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三菱<INTELLIGENT电源MODULES>
PM100RL1A120
FLAT- BASE TYPE
绝缘包
PM100RL1A120
特征
变频器+刹车+驱动&保护IC
一)采用新的第五代全门CSTBT
TM
芯片
二)过温保护,其检测在芯片外加
CSTBT面温度
TM
被采用。
C)错误的输出信号可以来自所有各保护上调
每次和IPM的下臂。
D)兼容的L系列包装。
3φ 100A , 1200V电流检测和温度感
IGBT逆变式
单片栅极驱动&保护逻辑
检测,防护&状态指示的,短期的电路
电路,过温&欠压(PF
O
可用的
从上臂设备)
UL认证
应用
通用变频器,伺服驱动器等电机控制
包装纲要
135
122.1
110±
0.5
6 - M5螺母
26
(13)
26
40.5
尺寸(mm)
11.7
6.05
(旋盖深度)
13
18
10.5
21.5
B
6.05
U
V
18.7
90.1
110
20
20
78±
0.5
71.5
66.5
3.25
6-2
10 3-2 10 3-2 10 3-2
P
11
19
13
9
5
1
4-φ5.5
安装孔
2-φ2.5
19-
0.5
30.15
N
33.6
34.7
L A B 左
24.1
+1
-0.5
W
11
4
终端代码
1.
2.
3.
4.
5.
VUPC 6 。
飞碟
7.
UP
8.
VUP1 9 。
VVPC 10 。
VFO
VP
VVP1
VWPC
WFO
11.
12.
13.
14.
15.
WP
VWP1
VNC
VN1
Br
16.
17.
18.
19.
UN
VN
WN
Fo
2009年5月
1
三菱<INTELLIGENT电源MODULES>
PM100RL1A120
FLAT- BASE TYPE
绝缘包
内部功能框图
BR佛
1.5k
V
NC
W
N
V
N1
V
N
U
N
W
P
V
WP1
V
WPC
WF
O
V
P
V
VPC
V
VP1
VF
O
U
P
V
UPC
V
UP1
UF
O
1.5k
1.5k
1.5k
GND IN
佛的Vcc
GND IN
佛的Vcc
GND IN
佛的Vcc
GND IN
佛的Vcc
GND IN
佛的Vcc
GND IN
佛的Vcc
GND IN
佛的Vcc
GND
纟列
OT
GND
纟列
OT
GND
纟列
OT
GND
纟列
OT
GND
纟列
OT
GND
纟列
OT
GND
纟列
OT
B
N
W
V
U
P
最大额定值
(T
j
= 25 ℃,除非另有说明)
逆变部分
符号
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
T
j
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流(峰值)
集电极耗散
结温
条件
V
D
= 15V, V
CIN
= 15V
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
(Note-1)
(Note-1)
评级
1200
100
200
657
–20 ~ +150
单位
V
A
A
W
°C
*: T
C
测量点只是在芯片的正下方。
制动部件
符号
V
CES
I
C
I
CP
P
C
I
F
V
R( DC)的
T
j
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流(峰值)
集电极耗散
FWDI正向电流
FWDI额定直流反向电压
结温
条件
V
D
= 15V, V
CIN
= 15V
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
(Note-1)
(Note-1)
评级
1200
50
100
446
50
1200
–20 ~ +150
单位
V
A
A
W
A
V
°C
控制部分
符号
V
D
V
CIN
V
FO
I
FO
参数
电源电压
输入电压
故障输出电源电压
故障输出电流
条件
V :在应用
UP1
-V
UPC ,
V
VP1
-V
VPC
V
WP1
-V
WPC
, V
N1
-V
NC
U:在应用
P
-V
UPC
, V
P
-V
VPC ,
W
P
-V
WPC
U
N
V
N
W
N
B
r
-V
NC
U:在应用
FO
-V
UPC
, V
FO
-V
VPC
, W
FO
-V
WPC
F
O
-V
NC
沉电流ü
FO
, V
FO
, W
FO
, F
O
码头
评级
20
20
20
20
单位
V
V
V
mA
2009年5月
2
三菱<INTELLIGENT电源MODULES>
PM100RL1A120
FLAT- BASE TYPE
绝缘包
系统总
参数
电源电压保护的
V
CC ( PROT )
SC
V
CC (浪涌)
电源电压(浪涌)
储存温度
T
英镑
隔离电压
V
ISO
符号
条件
V
D
= 13.5 ~ 16.5V
逆变部分,T
j
= + 125°C开始
