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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第182页 > PM39LV020-70JCE
PMC
特点
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
512千位/为1Mbit /兆比特/ 4Mbit的3.0伏只CMOS闪存
单电源工作
- 低电压范围: 2.7 V - 3.6 V
存储结构
- Pm39LV512 : 64K ×8 ( 512千位)
- Pm39LV010 : 128K ×8 ( 1兆位)
- Pm39LV020 : 256K ×8 ( 2兆)
- Pm39LV040 : 512K ×8 ( 4兆位)
高性能读
- 55/70 ns访问时间
性价比高的扇区/块架构
- 统一4K字节扇区
- 统一的64字节块(部门小组 - 除了
Pm39LV512)
数据#投票和切换位特点
硬件数据保护
自动擦除和字节编程
- 内建自动程序验证
-
典型的16微秒/字节编程时间
- 典型的55毫秒部门/块/片擦除时间
低功耗
- 典型4毫安有效的读电流
- 典型8毫安编程/擦除电流
- 典型0.1 μA CMOS待机电流
高产品耐用性
- 保证10万次编程/擦除周期的每
单个扇区(初步)
- 至少20年的数据保存
工业标准引脚输出和包装
- 32针(8毫米× 14毫米) VSOP
- 32引脚PLCC
- 可选无铅(无铅)封装
概述
该Pm39LV512 / 010 / 020 / 040顷512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位3.0伏,只有闪存。这些设备是
设计成使用一个单一的低电压,范围从2.7伏到3.6伏,电源以执行读取,擦除和
编程操作。 12.0伏V
PP
不需要编程和擦除操作的电源。该器件
可同时编程标准EPROM编程器。
Pm39LV512的存储器阵列的数据或代码存储器划分成均匀的4千字节扇区。内存
Pm39LV010 / 020 / 040的阵列分成均匀的4字节的扇区或统一的64字节块(行业团体 -
由16相邻扇区) 。扇区或块擦除功能使用户能够灵活地抹去记忆
面积小到4千字节或大至64千字节由一个单一的擦除操作,而不影响其他的数据。
该芯片擦除功能使整个存储阵列在一个单一的擦除操作被删除。该设备可以
要执行擦除操作之后编程上的逐字节的基础。
该器件具有一个标准的微处理器接口以及一个JEDEC标准引脚输出/命令集。该
程序运行时通过发出程序指令代码到命令寄存器执行。内部控制
逻辑自动处理的编程电压斜坡上升和定时。擦除操作是通过执行
发出芯片擦除,块或扇区擦除命令代码到命令寄存器。内部控制逻辑
自动处理的擦除电压斜坡上升和定时。阵列上的预编程而尚未
编程擦除操作之前并不需要。该器件提供数据#查询和翻转位功能外,
进展或计划完成和擦除操作可通过读取数据#查询上的I / O 7或待检测
在I / O6触发位。
该Pm39LV512 / 010 / 020 / 040顷对PMC先进的非易失性CMOS技术,P -FLASH 制造的。
该器件采用32引脚VSOP和PLCC封装的55和70 ns访问时间。
可编程微电子股份有限公司
1
发行日期: 2003年12月修订版: 1.2
PMC
连接图
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
39LV040
WE#
WE#
WE# WE#
A16
A12
A15
A18
39LV020
V
CC
A12
A15
A16
39LV512 39LV010
A12
A15
A16
NC
V
CC
V
CC
NC
A12
A15
NC
NC
V
CC
39LV040 39LV020 39LV010 39LV512
NC
NC
A17
A17
39LV512 39LV010 39LV020 39LV040
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
39LV512
4
3
2
1
32
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30
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26
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24
23
22
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A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
I/O7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
I/O7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
I/O7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
I/O7
15
I/O2
16
GND
17
I/O3
18
I/O4
19
I/O5
I/O5
I/O5
I/O5
20
I/O6
I/O6
I/O6
I/O6
39LV010
