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PMBFJ111 ; PMBFJ112 ;
PMBFJ113
N沟道FET的结
第4版 - 2011年9月20日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
对称N沟道FET的结在SOT23封装。
SO
T2
3
1.2特点和优点
高速开关
漏极和源极连接的互换性
低R
DSON
在零栅极电压( < 30
对于PMBFJ111 ) 。
1.3应用
模拟开关
菜刀
换向器
多路复用器
薄,厚膜混合动力汽车。
2.管脚信息
表1中。
1
2
3
钉扎
描述
[1]
来源
1
2
3
简化的轮廓
3
符号
1
2
sym053
[1]
漏极和源是可以互换的。
恩智浦半导体
PMBFJ111 ; PMBFJ112 ; PMBFJ113
N沟道FET的结
3.订购信息
表2中。
订购信息
名字
PMBFJ111
PMBFJ112
PMBFJ113
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表3中。
PMBFJ111
PMBFJ112
PMBFJ113
[1]
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
记号
标识代码
[1]
41*
42*
47*
类型编号
5.极限值
表4 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
DS
V
GSO
V
GDO
I
G
P
合计
T
英镑
T
j
[1]
参数
漏极 - 源极电压(直流)
栅源电压
栅 - 漏电压
正向栅极电流(DC)的
总功耗
储存温度
结温
条件
-
-
-
-
最大
40
40
40
50
300
+150
150
单位
V
V
V
mA
mW
C
C
T
AMB
= 25
C
[1]
-
65
-
安装在陶瓷基板上, 8毫米
10 mm
0.7 mm.
6.热特性
表5 。
热特性
T
j
= P(R&
日( J- T)
+ R
日(T -S )
+ R
第(S -a)的
) + T
AMB
.
符号
R
号(j -a)的
参数
从结点到环境的热阻
从结点到环境的热阻
[1]
[2]
安装在陶瓷基板上, 8毫米
10 mm
0.7 mm.
安装在印刷电路板上。
条件
[1]
[2]
典型值
430
500
单位
K / W
K / W
PMBFJ111_112_113
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产品数据表
第4版 - 2011年9月20日
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恩智浦半导体
PMBFJ111 ; PMBFJ112 ; PMBFJ113
N沟道FET的结
7.静态特性
表6 。
静态特性
T
j
= 25
C.
符号
I
GSS
I
DSS
参数
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
PMBFJ111
PMBFJ112
PMBFJ113
V
( BR ) GSS
V
GSoff
栅源击穿电压
栅极 - 源极截止电压
PMBFJ111
PMBFJ112
PMBFJ113
R
DSON
漏源导通电阻
PMBFJ111
PMBFJ112
PMBFJ113
V
GS
= 0 V; V
DS
= 0.1 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 0.1 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 0.1 V
-
-
-
-
-
-
30
50
100
I
D
= 1
A;
V
DS
= 5 V
I
D
= 1
A;
V
DS
= 5 V
I
D
= 1
A;
V
DS
= 5 V
10
5
3
-
-
-
3
1
0.5
V
V
V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 15 V
V
GS
= 0 V; V
DS
= 15 V
I
G
=
1 A;
V
DS
= 0 V
20
5
2
40
-
-
-
-
-
-
-
-
mA
mA
mA
V
条件
V
GS
=
15
V; V
DS
= 0 V
-
典型值
-
最大
1
单位
nA
8.动态特性
表7中。
符号
C
国际空间站
C
RSS
t
r
t
on
t
f
t
关闭
[1]
动态特性
参数
输入电容
反馈电容
上升时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
[1]
[1]
[1]
[1]
条件
V
DS
= 0 V; V
GS
=
10
V ; F = 1 MHz的
V
DS
= 0 V; V
GS
= 0 V ; F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
C
-
-
-
-
-
-
-
典型值
6
22
3
6
13
15
35
最大
-
28
-
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
开关时间;看
图2
是测试条件为开关时间如下:
V
DD
= 10 V, V
GS
= 0 V到V
GSoff
(所有类型) ;
V
GSoff
=
12
V ,R
L
= 750
(PMBFJ111);
V
GSoff
=
7
V ,R
L
= 1550
(PMBFJ112);
V
GSoff
=
5
V ,R
L
= 3150
(PMBFJ113).
PMBFJ111_112_113
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恩智浦半导体
PMBFJ111 ; PMBFJ112 ; PMBFJ113
N沟道FET的结
V
DD
10 nF的
50
Ω
10
μF
RL
1
μF
DUT
采样
范围
50
Ω
50
Ω
mbk289
图1 。
开关电路。
V
GS
= 0 V
10%
V
i
V
GS关闭
90%
t
关闭
t
s
90%
V
o
10%
mbk294
t
on
t
f
t
d
t
r
图2 。
输入和输出波形。
PMBFJ111_112_113
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恩智浦半导体
PMBFJ111 ; PMBFJ112 ; PMBFJ113
N沟道FET的结
9.封装外形
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT23
D
B
E
A
X
HE
v
M
A
3
Q
A
A1
1
e1
e
bp
2
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
1.1
0.9
A
1
马克斯。
0.1
b
p
0.48
0.38
c
0.15
0.09
D
3.0
2.8
E
1.4
1.2
e
1.9
e
1
0.95
H
E
2.5
2.1
L
p
0.45
0.15
Q
0.55
0.45
v
0.2
w
0.1
概要
VERSION
SOT23
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-236AB
JEITA
欧洲
投影
发行日期
04-11-04
06-03-16
图3 。
封装外形。
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PMBFJ111_112_113
产品数据表
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PMBFJ112-215
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
PMBFJ112-215
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