之间施加:P -N ,浪涌值
60Hz的正弦,带电部分基地, AC 1分钟。
评级
800
1000
–40 ~ +125
2500
单位
V
V
°C
V
RMS
热阻
符号
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )F
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )F
R
TH( C-F )
参数
结到外壳热
抗性
接触热阻
条件
IGBT逆变器部分(每1元)
变频器FWDI部分(每1元)
制动IGBT的一部分
制动FWDI上部
案例鳍, (每1个模块)
导热硅脂应用
(Note-1)
(Note-1)
(Note-1)
(Note-1)
(Note-1)
分钟。
范围
典型值。
马克斯。
0.19
0.31
0.28
0.48
0.023
单位
° C / W
*如果您使用此值,R
TH( F-一)
只是在芯片下应测量。
(注1 )T
C
(根据芯片)测量点如下。
ARM
X
Y
UP
IGBT FWDI
24.5
24.5
46.6
57.0
VP
IGBT FWDI
58.0
58.0
57.0
46.6
WP
IGBT FWDI
88.0
88.0
57.0
46.6
UN
IGBT FWDI
39.0
39.0
28.4
38.8
VN
IGBT FWDI
72.5
72.5
28.4
38.8
WN
IGBT FWDI
102.5 102.5
28.4
38.8
(单位:毫米)
BR
IGBT
Di
12.2
6.8
27.6
61.0
Y
X
底部视图
电气特性
(T
j
= 25 ℃,除非另有说明)
逆变部分
符号
V
CE ( SAT )
V
EC
t
on
t
rr
t
C( ON)
t
关闭
t
C( OFF)
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWDI正向电压
条件
V
D
= 15V ,我
C
= 100A
V
CIN
= 0V ,脉冲
(图1)的
–I
C
= 100A ,V
D
= 15V, V
CIN
= 15V
V
D
= 15V, V
CIN
= 0V15V
V
CC
= 600V ,我
C
= 100A
T
j
= 125°C
感性负载
V
CE
= V
CES
, V
D
= 15V
(图5)的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
(图2)
分钟。
0.3
范围
典型值。
1.65
1.85
2.3
0.8
0.3
0.4
1.2
0.4
马克斯。
2.15
2.35
3.3
2.0
0.8
1.0
2.8
1.2
1
10
单位
V
V
开关时间
s
(图3,4)
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
集电极 - 发射极截止
当前
mA
2009年5月
3
三菱<INTELLIGENT电源MODULES>
PM100RL1A120
FLAT- BASE TYPE
绝缘包
制动部件
符号
V
CE ( SAT )
V
EC
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWDI正向电压
集电极 - 发射极截止
当前
条件
V
D
= 15V ,我
C
= 50A
V
CIN
= 0V ,脉冲
(图1)的
–I
C
= 50A ,V
CIN
= 15V, V
D
= 15V
V
CE
= V
CES
, V
D
= 15V
(图5)的
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
(图2)
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
分钟。
范围
典型值。
1.65
1.85
2.3
马克斯。
2.15
2.35
3.3
1
10
单位
V
V
mA
控制部分
符号
I
D
V
TH (ON)的
V
TH (OFF)的
SC
t
关( SC)的
OT
OT
( HYS )
UV
UV
r
I
FO (H)的
I
FO (L)的
t
FO
参数
短路电流
输入阈值电压
OFF输入阈值电压
短路跳闸等级
短路电流延时
时间
过温保护
电源电路欠压
保护
故障输出电流
最小的故障输出脉冲
宽度
V
D
= 15V, V
CIN
= 15V
条件
V
N1
-V
NC
V
*P1
-V
* PC
分钟。
1.2
1.7
200
100
135
11.5
1.0
范围
典型值。
8
2
1.5
2.0
0.2
20
12.0
12.5
10
1.8
马克斯。
16
4
1.8
2.3
12.5
0.01
15
单位
mA
V
A
s
°C
V
mA
ms
U:在应用
P
-V
UPC
, V
P
-V
VPC
, W
P
-V
WPC
U
N
V
N
W
N
B
r
-V
NC
逆变部分
–20
T
j
125°C ,V
D
= 15V (图3,6)
制动部件
V
D
= 15V
检测IGBT芯片的温度
