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PMBD914
单个高速开关二极管
牧师06 - 2009年2月11日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单个高速开关二极管,编造平面技术,并封装在一个
小型表面贴装器件( SMD )塑料封装。
表1中。
产品概述
恩智浦
PMBD914
PMBD914/DG
[1]
/ DG:不含卤素的
类型编号
[1]
JEDEC
TO-236AB
SOT23
1.2产品特点
I
高开关速度:吨
rr
4纳秒
I
低漏电流
I
反向重复峰值电压:
V
RRM
100 V
I
低电容:C
d
1.5 pF的
I
反向电压: V
R
100 V
I
小型SMD塑料包装
1.3应用
I
高速开关
1.4快速参考数据
表2中。
符号
I
F
V
R
t
rr
[1]
[2]
快速参考数据
参数
正向电流
反向电压
反向恢复时间
[2]
条件
[1]
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
215
100
4
单位
mA
V
ns
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安。
恩智浦半导体
PMBD914
单个高速开关二极管
2.管脚信息
表3中。
1
2
3
钉扎
描述
阳极
没有连接
阴极
1
2
3
1
3
2
006aaa764
简化的轮廓
图形符号
3.订购信息
表4 。
订购信息
名字
PMBD914
PMBD914/DG
[1]
/ DG:不含卤素的
类型编号
[1]
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
-
4.标记
表5 。
PMBD914
PMBD914/DG
[1]
* = - :香港制造
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
标记代码
标识代码
[1]
*5D
YB *
类型编号
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值
电压
反向电压
正向电流
正向重复峰值
当前
非重复性峰值正向
当前
方波
t
p
= 1
s
t
p
= 1毫秒
t
p
= 1 s
PMBD914_6
条件
-
-
[1]
最大
100
100
215
500
单位
V
V
mA
mA
-
-
[2]
-
-
-
4
1
0.5
A
A
A
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年2月11日
2 10
恩智浦半导体
PMBD914
单个高速开关二极管
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
合计
T
j
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
总功耗
结温
储存温度
条件
T
AMB
25
°C
[1][3]
-
-
65
最大
250
150
+150
单位
mW
°C
°C
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
T
j
= 25
°C
前激增。
焊接点阴极标签。
6.热特性
表7中。
符号
R
号(j -a)的
R
日( J- T)
[1]
[2]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结绑点
条件
在自由空气
[1]
-
-
典型值
-
-
最大
500
330
单位
K / W
K / W
[2]
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
焊接点阴极标签。
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
I
R
反向电流
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 75 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
V
FR
[1]
[2]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[1]
[2]
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
715
855
1
1.25
25
1
30
50
1.5
4
1.75
单位
mV
mV
V
V
nA
A
A
A
pF
ns
V
二极管电容
反向恢复时间
正向恢复电压
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安。
从我开机时,
F
= 10毫安;牛逼
r
= 20纳秒。
PMBD914_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年2月11日
3 10
恩智浦半导体
PMBD914
单个高速开关二极管
300
I
F
(MA )
(1)
(2)
(3)
mbg382
10
2
I
FSM
(A)
10
mbg704
200
100
1
0
10
1
0
1
V
F
(V)
2
1
10
10
2
10
3
t
p
(s)
10
4
(1) T
AMB
= 150
°C;
典型值
(2) T
AMB
= 25
°C;
典型值
(3) T
AMB
= 25
°C;
最大值
基于方波电流。
T
j
= 25
°C;
暴涨前
图1 。
正向电流为正向功能
电压
mga884
图2 。
非重复性峰值正向电流为
的脉冲持续时间的功能;最大值
mbg446
10
5
0.8
C
d
(PF )
I
R
( nA的)
10
4
(1)
0.6
10
3
(2)
0.4
(3)
10
2
0.2
10
0
0
100
T
j
(
°C
)
200
0
4
8
12
V
R
(V)
16
(1) V
R
= 75 V ;最大值
(2) V
R
= 75 V ;典型值
(3) V
R
= 25 V ;典型值
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图3 。
反向电流交界处的函数
温度
图4 。
二极管电容反向的函数
电压;典型值
PMBD914_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年2月11日
4 10
恩智浦半导体
PMBD914
单个高速开关二极管
250
I
F
(MA )
200
msa562
150
100
50
0
0
50
100
150
200
T
AMB
(°C)
FR4 PCB,标准的足迹
图5 。
正向电流为环境温度的函数;降额曲线
8.测试信息
t
r
D.U.T.
R
S
= 50
V = V
R
+
I
F
×
R
S
I
F
采样
示波器
R
i
= 50
V
R
mga881
t
p
t
10 %
+
I
F
TRR
t
90 %
输入信号
输出信号
(1)
(1) I
R
= 1毫安
图6 。
反向恢复时间测试电路和波形
I
1 k
450
I
90 %
V
R
S
= 50
D.U.T.