I/O1
I/O1
I/O3
I/O3
I/O3
39LV020
GND
I/O1
GND
I/O2
39LV040
I/O1
I/O2
32引脚PLCC
39LV040
39LV020
39LV010
39LV512
GND
I/O2
I/O4
I/O4
I/O4
39LV512
39LV010
39LV020
39LV040
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
NC
A16
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A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
V
CC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
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A13
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NC
WE#
V
CC
NC
NC
A15
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A7
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1
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21
20
19
18
17
OE #
A10
CE#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
32引脚VSOP
可编程微电子股份有限公司
2
发行日期: 2003年12月修订版: 1.2
PMC
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
产品订购信息
Pm39LV0x0
-70
J
C
E
环境属性
E =无铅(无铅)封装
空白=标准包装
温度范围
C =商用( 0 ° C至+ 70 ° C)
套餐类型
J = 32引脚塑封J引线芯片载体( 32J )
V = 32引脚薄型小尺寸封装
( VSOP - 8毫米×14 MM) ( 32V )
速度选项
PMC设备号
Pm39LV512 ( 512千位)
Pm39LV010 ( 1兆位)
Pm39LV020 ( 2兆)
Pm39LV040 ( 4兆)
产品型号
Pm39LV512-70JCE
32J
Pm39LV512-70JC
70
Pm39LV512-70VCE
32V
Pm39LV512-70VC
Pm39LV010-70JCE
32J
Pm39LV010-70JC
70
Pm39LV010-70VCE
32V
Pm39LV010-70VC
Pm39LV020-70JCE
32J
Pm39LV020-70JC
70
Pm39LV020-70VCE
32V
Pm39LV020-70VC
Pm39LV040-70JCE
32J
Pm39LV040-70JC
70
Pm39LV040-70VCE
32V
Pm39LV040-70VC
可编程微电子股份有限公司
t
(纳秒)
P ackag ê
温度范围
广告
( 0 ° C至+ 70 ° C)
3
发行日期: 2003年12月修订版: 1.2
PMC
引脚说明
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
符号
A0 - A
MS(1)
TYPE
输入
描述
地址输入:对于内存地址的输入。地址是内部
在写周期期间锁存, WE#的下降沿。
芯片使能: CE #变低激活设备的内部设计电路的
设备的操作。 CE#变高释放器件和开关进
待机模式以减少电力消耗。
写使能:激活设备进行写操作。 WE#为低电平有效。
输出使能:在读周期控制设备的输出缓冲器。 OE #
为有效低电平。
数据输入/输出:输入命令/在写周期或输出数据数据
在一个读周期。在I / O引脚浮到三态时, OE #被禁用。
器件电源
无连接
权证#
输入
WE#
OE #
I / O0 - I / O7
V
CC
GND
NC
注意:
输入
输入
输入/
产量
1. A
MS
是最显著地址,其中A
MS
= A15的Pm39LV512 , A16为Pm39LV010 , A17的
Pm39LV020和A18的Pm39LV040 。
可编程微电子股份有限公司
4
发行日期: 2003年12月修订版: 1.2
PMC
框图
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
擦除/编程
电压
发电机
I/O0-I/O7
I / O缓冲器
高压
开关
WE#
CE#
OE #
命令
注册
CE, OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
地址
LATCH
y解码器
X解码器
Y型GATING
内存
ARRAY
A0-A
M传
设备操作
读操作
Pm39LV512的/接入010 / 020 / 040顷相似
EPROM 。读取数据,三种控制功能必须
满意:
CE#为芯片使能,应该被拉低
( V
IL
).
OE#为输出使能和应拉
低(V
IL
).
WE #是写使能,并应保持高电平
( V
IH
)
.