–20
Tj
125°C
V
D
= 15V, V
CIN
= 15V
V
D
= 15V
(图3,6)
旅行等级
迟滞
旅行等级
复位电平
(Note-2)
(Note-2)
(注2 )故障输出给出仅当内部的SC , OT &的UV保护上或下臂装置的计划运营
保护它。
机械额定值和特性
符号
参数
安装力矩
重量
安装部
主接线部分
条件
螺丝: M5
螺丝: M5
分钟。
2.5
2.5
范围
典型值。
3.0
3.0
800
马克斯。
3.5
3.5
单位
N·m的
N·m的
g
推荐的使用条件
符号
V
CC
V
D
V
CIN (上)
V
CIN (关闭)
f
PWM
t
DEAD
参数
电源电压
控制电源电压
输入电压
输入过电压
PWM输入频率
臂直通堵
时间
条件
整个P -N端应用
V :在应用
UP1
-V
UPC
, V
VP1
-V
VPC
V
WP1
-V
WPC
, V
N1
-V
NC
(Note-3)
U:在应用
P
-V
UPC
, V
P
-V
VPC
, W
P
-V
WPC
U
N
V
N
W
N
B
r
-V
NC
利用图中的应用电路。 8
对于IPM的每个输入信号
(图7)的
推荐值
800
15.0
±
1.5
0.8
9.0
20
2.5
单位
V
V
V
千赫
s
(注- 3)同波纹满足以下条件: dv / dt的摆动
≤± 5V / μs的,
变异
2V的峰峰值
≤ ±
5V/s
2V
15V
GND
2009年5月
4
三菱<INTELLIGENT电源MODULES>
PM100RL1A120
FLAT- BASE TYPE
绝缘包
注意事项测试
1.在应用任何控制电源电压(V
D
) ,输入端子应向上拉电阻器等,以它们的对
应的电源电压和各输入信号应保持截止状态。
在此之后,规定的ON和OFF电平设置为每个输入信号应该这样做。
2.当执行“SC”的测试中,关断浪涌电压尖峰在相应的保护操作不应AL-
lowed超越V
CES
该装置的额定值。
(这些测试不应该用曲线图示仪或同等学历来完成。 )
P, ( U,V ,W , B)
IN
Fo
IN
Fo
P, ( U,V ,W , B)
V
CIN
(0V)
V
Ic
V
CIN
(15V)
V
( IC
V
D
(全部)
U,V ,W , B, ( N)
V
D
(全部)
U,V ,W , B, ( N)
图。 1 V
CE ( SAT )
TEST
图。 2 V
EC ,
(
V
FM
)
TEST
一),下臂开关
P
Fo
V
CIN
(15V)
V
CIN
信号输入
(上臂)
信号输入
(下臂)
Fo
TRR
U,V ,W
V
CE
IRR
Ic
90%
C
S
VCC
90%
N
B)上臂开关
V
CIN
信号输入
(上臂)
信号输入
(下臂)
V
D
(全部)
P
Ic
10%
TC (上)
V
CIN
10%
10%
TC (关闭)
10%
Fo
U,V ,W
C
S
VCC
TD (上)
tr
TD (关闭)
tf
V
CIN
(15V)
Fo
(吨= TD (上) + TR )
N
( TOFF = TD (关闭) + TF )
V
D
(全部)
Ic
图。 3切换时间和SC测试电路
图。 4开关时间测试波形
V
CIN
短路电流
P, ( U,V ,W , B)
A
IN
Fo
恒流
SC之旅
脉冲
V
CE
V
CIN
(15V)
Ic
V
D
(全部)
U,V ,W , B, ( N)
Fo
花花公子( SC )
图。 5我
CES
TEST
图。 6 SC测试波形
IPM '输入信号V
CIN
(上臂)
0V
IPM '输入信号V
CIN
(下臂)
1.5V
2V
1.5V
t
0V
2V
1.5V
2V
t
t
DEAD
t
DEAD
t
DEAD
1.5V :输入阈值电压Vth (上)典型值, 2V :输入断阈值电压Vth (关闭)典型值
图。 7死区时间测量点的例子
2009年5月
5
PM100RL1A120
Powerex公司,公司, 173馆里,扬伍德,宾夕法尼亚州15697 ( 724 ) 925-7272
www.pwrx.com
Intellimod L1系列
三相
IGBT逆变器+刹车
百安培/ 1200伏
W (6
地点)
X (4
地点)
K
A
B
K
AC
L
AE
AF
AC
B
S
终奌站
CODE
1 V
UPC
2 U
FO
3 U
P
4 V
UP1
5 V
VPC
6 V
FO
7 V
P
8 V
VP1
9 V
WPC
10 W
FO
11 W
P
AD
W
V
U
AG
AG
AH
M
M
N
AC
P
U
( 2 TYP 。 )
T
N
AA
Z
Z
Z
AB
P
D C
R
Y
(4处)
19
13
12
9
8
5
4
1
12 V
WP1
13 V
NC
14 V
N1
15溴
16 U
N
17 V
N
18 W
N
19 F
O
Q
E
F
V SQ 。 PIN
( 19 TYP 。 )
J
H·G
VWPC
BR FO VNC WN VN1
VN
UN
WFO
VVPC VFO
VP
VUPC
UP
飞碟
VUP1
WP VWP1
VVP1
描述:
