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分立半导体
数据表
PMBS3906
PNP通用晶体管
产品数据表
取代1999年的数据04月22日
2004年2月02
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大40 V） 。
应用
通用开关和放大，例如
电话和专业的通讯设备。
描述
手册， halfpage
PMBS3906
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
PNP晶体管在SOT23塑料包装。
NPN补充： PMBS3904 。
记号
类型编号
PMBS3906
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚。
* = W ：中国制造。
订购信息
TYPE
数
PMBS3906
包
名字
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
标识代码
(1)
*O6
顶视图
3
3
1
2
1
2
MAM256
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
VERSION
SOT23
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流能力
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
40
40
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
2004年2月02
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
号（j -a）的
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
1
V ; （见图2）
I
C
=
0.1
mA
I
C
=
1
mA
I
C
=
10
mA
I
C
=
50
毫安;注1
I
C
=
100
毫安;注1
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪声系数
I
C
=
10
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
C
=
10
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
5
V ; F = 100 MHz的
I
C
= i
c
= 0; VE
B
=
0.5
V ; F = 100 MHz的
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
20
V;
F = 100 MHz的
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V ;
S
= 1 k;
F = 10 Hz至15.7千赫
I
CON
=
10
毫安;我
BON
=
1
毫安;
I
B关
= 1毫安
60
80
100
60
30
150
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
PMBS3906
价值
500
单位
K / W
马克斯。
50
50
300
250
400
850
950
4.5
12
4
单位
nA
nA
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
（见图3）
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
100
50
50
700
600
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2004年2月02
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
PMBS3906
手册，全页宽
300
MBH726
的hFE
200
VCE =
5
V
100
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
图2直流电流增益;典型值。
手册，全页宽
VBB
VCC
RB
示波器
Vi
R1
（探头）
450
R2
RC
Vo
（探头）
450
DUT
示波器
MGD624
V
i
=
5
V ; T = 500
s;
t
p
= 10
s;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 56
;
R2 = 2.5 kΩ的;
B
= 3.9 kΩ的;
C
= 270
.
V
BB
= 1.9 V; V
CC
= 3 V.
示波器的输入阻抗Z
i
= 50
.
图3测试电路的开关时间。
2004年2月02
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PMBS3906
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-236AB
JEITA
欧洲
投影
发行日期
04-11-04
06-03-16
2004年2月02
5
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D088
PMBS3906
PNP通用晶体管
产品speci fi cation
取代1997年5月20日的数据
1999年04月22
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大40 V） 。
应用
通用开关和放大，例如
电话和专业的通讯设备。
描述
PNP晶体管在SOT23塑料包装。
NPN补充： PMBS3904 。
手册， halfpage
PMBS3906
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
3
3
1
记号
类型编号
PMBS3906
记
1.
= P ：香港制造。
= T：在马来西亚。
标识代码
(1)
O6
顶视图
2
1
2
MAM256
Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
40
40
5
100
200
200
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年04月22
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
1
V ; （见图2）
I
C
=
0.1
mA
I
C
=
1
mA
I
C
=
10
mA
I
C
=
50
毫安;注1
I
C
=
100
毫安;注1
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
=
10
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
5
毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
5
V ; F = 100 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
0.5
V ; F = 100 MHz的
I
C
=
100 A;
V
CE
=
5
V ;
S
= 1 k;
F = 10 Hz至15.7 kHz的;
I
CON
=
10
毫安;我
BON
=
1
毫安;
I
B关
= 1毫安
60
80
100
60
30
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
PMBS3906
价值
500
单位
K / W
马克斯。
50
50
300
250
400
850
950
4.5
12
4
单位
nA
nA
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
20
V ; F = 100 MHz的150
（ 10％至90％的水平）的切换时间;
（见图3）
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
100
50
50
700
600
100
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1999年04月22
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
PMBS3906
手册，全页宽
300
MBH726
的hFE
200
VCE =
5
V
100
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
图2直流电流增益;典型值。
手册，全页宽
VBB
VCC
RB
示波器
Vi
R1
（探头）
450
R2
RC
Vo
（探头）
450
DUT
示波器
MGD624
V
i
=
5
V ; T = 500
s;
t
p
= 10
s;
t
r
= t
f
≤
3纳秒。
R1 = 56
;
R2 = 2.5 kΩ的;
B
= 3.9 kΩ的;
C
= 270
.
V
BB
= 1.9 V; V
CC
= 3 V.
示波器的输入阻抗Z
i
= 50
.
图3测试电路的开关时间。
1999年04月22
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
PMBS3906
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月22
5
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推荐型号
PS7141L-1C-A
PT2126-F8A-NNM0-F
PPD56-9M
PALC16R8-20QMB
PC7353C-12L
PM-DB2711
PTA3044-2215CIB203
PI6C2408-4W
PZB300MC22R30
P270-SP32R100K
P140KH1-F35CR2K
P8798
PL34020101000GJDD
PSU10865
PCL-201D1SP000
PLC-0760-220S
PSD913G3-90JI
PTVS33VS1UR
PL34120191000GJDG
PSD8143V90MT
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
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    PMBS3906
    -
    -
    -
    -
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22+
32222
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6852
SOT23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
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NXP/恩智浦
1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
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1926+
28562
SOT-23
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
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NXP
2019
19700
SOT23
INFINEON品牌专业 原装优质
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PHI
2019
19850
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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NXP
2019
36000
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