产品标识
产品标识模式可以被用来识别
的制造商,设备通过硬件或
软件读取ID操作。见表1 PMC制造
商ID和设备ID 。硬件ID模式被激
通过施加12.0伏A9销上氧基团,通常使用
由外部程序员选择合适的亲
编程算法中的设备。参考表2为
公交车运行模式。软件ID模式被激
通过三总线周期命令氧基团。请参阅表3
软件命令定义。
可编程微电子股份有限公司
字节编程
编程为四个总线周期操作和
数据被编程到设备(为逻辑“0”)上
一个逐字节的基础。表3列出了软件的COM
命令定义。程序运行时通过写激活
荷兰国际集团的三字节指令序列后亲
克地址和程序数据的一个字节到
设备。地址被锁存下降沿
的WE#或以后到为准CE #和数据
锁存WE#或CE #上升沿为准
先发生。内部控制逻辑自动
处理内部的编程电压和定时。
一个数据“0”不能编程回一个“1”。只
擦除操作可以转换的多个“0”到“1” 。数据#
投票在I / O7或I / O6切换位可以用来
检测程序循环的进度或完成。
5
发行日期: 2003年12月修订版: 1.2
PMC
特点
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
512千位/为1Mbit /兆比特/ 4Mbit的3.0伏只CMOS闪存
单电源工作
- 低电压范围: 2.7 V - 3.6 V
存储结构
- Pm39LV512 : 64K ×8 ( 512千位)
- Pm39LV010 : 128K ×8 ( 1兆位)
- Pm39LV020 : 256K ×8 ( 2兆)
- Pm39LV040 : 512K ×8 ( 4兆位)
高性能读
- 55/70 ns访问时间
性价比高的扇区/块架构
- 统一4K字节扇区
- 统一的64字节块(部门小组 - 除了
Pm39LV512)
数据#投票和切换位特点
硬件数据保护
自动擦除和字节编程
- 内建自动程序验证
-
典型的16微秒/字节编程时间
- 典型的55毫秒部门/块/片擦除时间
低功耗
- 典型4毫安有效的读电流
- 典型8毫安编程/擦除电流
- 典型0.1 μA CMOS待机电流
高产品耐用性
- 保证10万次编程/擦除周期的每
单个扇区(初步)
- 至少20年的数据保存
工业标准引脚输出和包装
- 32针(8毫米× 14毫米) VSOP
- 32引脚PLCC
- 可选无铅(无铅)封装
概述
该Pm39LV512 / 010 / 020 / 040顷512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位3.0伏,只有闪存。这些设备是
设计成使用一个单一的低电压,范围从2.7伏到3.6伏,电源以执行读取,擦除和
编程操作。 12.0伏V
PP
不需要编程和擦除操作的电源。该器件
可同时编程标准EPROM编程器。
Pm39LV512的存储器阵列的数据或代码存储器划分成均匀的4千字节扇区。内存
Pm39LV010 / 020 / 040的阵列分成均匀的4字节的扇区或统一的64字节块(行业团体 -
由16相邻扇区) 。扇区或块擦除功能使用户能够灵活地抹去记忆
面积小到4千字节或大至64千字节由一个单一的擦除操作,而不影响其他的数据。
该芯片擦除功能使整个存储阵列在一个单一的擦除操作被删除。该设备可以
要执行擦除操作之后编程上的逐字节的基础。
该器件具有一个标准的微处理器接口以及一个JEDEC标准引脚输出/命令集。该
程序运行时通过发出程序指令代码到命令寄存器执行。内部控制
逻辑自动处理的编程电压斜坡上升和定时。擦除操作是通过执行
发出芯片擦除,块或扇区擦除命令代码到命令寄存器。内部控制逻辑
自动处理的擦除电压斜坡上升和定时。阵列上的预编程而尚未
编程擦除操作之前并不需要。该器件提供数据#查询和翻转位功能外,
进展或计划完成和擦除操作可通过读取数据#查询上的I / O 7或待检测
在I / O6触发位。
该Pm39LV512 / 010 / 020 / 040顷对PMC先进的非易失性CMOS技术,P -FLASH 制造的。
该器件采用32引脚VSOP和PLCC封装的55和70 ns访问时间。
可编程微电子股份有限公司
1
发行日期: 2003年12月修订版: 1.2
PMC
连接图
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
39LV040
WE#
WE#
WE# WE#
A16
A12
A15
A18
39LV020
V
CC
A12
A15
A16
39LV512 39LV010
A12
A15
A16
NC
V
CC
V
CC
NC
A12
A15
NC
NC
V
CC
39LV040 39LV020 39LV010 39LV512
NC
NC
A17
A17
39LV512 39LV010 39LV020 39LV040
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
A7
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A5
A4
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A2
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I/O0
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I/O0
A7
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A0
I/O0
5
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7
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9
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39LV512
4
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32
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A14
A13
A8
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A11
OE #
A10
CE#
I/O7
A14
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A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
I/O7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
I/O7
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
I/O7
15
I/O2
16
GND
17
I/O3
18
I/O4
19
I/O5
I/O5
I/O5
I/O5
20
I/O6
I/O6
I/O6
I/O6
39LV010
I/O1
I/O1
I/O3
I/O3
I/O3