POWEREX Intellimod 智能
电源模块是孤立基地
模块设计的电源
开关应用工作
频率为20kHz的。内建的
控制电路提供最佳
栅极驱动和保护的
IGBT和续流二极管
功率器件。
产品特点:
完整的输出功率
电路
栅极驱动电路
保护逻辑
=短路
- 过热
使用片
温度传感
=欠压
低损耗使用全部门
CSTBT
IGBT芯片
应用范围:
逆变器
UPS
运动/伺服控制
电源
订货信息:
例如:选择完整
从下表中的部分数
-i.e. PM100RL1A120是1200V ,
百安培Intellimod 智能
电源模块。
TYPE
PM
额定电流
安培
100
V
CES
伏( ×10 )
120
1
GND GND
IN
GND GND
IN
GND GND
IN
GND GND
IN
GND GND
IN
GND GND
IN
GND GND
FO
FO
FO
FO
FO
FO
IN
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
FO
SI
OUT
SI
OUT
SI
OUT
SI
OUT
SI
OUT
SI
OUT
OT
OT
OT
OT
OT
OT
SI
OUT
B
N
W
V
U
外形图和电路图
尺寸
英寸
MILLIMETERS
A
5.31
135.0
B
4.33±0.02
110±0.5
C
4.33
110.0
D
3.07
78.0±0.5
E
2.81
71.5
F
2.62
66.5
G
1.37
34.7
H
1.32
33.6
J
0.95+0.04/-0.01 24.1+1.0/-0.5
K
1.02
26.0
L
1.59
40.5
M
0.79
20.0
N
0.65
16.5
P
0.43±0.01
11.0±0.3
Q
1.19
30.15
R
0.43
11.0
11/12第2版
尺寸
S
T
U
V
W
X
Y
Z
AA
AB
AC
AD
AE
AF
AG
AH
英寸
0.51
0.16
0.1直径。
0.02平方米。
M5公制
0.22直径。
0.24拉德。
0.39
0.13
0.08
0.24
0.71
0.46
0.74
0.41
0.85
MILLIMETERS
13.0
4.0
Dia.2.5
平方米。 0.5
M5
直径。 5.5
弧度。 6
10.0
3.25
2.0
6.05
18.0
11.7
18.7
10.5
21.5
VCC
OT
P
Powerex公司,公司, 173馆里,扬伍德,宾夕法尼亚州15697 ( 724 ) 925-7272 www.pwrx.com
PM100RL1A120
Intellimod L1系列
三相IGBT逆变器+刹车
百安培/ 1200伏
绝对最大额定值,
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率器件结温
储存温度
安装扭矩, M5螺丝安装
安装扭矩, M5主接线螺丝
模块重量(典型)
电源电压,浪涌(P之间应用 - N)
自我保护限制电压(短路保护功能) *
隔离电压, AC 1分钟, 60Hz的正弦
符号
T
j
T
英镑
V
CC (浪涌)
V
CC ( PROT )。
V
ISO
PM100RL1A120
-20-150
-40至125
31
31
800
1000
800
2500
单位
°C
°C
在磅
在磅
IGBT逆变器行业
集电极 - 发射极电压(V
D
= 15V, V
CIN
= 15V)
集电极电流(T
C
= 25 ° C) (注1 )
峰值集电极电流(T
C
= 25°C)
集电极耗散(T
C
= 25 ° C) (注1 )
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
1200
100
200
657
安培
安培
IGBT制动部门
集电极 - 发射极电压(V
D
= 15V, V
CIN
= 15V)
集电极电流(T
C
= 25 ° C) (注1 )
峰值集电极电流(T
C
= 25°C)
集电极耗散(T
C
= 25 ° C) (注1 )
二极管的正向电流
二极管的额定直流反向电压(T
C
= 25°C)
V
CES
±I
C
±I
CP
P
C
I
F
V
R( DC)的
1200
50
100
446
50
1200
安培
安培
安培
管理部门
V的电源电压(应用
UP1
-V
UPC
, V
VP1
-V
VPC
, V
WP1
-V
WPC
, V
N1
-V
NC
)
ü之间的输入电压(使用
P
-V
UPC
, V
P
-V
VPC
, W
P
-V
WPC
, U
N
- V
N
- W
N
-Br -V
NC
)
故障输出电源电压
(U之间施加
FO
-V
UPC
, V
FO
-V
VPC
, W
FO
-V
WPC
, F
O
-V
NC
)
故障输出电流(U
FO
, V
FO
, W
FO
, F
O
终端)
* VD = 13.5 16.5V ,逆变部分,T
j
= 125°C
V
D
V
CIN
V
FO
I
FO
20
20
20
20
mA
注1:T
C
(根据芯片)测量点
Y
X
ARM
X
