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分立半导体

数据表

PMBF107

N沟道增强模式

垂直的D- MOS晶体管

产品speci fi cation

在分离式半导体， SC13b文件

1995年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

特点

直接连接C-MOS ， TTL ，

等等

高速开关

无二次击穿。

描述

N沟道增强模式

采用SOT23垂直D- MOS晶体管

信封和拟用作一个

线路电流断续的电话

集和用于中继的应用，

高速和线路变压器

驱动程序。

钉扎 - SOT23

针

门

来源

漏

顶视图

MSB003

PMBF107

快速参考数据

符号

DS （ ON）

GS （ TH）

参数

漏源电压

漏电流

漏源导通电阻

门源阈值电压

DC值

= 20毫安

= 2.6 V

= 1毫安

= V

条件

MAX 。 UNIT

200

100

2.4

引脚配置

ndbook ， halfpage

手册， 2列

描述

MBB076 - 1

Fig.1简化外形和符号。

1995年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

极限值

按照绝对最大系统（IEC 134）。

符号

±V

GSO

合计

英镑

记

1.装置安装在FR4 printboard 。

热阻

符号

日J-一

记

1.装置安装在FR4 printboard 。

参数

从结点到环境（注1 ）

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

总功耗

存储温度范围

结温

漏极开路

DC值

峰值

AMB

= 25

°C

（注1 ）

条件

分钟。

PMBF107

马克斯。

200

100

250

150

单位

°C

价值

500

单位

K / W

1995年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） DSS

DSS

DSX

±I

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

漏极 - 源极漏电流

排水截止电流

栅极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

条件

= 10

= 0

= 130 V

= 0

= 70 V

= 0.2 V

±V

= 15 V

= 0

= 1毫安

= V

= 20毫安

= 2.6 V

= 150毫安

= 10 V

国际空间站

转移导纳

输入电容

= 250毫安

= 15 V

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

分钟。

200

0.8

PMBF107

典型值。马克斯。单位

180

2.4

OSS

输出电容

RSS

反馈电容

开关时间（见图

和

开启时间

= 250毫安

= 50 V

= 0到10伏

= 200毫安

= 50 V

= 0到10伏

关闭

打开-O FF时间

1995年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

PMBF107

手册， halfpage

VDD = 50 V

手册， halfpage

90 %

输入

10 %

10 V

MSA631

90 %

产量

10 %

吨

花花公子

MBB692

图2开关时间测试电路。

图3的输入和输出波形。

手册， halfpage

300

MDA782

手册， halfpage

300

MDA783

P合计

（ mW）的

200

（MA ）

200

VGS = 10 V

100

200

150

TAMB （ ° C）

VDS （ V）

图4功率降额曲线。

图5典型的输出特性;牛逼

= 25

°C.

1995年4月

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