39LV020
GND
I/O1
GND
I/O2
39LV040
I/O1
I/O2
32引脚PLCC
39LV040
39LV020
39LV010
39LV512
GND
I/O2
I/O4
I/O4
I/O4
39LV512
39LV010
39LV020
39LV040
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE#
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
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A5
A4
A11
A9
A8
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A14
A17
WE#
V
CC
NC
A16
A15
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A7
A6
A5
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A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
V
CC
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A11
A9
A8
A13
A14
NC
WE#
V
CC
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
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32
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22
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20
19
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17
OE #
A10
CE#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
OE #
A10
CE#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
32引脚VSOP
可编程微电子股份有限公司
2
发行日期: 2003年12月修订版: 1.2
PMC
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
产品订购信息
Pm39LV0x0
-70
J
C
E
环境属性
E =无铅(无铅)封装
空白=标准包装
温度范围
C =商用( 0 ° C至+ 70 ° C)
套餐类型
J = 32引脚塑封J引线芯片载体( 32J )
V = 32引脚薄型小尺寸封装
( VSOP - 8毫米×14 MM) ( 32V )
速度选项
PMC设备号
Pm39LV512 ( 512千位)
Pm39LV010 ( 1兆位)
Pm39LV020 ( 2兆)
Pm39LV040 ( 4兆)
产品型号
Pm39LV512-70JCE
32J
Pm39LV512-70JC
70
Pm39LV512-70VCE
32V
Pm39LV512-70VC
Pm39LV010-70JCE
32J
Pm39LV010-70JC
70
Pm39LV010-70VCE
32V
Pm39LV010-70VC
Pm39LV020-70JCE
32J
Pm39LV020-70JC
70
Pm39LV020-70VCE
32V
Pm39LV020-70VC
Pm39LV040-70JCE
32J
Pm39LV040-70JC
70
Pm39LV040-70VCE
32V
Pm39LV040-70VC
可编程微电子股份有限公司
t
(纳秒)
P ackag ê
温度范围
广告
( 0 ° C至+ 70 ° C)
3
发行日期: 2003年12月修订版: 1.2
PMC
引脚说明
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
符号
A0 - A
MS(1)
TYPE
输入
描述
地址输入:对于内存地址的输入。地址是内部
在写周期期间锁存, WE#的下降沿。
芯片使能: CE #变低激活设备的内部设计电路的
设备的操作。 CE#变高释放器件和开关进
待机模式以减少电力消耗。
写使能:激活设备进行写操作。 WE#为低电平有效。
输出使能:在读周期控制设备的输出缓冲器。 OE #
为有效低电平。
数据输入/输出:输入命令/在写周期或输出数据数据
在一个读周期。在I / O引脚浮到三态时, OE #被禁用。
器件电源
无连接
权证#
输入
WE#
OE #
I / O0 - I / O7
V
CC
GND
NC
注意:
输入
输入
输入/
产量
1. A
MS
是最显著地址,其中A
MS
= A15的Pm39LV512 , A16为Pm39LV010 , A17的
Pm39LV020和A18的Pm39LV040 。
可编程微电子股份有限公司
4
发行日期: 2003年12月修订版: 1.2
PMC
框图
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
擦除/编程
电压
发电机
I/O0-I/O7
I / O缓冲器
高压
开关
WE#
CE#
OE #
命令
注册
CE, OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
地址
LATCH
y解码器
X解码器
Y型GATING
内存
ARRAY
A0-A
M传
设备操作
读操作
Pm39LV512的/接入010 / 020 / 040顷相似
EPROM 。读取数据,三种控制功能必须
满意:
CE#为芯片使能,应该被拉低
( V
IL
).
OE#为输出使能和应拉
低(V
IL
).
WE #是写使能,并应保持高电平
( V
IH
)
.
产品标识
产品标识模式可以被用来识别
的制造商,设备通过硬件或
软件读取ID操作。见表1 PMC制造
商ID和设备ID 。硬件ID模式被激
通过施加12.0伏A9销上氧基团,通常使用
由外部程序员选择合适的亲
编程算法中的设备。参考表2为
公交车运行模式。软件ID模式被激
通过三总线周期命令氧基团。请参阅表3
软件命令定义。
可编程微电子股份有限公司
字节编程
编程为四个总线周期操作和
数据被编程到设备(为逻辑“0”)上
一个逐字节的基础。表3列出了软件的COM
命令定义。程序运行时通过写激活
荷兰国际集团的三字节指令序列后亲
克地址和程序数据的一个字节到
设备。地址被锁存下降沿
的WE#或以后到为准CE #和数据
锁存WE#或CE #上升沿为准
先发生。内部控制逻辑自动
处理内部的编程电压和定时。
一个数据“0”不能编程回一个“1”。只
擦除操作可以转换的多个“0”到“1” 。数据#
投票在I / O7或I / O6切换位可以用来
检测程序循环的进度或完成。
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