Y
2
UP
24.5
57.0
24.5
46.0
VP
58.0
57.0
58.0
46.0
WP
88.0
57.0
88.0
46.0
UN
39.0
28.4
39.0
38.8
VN
72.5
28.4
WN
Br
6.8
61.0
11/12第2版
IGBT FWDI IGBT FWDI IGBT FWDI IGBT FWDI IGBT FWDI IGBT FWDI IGBT FWDI
72.5 102.5 102.5 12/2
38.8
28.4
38.8
27.6
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Intellimod L1系列
三相IGBT逆变器+刹车
百安培/ 1200伏
电气和机械特性,
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
IGBT逆变器行业
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
V
D
= 15V, V
CIN
= 0V时,我
C
= 100A,
T
j
= 25°C
V
D
= 15V, V
CIN
= 0V时,我
C
= 100A,
T
j
= 125°C
二极管的正向电压
感性负载开关时间
V
EC
t
on
t
rr
t
C( ON)
t
关闭
t
C( OFF)
集电极 - 发射极截止电流
I
CES
V
CE
= V
CES
, V
D
= 15V ,T
j
= 25°C
V
CE
= V
CES
, V
D
= 15V ,T
j
= 125°C
V
D
= 15V, V
CIN
= 0
15V
V
CC
= 600V ,我
C
= 100A
T
j
= 125°C
-I
C
= 100A ,V
CIN
= 15V, V
D
= 15V
0.3
2.3
0.8
0.3
0.4
1.2
0.4
3.3
2.0
0.8
1.0
2.8
1.2
1.0
10
s
s
s
s
s
mA
mA
1.85
2.35
1.65
2.15
IGBT制动部门
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
V
D
= 15V, V
CIN
= 0V时,我
C
= 50A,
T
j
= 25°C
V
D
= 15V, V
CIN
= 0V时,我
C
= 50A,
T
j
= 125°C
正向电压
集电极 - 发射极截止电流
V
FM
I
CES
I
F
= 50A
V
CE
= V
CES
, V
D
= 15V ,T
j
= 25°C
V
CE
= V
CES
, V
D
= 15V ,T
j
= 125°C
2.3
3.3
1.0
10
mA
mA
1.85
2.35
1.65
2.15
管理部门
短路电流
输入阈值电压
OFF输入阈值电压
短路跳闸等级
( -20 ° C≤牛逼
j
= 125°C ,V
D
= 15V)
短路电流延迟时间
过温保护
(检测牛逼
j
IGBT芯片)
电源电路欠压保护
(-20 ≤ T
j
≤ 125°C)
故障输出电流*
故障输出脉冲宽度*
t
关( SC)的
OT
OT
( HYS )
UV
UV
R
I
FO (H)的
I
FO (L)的
t
FO
I
D
V
TH (ON)的
V
TH (OFF)的
SC
V
D
= 15V, V
CIN
= 15V, V
N1
-V
NC
V
D
= 15V, V
CIN
= 15V, V
XP1
-V
XPC
ü之间施加
P
-V
UPC
,
逆变部分
制动部件
V
D
= 15V
旅行等级
复位电平
旅行等级
复位电平
V
D
= 15V, V
CIN
= 15V
V
D
= 15V, V
CIN
= 15V
V
D
= 15V
1.2
200
100
135
11.5
1.0
8
2
1.5
2.0
0.2
20
12.0
12.5
10
1.8
16
4
1.8
2.3
12.5
0.01
15
mA
mA
安培
安培
s
°C
°C
mA
mA
ms
V
P
-V
VPC
, W
P
-V
WPC
, U
N
- V
N
- W
N
-Br -V
NC
1.7
*故障输出给出仅当内部的SC ,上或下臂装置的催产素和紫外线保护方案进行操作以保护它。
11/12第2版
3
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百安培/ 1200伏
电气和机械特性,
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
热特性,
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
结到外壳热阻
逆变部分
结到外壳热阻
制动部件
接触热阻
符号
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )D
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )D
R
TH( C-F )
条件
IGBT (每1元) (注1 )