示波器
R
i
= 50
10 %
t
t
r
t
p
输入信号
VFR
t
输出信号
mga882
图7 。
正向恢复电压的测试电路和波形
PMBD914_6
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师06 - 2009年2月11日
5 10
PMBD914
单个高速开关二极管
牧师05 - 2007年11月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
单个高速开关二极管,编造平面技术,并封装在一个
SOT23封装( TO- 236AB )小型表面贴装器件( SMD )塑料封装。
1.2产品特点
I
高开关速度:吨
rr
4纳秒
I
低漏电流
I
反向重复峰值电压:
V
RRM
100 V
I
低电容:C
d
1.5 pF的
I
反向电压: V
R
100 V
I
小型SMD塑料包装
1.3应用
I
高速开关
1.4快速参考数据
表1中。
符号
I
F
V
R
t
rr
[1]
[2]
快速参考数据
参数
正向电流
反向电压
反向恢复时间
[2]
条件
[1]
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
215
100
4
单位
mA
V
ns
设备安装在一FR4印刷电路板(PCB) ,单面铜,镀锡和标准
足迹。
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安。
恩智浦半导体
PMBD914
单个高速开关二极管
2.管脚信息
表2中。
1
2
3
钉扎
描述
阳极
没有连接
阴极
1
2
3
1
3
2
006aaa764
简化的轮廓
符号
3.订购信息
表3中。
订购信息
名字
PMBD914
-
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
VERSION
SOT23
类型编号
4.标记
表4 。
PMBD914
[1]
* = - :香港制造
* = P :香港制造
* = T:在马来西亚
* = W :中国制造
标记代码
标识代码
[1]
*5D
类型编号
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值
电压
反向电压
正向电流
正向重复峰值
当前
非重复性峰值正向
当前
方波
t
p
= 1
s
t
p
= 1毫秒
t
p
= 1 s
[2]
[1]
条件
-
-
-
-
最大
100
100
215
500
单位
V
V
mA
mA
-
-
-
4
1
0.5
A
A
A
PMBD914_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年11月26日
2 10
恩智浦半导体
PMBD914
单个高速开关二极管
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
P
合计
T
j
T
英镑
[1]
[2]
[3]
参数
总功耗
结温
储存温度
条件
T
AMB
25
°C
[1][3]
-
-
65
最大
250
150
+150
单位
mW
°C
°C
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
T
j
= 25
°C
前激增。
焊接点阴极标签。
6.热特性
表6 。
符号
R
号(j -a)的
R
日( J- T)
[1]
[2]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结绑点
条件
在自由空气
[1]
-
-
典型值
-
-
最大
500
330
单位
K / W
K / W
[2]
设备安装在一FR4 PCB ,单面铜,镀锡和标准的足迹。
焊接点阴极标签。
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
I
R
反向电流
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 75 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
V
FR
[1]
[2]
-
-
-
-
-
-
-
-
-
[1]
[2]
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
715
855
1
1.25
25
1
30
50
1.5
4
1.75
单位
mV
mV
V
V
nA
A
A
A
pF
ns
V
二极管电容
反向恢复时间
正向恢复电压
F = 1兆赫; V
R
= 0 V
-
-
从我开机时,
F
= 10 mA至我
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安。
从我开机时,
F
= 10毫安;牛逼
r
= 20纳秒。
PMBD914_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年11月26日
3 10
恩智浦半导体
PMBD914
单个高速开关二极管
300
I
F
(MA )
(1)
(2)
(3)
mbg382
10
2
I
FSM
(A)
10
mbg704
200
100
1
0
10
1
0
1
V
F
(V)
2
1
10
10
2
10
3
t
p
(s)
10
4
(1) T
AMB
= 150
°C;
典型值
(2) T
AMB
= 25
°C;
典型值
(3) T
AMB
= 25
°C;
最大值
基于方波电流。
T
j
= 25
°C;
暴涨前
图1.正向电流为正向功能
电压
mga884
图2.非重复性峰值正向电流为
的脉冲持续时间的功能;最大值
mbg446
10
5
0.8
C
d
(PF )
I
R
( nA的)
10
4
(1)
0.6
10
3
(2)
0.4
(3)
10
2
0.2
10
0
0
100
T
j
(
°C
)
200
0
4
8
12
V
R
(V)
16
(1) V
R
= 75 V ;最大值
(2) V
R
= 75 V ;典型值
(3) V
R
= 25 V ;典型值
F = 1兆赫;牛逼
AMB
= 25
°C
图3.反向电流交界处的函数
温度
图4.二极管电容反向的函数
电压;典型值
PMBD914_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年11月26日
4 10
恩智浦半导体
PMBD914
单个高速开关二极管
250
I
F
(MA )
200
msa562
150
100
50
0
0
50
100
150
200
T
AMB
(°C)
FR4 PCB,标准的足迹
图5.正向电流为环境温度的函数;降额曲线
8.测试信息
t
r
D.U.T.
