描述
BASE
辐射源
集热器
1
3
2
透明
顶视图
1
2
sym013
简化的轮廓
图形符号
3
恩智浦半导体
PMBT3906M
40 V ， 200毫安PNP开关晶体管
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
PMBT3906M
SC-101
描述
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
VERSION
SOT883
类型编号
4.标记
表4 。
标记代码
标识代码
6Q
类型编号
PMBT3906M
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
结温
环境温度
储存温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1][2]
[1][3]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
最大
40
40
6
200
200
100
260
590
150
+150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
mW
°C
°C
°C
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
PMBT3906M_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
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恩智浦半导体
PMBT3906M
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800
P
合计
（ mW）的
(1)
006aab602
600
400
(2)
200
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 2 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线SOT883 （ SC- 101 ）
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
条件
在自由空气
[1][2]
[1][3]
民
-
-
典型值
-
-
最大
481
212
单位
K / W
K / W
[1]
[2]
[3]
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
PMBT3906M_1
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恩智浦半导体
PMBT3906M
40 V ， 200毫安PNP开关晶体管
10
3
占空比=
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
10
0.01
0
006aab603
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
从结瞬态热阻抗至环境作为脉冲持续时间的函数;典型值
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
50
50
单位
nA
nA
集电极 - 基极截止V
CB
=
30
V ;我
E
= 0 A
当前
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
V
EB
=
6
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
1
V
I
C
=
0.1
mA
I
C
=
1
mA
I
C
=
10
mA
I
C
=
50
mA
I
C
=
100
mA
V
CESAT
V
BESAT
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
C
c
PMBT3906M_1
60
80
100
60
30
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
180
180
180
130
50
100
165
750
850
-
-
-
-
-
-
-
-
-
300
-
-
250
400
850
950
35
35
70
225
75
300
4.5
mV
mV
mV
mV
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
I
C
=
10
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
mA
V
CC
=
3
V;
I
C
=
10
毫安;
I
BON
=
1
毫安;
I
B关
= 1毫安
集电极电容V
CB
=
5
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
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