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PMC
特点
单电源工作
- 5.0 V± 10 %读/编程/擦除
高性能读
- 70/90 ns访问时间
内存块结构
- 一个16 KB的顶部或底部与引导块
软件锁定
- 两个8字节的参数块
- 一个96 KB的主座
- 三128 KB的主块
自动块擦除和字节编程
-
典型12
微秒/字节
程序设计
- 典型的50毫秒块或片擦除
硬件数据保护
初步
Pm29F004
4兆位( 512K ×8 ), 5.0伏的CMOS只闪存
数据#投票和切换位特点
低功耗
- 典型15毫安有效的读电流
- 典型40毫安编程/擦除电流
- 典型0.1
A
CMOS待机电流
高产品耐用性
- 保证万编程/擦除周期
- 典型的50000编程/擦除周期
- 最少10年的数据保留
工业标准引脚输出和包装
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
在0.30微米工艺制造
概述
该Pm29F004是4兆, 5伏,仅限于Flash组织为524,288字节每8位存储器。这
设备被设计成使用5.0伏电源进行在系统编程, 12.0伏V
PP
电源
编程和擦除操作不是必需的。该设备可以在标准EPROM编程编程
聚体为好。
的4兆位存储器阵列被分成一个16千字节,两个8千字节, 1 96字节7块,
和3个128字节的BIOS和参数存储。这七个模块允许用户灵活地进行芯片擦除
或块擦除操作。块擦除功能允许一个特定的块进行擦除和重新编程
在不影响在其它块中的数据。该设备进行芯片擦除或块擦除操作后,就可以
被重新编程在逐字节的基础。
该装置具有一个标准的微处理器接口以及JEDEC单电源闪存兼容
引脚和指令集。 Pm29F004的程序操作是通过发出程序指令执行
代码到命令寄存器。内部控制逻辑会自动处理编程电压斜坡上升
和定时。 Pm29F004的擦除操作是通过发出芯片擦除或块擦除命令执行
代码到命令寄存器。内部控制逻辑自动处理的擦除电压斜坡上升和
时序。在擦除之前,不要求在阵列上的预编程而未被编程
操作。该器件还具有数据#查询和翻转位功能,程序结束或擦除操作
可以通过数据#查询I / O7或I / O6的触发位被检测到。
该装置具有用于数据的软件锁定功能的可选16K字节顶部或底部的引导块
安全性。引导块可以被用来存储用户的安全码。当锁定功能启用时,开机
块永久保护被重新编程。
该Pm29F004制造的PMC先进的0.30微米,P -FLASH ,非易失性存储器的过程。
该装置被装在一个32针的DIP和PLCC为70和90纳秒的存取时间。
可编程微电子股份有限公司
1
发行日期: 2000年11月修订版: 1 。 0
PMC
连接图
Pm29F004初步
WE#
31
A12
A15
A16
V
CC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
WE#
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
I/O1
4
3
2
A18
1
32
30
A17
29
28
27
26
25
24
23
22
21
A14
A13
A8
A9
A11
OE #
A10
CE#
I/O7
15
I/O2
16
GND
17
I/O3
18
I/O4
19
I/O5
20
I/O6
32引脚PDIP
32引脚PLCC
逻辑符号
19
A0-A18
8
I/O0-I/O7
CE#
OE #
WE#
可编程微电子股份有限公司
2
发行日期: 2000年11月修订版: 1.0
PMC
产品订购信息
Pm29F004
T
-70
P·C
Pm29F004初步
温度范围
C =商用( 0 ° C至+ 70 ° C)
套餐类型
P = 32引脚塑料DIP ( 32P )
J = 32引脚塑封J引线芯片载体( 32J )
速度选项
BOOT块位置
T =热门引导块
B =底部引导块,
PMC设备号
产品型号
Pm29F004T-70JC
Pm29F004T-70PC
t
(纳秒)
B OOT
位置
顶部
P ackag ê
32J
32P
32J
温度
R一种克é
70
Pm29F004B-70JC
Pm29F004B-70PC
Pm29F004T-90JC
Pm29F004T-90PC
90
Pm29F004B-90JC
Pm29F004B-90PC
底部
32J
32P
顶部
底部
32P
32J
32P
广告
( 0 ° C至+ 70 ° C)
广告
( 0 ° C至+ 70 ° C)
可编程微电子股份有限公司
3
发行日期: 2000年11月修订版: 1.0
PMC
引脚说明
Pm29F004初步
符号
A 0 - A 18
TYPE
输入
描述
地址输入:对于内存地址和命令寄存器。
地址在写周期期间被内部锁存。
芯片使能: CE #为低电平时激活设备的内部设计电路
对于设备操作。 CE#高释放器件
切换为待机模式以减少电力消耗。
请参考直流特性表。
写使能:激活设备进行写操作。 WE#为
低电平有效。
输出使能:在读控制设备的数据缓冲区
周期。 OE #为低电平有效。
数据输入/输出:程序运行过程中输入数组数据,
当CE#和WE #信号有效。数据在内部锁存
写和编程。当CE #和OE #活跃,
输出发送数组数据,制造商代码或设备的代码。
数据引脚浮到三态时,芯片是取消或
输出被禁止。
器件电源
无连接
权证#
输入
WE#
OE #
输入
输入
I / O0 - I / O7
输入/
产量
V
CC
GND
NC
可编程微电子股份有限公司
4
发行日期: 2000年11月修订版: 1.0
PMC
框图
Pm29F004初步
擦除/编程
电压
发电机
I/O0-I/O7
I / O缓冲器
高压
开关
WE#
CE#
OE #
命令
注册
CE, OE逻辑
数据
LATCH
SENSE
AMP
地址
LATCH
y解码器
X解码器
Y型GATING
内存
ARRAY
A0-A18
设备操作
读操作
Pm29F004的访问是相似作为的
EPROM 。以在输出端获得的数据,三个控制
功能必须满足:
CE#为芯片使能,应该被拉低
( V
IL
).
OE#为输出使能和应拉
低(V
IL
).
WE #是写使能,并应保持高电平
( V
IH
)
.
引导块锁定
该器件具有一个软件锁定功能,以预
被擦除泄在引导块中的数据或
重新编程。引导块可以位于所述
顶部或地址位置的底部。块的大小是
16字节。一旦锁定功能使能,引导
块不能被擦除或编程。在数据
主存储器块仍然可以通过更新
常规的编程方法。引导块锁定
特征可以通过发出一个六总线周期被接通的COM
命令序列。请参考表4和图4 。
可编程微电子股份有限公司
BOOT BLOCK闭锁检测
引导块锁定的状态可以被去
软件产品标识项tected 。后
项,选择引导块地址与A0 = “0”和A1
=“1” ,然后读出I / O0 。 “0”的数据表示锁相
out功能被禁用,并且引导块可被擦除
或编程。 “1”的数据意味着锁定为特色的
TURE已启用,并且引导块保护。的精良
UCT标识出必须的DE-前执行
副返回到读取模式。
产品标识
产品标识模式可以被用来识别
设备和制造商通过硬件或软
洁具操作。对硬件的操作模式被激
通过施加12.0伏A9销上氧基团,通常使用
通过外部编程来选择合适的编程
明算法的设备。有关详情,请参阅
总线操作模式表3.软件操作
化模式由三个总线周期命令激活。
请参见表4软件命令定义。
5
发行日期: 2000年11月修订版: 1.0
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