PLL602-20
200MHz的XO IC具有可选择的4X / 8X倍频
特点
集成的晶体振荡器电路（ XO ） 。
非常低的抖动和相位噪声（ -110dBc @
10kHz的偏移量）
可选的倍频（ X4，X8 ） 。
接受的10MHz - 30MHz的的基本晶体输入
输出频率：高达200MHz的CMOS
输出使能（ OE ）引脚， 60KΩ上拉
电阻器
工作温度范围为0 ℃ 70℃
2.5或3.3V的电源电压。
可在绿/符合RoHS标准的8脚SOIC
包
引脚配置
XIN / FIN
GND
SEL X / 8X
4
CLK
1
8
XOUT
OE
NC
VDD
PLL602-20
2
3
4
7
6
5
描述
该PLL602-20是一种通用的低抖动和
低相位噪声（ -110dBc @ 10kHz的偏移量） ，高
高性能CMOS XO IC 。这种灵活的CAN设备
作为与输出频率的XO测距
从步骤f
XIN
×4到F
XIN
×8与使用单一的
选择引脚。这使得PLL602-20了理想
高性能，适用范围广的低成本解决方案
对需要高达200MHz的应用程序（包括
77.76MHz ， 125MHz的和155.52MHz ） 。
焊盘布局和死亡ID
XIN
GND
GND
SEL4X/8X
1
2
3
7
4
5
6
VDD
VDD
9
8
XOUT
OE
CLK
框图
SELx4x/8
XIN
XO
XOUT
DIE规格
名字
SIZE
可选
价值
31.5x55.1万
GND
80微米×80微米
10 MIL
PLL
CLK
背面
PAD开幕
模具厚度
C
47745弗里蒙特大道，弗里蒙特，加利福尼亚州94538电话：（ 510 ） 492-0990传真：（ 510 ） 492-0991
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PLL602-20
200MHz的XO IC具有可选择的4X / 8X倍频
PIN / PAD分配和说明
名字
XIN / FIN
GND
针＃
1
2
垫＃
1
2
3
芯片垫
X（ μm）的
101.5
101.5
101.5
Y（微米）
1274.0
1075.0
878.4
TYPE
I
P
描述
晶体或参考输入引脚。
GND连接。
乘法器选择管脚与60KΩ上拉电阻。
SEL4X/8X
3
4
101.5
671.8
O
逻辑状态
0
1(default)
时钟输出。
VDD连接。
不要连接。
倍增器
x4
x8
CLK
VDD
DNC
OE
XOUT
4
5
6
7
8
5
6
7
-
8
9
101.5
697
697
-
697
697
425.0
483.0
790.0
-
1024.0
1274.0
O
P
-
O
O
输出使能： 0以禁用（三态输出） ， 1'
（当没有连接默认值），以使
输出（内部（ 60KΩ上拉电阻） 。
晶振输出。
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PLL602-20
200MHz的XO IC具有可选择的4X / 8X倍频
电气规格
绝对最大额定值
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
焊接温度（绿色包装）
储存温度
工作环境温度
T
S
-65
0
符号
V
DD
V
I
V
O
分钟。
马克斯。
4.6
V
DD
+
0.5
V
DD
+
0.5
260
150
70
单位
V
V
V
°C
°C
°C
-
0.5
-
0.5
-
0.5
超出长时间最大额定值所指明的限制条件下的曝光装置的可能会造成永久性的损坏
装置，并影响了产品的可靠性。这些条件表示在这些或任何其它的应力只等级，并且该器件的功能性操作
上述本说明书中提到的操作限制条件是不是暗示。
AC规格
参数
晶振输入频率（ XIN ）
条件
基频晶体
在上电时（在VDD增加了
1.62V)
15pF的负载10 /90％ VDD
15pF的负载90 /10％ VDD
在VDD / 2
与VDD之间的电容去耦
和GND 。操作只有一个输出。
分钟。
10
典型值。
马克斯。
30
单位
兆赫
建立时间
输出上升时间
输出下降时间
占空比
周期抖动，峰 - 峰*
（ 10000测
样本）
10
1.2
1.2
45
50
70
2.0
2.0
55
ms
ns
ns
%
ps
47745弗里蒙特大道，弗里蒙特，加利福尼亚州94538电话：（ 510 ） 492-0990传真：（ 510 ） 492-0991
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200MHz的XO IC具有可选择的4X / 8X倍频
DC特定网络阳离子
参数
电源电流，动态的，
负载输出
工作电压
输出低电压
输出高电压
输出电流
短路电流
符号
I
DD
V