FWDI (每1元) (注1 )
IGBT(注1 )
FWDI (注1 )
案例鳍每个模块,
导热硅脂应用(注1 )
分钟。
典型值。
马克斯。
0.19*
0.31*
0.28*
0.48*
0.023
单位
° C /瓦
° C /瓦
° C /瓦
° C /瓦
° C /瓦
推荐的使用条件
特征
电源电压
控制电源电压**
输入电压
输入过电压
PWM输入频率
臂直通阻塞时间
符号
V
CC
V
D
V
CIN (上)
V
CIN (关闭)
f
PWM
t
DEAD
条件
整个P -N端应用
V的应用
UP1
-V
UPC
,
V
VP1
-V
VPC
, V
WP1
-V
WPC
, V
N1
-V
NC
ü之间施加
P
-V
UPC
,
V
P
-V
VPC
, W
P
-V
WPC
, U
N
- V
N
- W
N
-Br -V
NC
输入信号
≤0.8
≥9.0
≤20
≥2.5
千赫
s
价值
≤800
15.0 ±1.5
单位
*如果您使用此值,R
TH( F-一)
只是在芯片下应测量。
**带波纹满足以下条件: dv / dt的摆动
± 5V / μs的,变异
2V的峰峰值。
4
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百安培/ 1200伏
集电极 - 发射极
饱和电压特性
(典型值 - 逆变部分)
集电极 - 发射极饱和电压
VS.供电电压的特性
(典型值 - 逆变部分)
输出特性
(典型值 - 逆变部分)
140
集电极电流,I
C
(安培)
120
100
80
60
40
20
0
0
0.5
1.0
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(伏)
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(伏)
T
j
= 25°C
2.5
15
V
D
= 17V
13
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
12
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V
D
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
C
= 100A
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
1.5
2.0
0
20
40
60
80
100 120 140
1.0
13
14
15
16
17
18
集电极 - 发射极电压,V
CE ( SAT )
(伏)
集电极电流,I
C
(安培)
电源电压,V
D
(伏)
续流二极管
正向特性
(典型值 - 逆变部分)
集热恢复电流-I
C
(安培)
反向恢复电流,I
rr
(安培)
反向恢复特性
(典型值 - 逆变部分)
反向恢复特性
(典型值 - 逆变部分)
10
3
反向恢复时间,T
rr
, (s)
V
D
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
50
40
30
20
10
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
2
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
10
1
10
0
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0
20
40
60
80
100
120
0
20
40
60
80
100
120
发射极 - 集电极电压V
EC
(伏)
集热恢复电流-I
C
(安培)
集热恢复电流-I
C
(安培)
切换损失(ON ) VS.
集电极电流
(典型值 - 逆变部分)
开关损耗(OFF)的VS.
集电极电流
(典型值 - 逆变部分)
切换恢复
损耗特性
(典型值 - 逆变部分)
16
开关损耗, ê
on
(兆焦耳/脉冲)
开关损耗, ê
关闭
(兆焦耳/脉冲)
12
12
开关损耗, ê
rr
(兆焦耳/脉冲)
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
16
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
7
6
5
4
3
2
1
0
0
V
CC
= 600V
V
D
= 15V
感性负载
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
8
8
4
4
0
0
20
40
60
80
100
120
0
0
20
40
60
80
100
120
20
40
60
80
100
120
集电极电流,I
C
(安培)
集电极电流,I
C
(安培)
集热恢复电流-I
C
(安培)
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