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PMBFJ620
双N沟道科幻场效晶体管
版本01 - 2004年5月11日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
两个N沟道对称结音响场效晶体管中的一个SOT363封装。
小心
该器件对静电放电（ ESD ）很敏感。因此应注意
在运输和装卸。
MSC895
1.2产品特点
s
s
s
s
两个网络连接场效晶体管在单个封装中
低噪音
漏极和源极连接的互换性
高增益。
1.3应用
s
在汽车收音机的AM输入级
s
甚高频放大器器
s
振荡器和混频器。
1.4快速参考数据
表1：
每FET
V
DS
V
GSoff
I
DSS
P
合计
y
fs
漏源电压
栅极 - 源极截止
电压
漏电流
总功率
耗散
正向传递
导纳
V
DS
= 10 V ;我
D
= 1
A
V
GS
= 0 V; V
DS
= 10 V
T
s
≤
90
°C
V
DS
= 10 V;
I
D
= 10毫安
-
2
24
-
10
-
-
-
-
-
±25
6.5
60
190
-
V
V
mA
mW
mS
快速参考数据
条件
民
典型值
最大
单位
符号参数
飞利浦半导体
PMBFJ620
双N沟道科幻场效晶体管
2.管脚信息
表2：
针
1
2
3
4
5
6
离散管脚信息
描述
源（1）
源（2）
门（2）
漏（2）
漏（1）
门（1）
1
2
3
SOT363
简化的轮廓
6
5
4
符号
5
1
4
2
sym034
6
3
3.订购信息
表3：
订购信息
包
名字
PMBFJ620
-
描述
塑料表面贴装封装; 6引线
VERSION
SOT363
类型编号
4.标记
表4：
PMBFJ620
[1]
* = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
记号
标识代码
[1]
A8*
类型编号
9397 750 13006
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产品数据表
版本01 - 2004年5月11日
2 13
飞利浦半导体
PMBFJ620
双N沟道科幻场效晶体管
5.极限值
表5：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每FET
V
DS
V
GSO
V
GDO
I
G
P
合计
T
英镑
T
j
漏源电压
栅源电压
漏极 - 栅极电压
正向栅极电流（DC）的
总功耗
储存温度
结温
T
s
≤
90
°C
漏极开路
开源
-
-
-
-
-
65
-
±25
25
25
50
190
+150
150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
参数
条件
民
最大
单位
6.热特性
表6：
符号
R
日（ J- S）
热特性
参数
条件
[1]
[1]
典型值
315
160
单位
K / W
K / W
从结单装热电阻
焊接点
双装
[1]
T
s
是在栅极管脚的焊接点的温度，见
图1 。
400
P
合计
（ mW）的
300
(1)
001aaa742
200
(2)
100
0
0
50
100
150
T
s
(°C)
200
（ 1）双击加载。
（ 2）单装。
图1.功率降额曲线。
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版本01 - 2004年5月11日
3 13
飞利浦半导体
PMBFJ620
双N沟道科幻场效晶体管
7.静态特性
表7：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每FET
V
（ BR ） GSS
V
GSoff
V
GSS
I
DSS
I
GSS
R
DSON
y
fs
y
os
栅源击穿
电压
栅极 - 源极截止电压
门源正向电压
漏极 - 源极漏电流
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
常见的来源前进
转移导纳
共源输出
导纳
I
G
=
1 A;
V
DS
= 0 V
I
D
= 1
A;
V
DS
= 10 V
I
G
= 1毫安; V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0 V
V
GS
=
15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 100 mV的
I
D
= 10毫安; V
DS
= 10 V
I
D
= 10毫安; V
DS
= 10 V
25
2
-
24
-
-
10
-
-
-
-
-
-
50
-
-
-
6.5
1
60
1
-
-
250
V
V
V
mA
nA
mS
S
参数
条件
民
典型值
最大
单位
8.动态特性
表8：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每FET
C
国际空间站
C
RSS
g
is
g
fs
g
rs
g
os
V
n
输入电容
反向传输电容
共源输入
导
普通电源切换
导
共源反向
导
共源输出
导
V
DS
= 10 V; V
GS
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
AMB
= 25
°C
V
DS
= 0 V; V
GS
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安; F = 100 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安; F = 450 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安; F = 100 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安; F = 450 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安; F = 100 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安; F = 450 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安; F = 100 MHz的
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安; F = 450 MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
3
6
1.3
200
3
13
12
30
450
150
400
6
5
-
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
pF
pF
pF
S
mS
mS
mS
S
S
S
S
纳伏/赫兹÷
参数
条件
民
典型值
最大
单位
等效输入噪声电压V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安; F = 100赫兹
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PMBFJ620
双N沟道科幻场效晶体管
50
I
DSS
（MA ）
40
mcd220
20
y
fs
（女士）
16
mcd219
30
12
20
8
10
4
0
0
1
2
3
4
V
GSoff
(V)
0
0
2
4
6
8
V
GSoff
(V)
V
DS
= 10 V ;牛逼
j
= 25
°C.
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安;牛逼
j
= 25
°C.
图2.漏电流的栅源极间的函数
截止电压;典型值。
图3.常见的源远期转移导纳为
栅极 - 源极截止电压的函数;
典型值。
mcd222
150
g
os
(S)
mcd221
80
R
DSON
()
60
100
40
50
20
0
0
1
2
3
V
GSoff
(V)
4
0
0
1
2
3
4
V
GSoff
(V)
V
DS
= 10 V ;我
D
= 10毫安;牛逼
j
= 25
°C.
V
DS
= 100 mV的; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 25
°C.
图4.共源输出电导为
栅极 - 源极截止电压的函数;典型
值。
图5.漏源导通电阻的函数
的栅极 - 源极截止电压;典型值。
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