DD
V
OL
V
OH
I
OSD
I
S
条件
在80MHz ，负载= 15pF的，
VDD=3.3V
分钟。
典型值。
马克斯。
15
单位
mA
V
V
V
2.25
I
OL
= + 4毫安标准。驱动器
I
OH
= -4mA标准。驱动器
V
OL
= 0.4V, V
OH
= 2.4V
±50
V
DD
– 0.4
3.63
0.4
24
mA
mA
抖动和相位噪声指标
参数
周期抖动
（ PkPk - 10,000个样本）
相位噪声与载波
相位噪声与载波
相位噪声与载波
相位噪声与载波
相位噪声与载波
条件
在155MHz的，与去耦电容
之间VDD和GND 。
在80MHz ，与去耦电容
之间VDD和GND 。
125MHz的@ 100Hz的偏移
125MHz的@ 1kHz时的偏移
125MHz的@ 10kHz的偏移
125MHz的@ 100kHz的偏移
125MHz的@ 1MHz的偏移
分钟。
典型值。
50
ps
55
-100
-118
-112
-98
-107
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
马克斯。
单位
47745弗里蒙特大道，弗里蒙特，加利福尼亚州94538电话：（ 510 ） 492-0990传真：（ 510 ） 492-0991
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PLL602-20
200MHz的XO IC具有可选择的4X / 8X倍频
水晶特定网络阳离子
参数
基频晶体谐振器频率
水晶装载评级
最大持续驱动电平
操作驱动电平
水晶并联电容
等效串联电阻，基本， 10-30MHz
注意：
详细的水晶规范文档也可用于这部分
符号
F
XIN
C
L（ XTAL ）
分钟。
10
典型值。
马克斯。
30
单位
兆赫
pF
11
500
100
W
W
C0
R
E
6
30
pF
封装图纸（绿色包装标准）
8L SOIC
符号
A
A1
A2
B
C
D
E
H
L
e
尺寸以毫米
分钟。
马克斯。
1.35
1.75
0.10
0.25
1.25
1.50
0.33
0.53
0.19
0.27
4.80
5.00
3.80
4.00
5.80
6.20
0.40
0.89
1.27 BSC
E
H
D
A2 A
A1
e
b
C
L
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200MHz的XO IC具有可选择的4X / 8X倍频
特点
集成的晶体振荡器电路（ XO ） 。
非常低的抖动和相位噪声（ -110dBc @
10kHz的偏移量）
可选的倍频（ X4，X8 ） 。
接受的10MHz - 30MHz的的基本晶体输入
输出频率：高达200MHz的CMOS
输出使能（ OE ）引脚， 60KΩ上拉
电阻器
工作温度范围为0 ℃ 70℃
2.5或3.3V的电源电压。
可在绿/符合RoHS标准的8脚SOIC
包
引脚配置
XIN / FIN
GND
SEL X / 8X
4
CLK
1
8
XOUT
OE
NC
VDD
PLL602-20
2
3
4
7
6
5
描述
该PLL602-20是一种通用的低抖动和
低相位噪声（ -110dBc @ 10kHz的偏移量） ，高
高性能CMOS XO IC 。这种灵活的CAN设备
作为与输出频率的XO测距
从步骤f
XIN
×4到F
XIN
×8与使用单一的
选择引脚。这使得PLL602-20了理想
高性能，适用范围广的低成本解决方案
对需要高达200MHz的应用程序（包括
77.76MHz ， 125MHz的和155.52MHz ） 。
焊盘布局和死亡ID
XIN
GND
GND
SEL4X/8X
1
2
3
7
4
5
6
VDD
VDD
9
8
XOUT
OE
CLK
框图
SELx4x/8
XIN
XO
XOUT
DIE规格
名字
SIZE
可选
价值
31.5x55.1万
GND
80微米×80微米
10 MIL
PLL
CLK
背面
PAD开幕
模具厚度
C
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PLL602-20
200MHz的XO IC具有可选择的4X / 8X倍频
PIN / PAD分配和说明
名字
XIN / FIN
GND
针＃
1
2
垫＃
1
2
3
芯片垫
X（ μm）的
101.5
101.5
101.5
Y（微米）
1274.0
1075.0
878.4
TYPE
I
P
描述
晶体或参考输入引脚。
GND连接。
乘法器选择管脚与60KΩ上拉电阻。
SEL4X/8X
3
4
101.5
671.8
O
逻辑状态
0
1(default)
时钟输出。
VDD连接。
不要连接。
倍增器
x4
x8
CLK
VDD
DNC
OE
XOUT
4
