PMC
特点
低电压操作
- 双读V
CC
范围： 2.7 V至3.6 V或4.5 V至
5.5 V
- 编程/擦除电压： V
CC
- 2.7 V至3.6 V和
V
PP
- 11.5 V至12.5 V
高性能读
- 70 ns访问时间
电子芯片擦除和字节编程
采用EPROM编程器
-
最大20微秒/字节编程
- 最大100毫秒芯片擦除
- 不需要紫外线擦除
Pm37LV512
512千位（ 64K ×8 ）双电压多周期可编程ROM
低功耗
- 典型5毫安有效的读电流
- 典型的18 μA CMOS待机电流
优秀产品的信度
- 保证最低1000编程/擦除周期
- 至少20年的数据保存
JEDEC标准字节宽度闪存
引脚输出
工业标准包装
- 32引脚PLCC
- 32引脚PDIP
- 32引脚VSOP
概述
该Pm37LV512是512 Kbit的，多周期可编程只读存储器（ MCP ROM ）组织为65563
每个8位字节。器件的编程和擦除操作可以在EPROM编程器通过应用来完成
3.0伏V
CC
和12.0伏V
PP
到A9和/或OE ＃引脚。这消除了紫外线源，需要擦除操作
例如EPROM器件。装置的读操作可以在2.7伏特到3.6伏特或4.5伏特 - 5.5伏特范围
兼容或者3.0伏或5.0伏的系统。双读操作的范围可以大大提高应用程序
灵活性的用户。
该装置具有一个标准的微处理器接口以及JEDEC单电源闪存兼容的管脚
出。对于应用程序不需要在系统编程（ ISP）的功能为firmwire升级， Pm37LV512
提供了一个直接的成本降低路径为闪存，即Pm39LV512 ，而不需要修改的原理图和板
系统的布局。
该Pm37LV512制造的PMC先进的非易失性CMOS技术，P -FLASH 。该装置是
随着70 ns访问时间提供32引脚PLCC ， VSOP和PDIP封装。
可编程微电子股份有限公司
1
发行日期： 2002年12月修订版： 1.3
PMC
引脚说明
Pm37LV512
符号
A 0 - A 15
TYPE
输入
描述
地址输入：对于内存地址的输入。地址是内部
在写周期期间锁存， WE＃的下降沿。
芯片使能： CE ＃变低激活设备的内部设计电路的
设备的操作。 CE＃变高释放器件和开关进
待机模式以减少电力消耗。
写使能：激活设备进行写操作。 WE＃为低电平有效。
输出使能：在读周期控制设备的输出缓冲器。 OE ＃
为有效低电平。
数据输入/输出：输入命令/在写周期或输出数据数据
在一个读周期。在I / O引脚浮到三态时， OE ＃被禁用。
器件电源
地
无连接
权证＃
输入
WE＃
OE ＃
I / O0 - I / O7
V
CC
GND
NC
输入
输入
输入/
产量
可编程微电子股份有限公司
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发行日期： 2002年12月修订版： 1.3
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