R
S
= 50
V = V
R
+
I
F
×
R
S
I
F
采样
示波器
R
i
= 50
V
R
mga881
t
p
t
10 %
+
I
F
TRR
t
90 %
输入信号
输出信号
(1)
(1) I
R
= 1毫安
图6.反向恢复时间测试电路和波形
I
1 k
450
I
90 %
V
R
S
= 50
D.U.T.
示波器
R
i
= 50
10 %
t
t
r
t
p
输入信号
VFR
t
输出信号
mga882
图7.正向恢复电压测试电路和波形
PMBD914_5
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2007年11月26日
5 10
分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D088
PMBD914
高速二极管
产品speci fi cation
取代1996年的数据09月18日
1999年5月11日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
特点
小型塑料SMD封装
高开关速度:最大。 4纳秒
连续反向电压:
最大。 70 V
反向重复峰值电压:
最大。 85 V
重复峰值正向电流:
最大。 500毫安
反向恢复时间:最大。 4纳秒。
2
北卡罗来纳州
手册, halfpage
2
PMBD914
描述
该PMBD914是一个高速
开关二极管编造平面
技术,并且封装在
小型SOT23塑料SMD封装。
钉扎
1
2
3
描述
阳极
没有连接
阴极
1
1
3
应用
高速开关的厚
薄膜电路。
3
标识代码:
P5D =香港制造; T5D =在马来西亚进行。
MAM185
Fig.1简化外形( SOT23 )和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
RRM
V
R
I
F
I
FRM
I
FSM
参数
反向重复峰值电压
连续反向电压
连续正向电流
重复峰值正向电流
非重复性峰值正向
当前
方波;牛逼
j
= 25
°C
之前
浪涌;见图4
t = 1
s
T = 1毫秒
t=1s
P
合计
T
英镑
T
j
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C;
注1
65
4
1
0.5
250
+150
150
A
A
A
mW
°C
°C
注意1 ;见图2
条件
分钟。
马克斯。
85
70
215
500
V
V
mA
mA
单位
1999年5月11日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
参数
正向电压
看科幻G.3
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
I
R
反向电流
见图5
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V ;牛逼
j
= 150
°C
V
R
= 75 V ;牛逼
j
= 150
°C
C
d
t
rr
二极管电容
反向恢复时间
F = 1兆赫; V
R
= 0;见图6
从我开机时,
F
= 10 mA至
I
R
= 10毫安;
L
= 100
;
测量我
R
= 1毫安;见图7
从我开机时,
F
= 10毫安;
t
r
= 20纳秒;参见图8
25
1
30
50
1.5
4
715
855
1
1.25
条件
马克斯。
PMBD914
单位
mV
mV
V
V
nA
A
A
A
pF
ns
V
fr
正向恢复电压
1.75
V
热特性
符号
R
日J- TP
R
日J-一
1.装置安装在一FR4印刷电路板。
参数
从结热阻,以配合点
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
330
500
单位
K / W
K / W
1999年5月11日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
图形数据
PMBD914
MSA562 -1
250
IF
(MA )
200
手册, halfpage
300
MBG382
IF
(MA )
(1)
(2)
(3)
200
150
100
100
50
0
0
50
100
150
200
TAMB (
o
C)
0
0
1
VF ( V)
2
设备安装在一FR4印刷电路板。
(1) T
j
= 150
°C;
典型值。
(2) T
j
= 25
°C;
典型值。
(3) T
j
= 25
°C;
最大值。
Fig.2
允许的最大持续前进
电流作为环境的函数
温度。
Fig.3
正向电流为正向功能
电压。
10
2
手册,全页宽
IFSM
(A)
MBG704
10
1
10
1
1
基于方波电流。
T
j
= 25
°C
前激增。
10
10
2
10
3
TP (微秒)
10
4
图4最大允许非重复峰值正向电流的脉冲持续时间的函数。
1999年5月11日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
高速二极管
PMBD914
10
5
IR
( nA的)
10
4
MGA884
手册, halfpage
0.8
MBG446
Cd
(PF )
V R = 75 V
0.6
10
3
最大
75 V
0.4
10
2
25 V
0.2
典型值
典型值
10
0
100
T J ( ℃)
200
0
4
8
12
VR ( V)
16
0
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.5
反向电流交界处的函数
温度。
Fig.6
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
1999年5月11日
5
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