5
6
7
8
5
6
7
-
8
9
101.5
697
697
-
697
697
425.0
483.0
790.0
-
1024.0
1274.0
O
P
-
O
O
输出使能： 0以禁用（三态输出） ， 1'
（当没有连接默认值），以使
输出（内部（ 60KΩ上拉电阻） 。
晶振输出。
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PLL602-20
200MHz的XO IC具有可选择的4X / 8X倍频
电气规格
绝对最大额定值
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
焊接温度（绿色包装）
储存温度
工作环境温度
T
S
-65
0
符号
V
DD
V
I
V
O
分钟。
马克斯。
4.6
V
DD
+
0.5
V
DD
+
0.5
260
150
70
单位
V
V
V
°C
°C
°C
-
0.5
-
0.5
-
0.5
超出长时间最大额定值所指明的限制条件下的曝光装置的可能会造成永久性的损坏
装置，并影响了产品的可靠性。这些条件表示在这些或任何其它的应力只等级，并且该器件的功能性操作
上述本说明书中提到的操作限制条件是不是暗示。
AC规格
参数
晶振输入频率（ XIN ）
条件
基频晶体
在上电时（在VDD增加了
1.62V)
15pF的负载10 /90％ VDD
15pF的负载90 /10％ VDD
在VDD / 2
与VDD之间的电容去耦
和GND 。操作只有一个输出。
分钟。
10
典型值。
马克斯。
30
单位
兆赫
建立时间
输出上升时间
输出下降时间
占空比
周期抖动，峰 - 峰*
（ 10000测
样本）
10
1.2
1.2
45
50
70
2.0
2.0
55
ms
ns
ns
%
ps
47745弗里蒙特大道，弗里蒙特，加利福尼亚州94538电话：（ 510 ） 492-0990传真：（ 510 ） 492-0991
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PLL602-20
200MHz的XO IC具有可选择的4X / 8X倍频
DC特定网络阳离子
参数
电源电流，动态的，
负载输出
工作电压
输出低电压
输出高电压
输出电流
短路电流
符号
I
DD
V
DD
V
OL
V
OH
I
OSD
I
S
条件
在80MHz ，负载= 15pF的，
VDD=3.3V
分钟。
典型值。
马克斯。
15
单位
mA
V
V
V
2.25
I
OL
= + 4毫安标准。驱动器
I
OH
= -4mA标准。驱动器
V
OL
= 0.4V, V
OH
= 2.4V
±50
V
DD
– 0.4
3.63
0.4
24
mA
mA
抖动和相位噪声指标
参数
周期抖动
（ PkPk - 10,000个样本）
相位噪声与载波
相位噪声与载波
相位噪声与载波
相位噪声与载波
相位噪声与载波
条件
在155MHz的，与去耦电容
之间VDD和GND 。
在80MHz ，与去耦电容
之间VDD和GND 。
125MHz的@ 100Hz的偏移
125MHz的@ 1kHz时的偏移
125MHz的@ 10kHz的偏移
125MHz的@ 100kHz的偏移
125MHz的@ 1MHz的偏移
分钟。
典型值。
50
ps
55
-100
-118
-112
-98
-107
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
dBc的/赫兹
马克斯。
单位
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PLL602-20
200MHz的XO IC具有可选择的4X / 8X倍频
水晶特定网络阳离子
参数
基频晶体谐振器频率
水晶装载评级
最大持续驱动电平
操作驱动电平
水晶并联电容
等效串联电阻，基本， 10-30MHz
注意：
详细的水晶规范文档也可用于这部分
符号
F
XIN
C
L（ XTAL ）
分钟。
10
典型值。
马克斯。
30
单位
兆赫
pF
11
500
100
W
W
C0
R
E
6
30
pF
封装图纸（绿色包装标准）
8L SOIC
符号
A
A1
A2
B
C
D
E
H
L
e
尺寸以毫米
分钟。
马克斯。
1.35
1.75
0.10
0.25
1.25
1.50
0.33
0.53
0.19
0.27
4.80
5.00
3.80
4.00
5.80
6.20
0.40
0.89
1.27 BSC
E
H
D
A2 A
A1
e
b
C
L
47745弗里蒙特大道，弗里蒙特，加利福尼亚州94538电话：（ 510 ） 492-0990传真：（ 510 ） 492-0991
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