PLL103-02
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
特点
产生24的输出缓冲器由一个输入端。
最多支持四个DDR DIMM或2 SDRAM
的DIMM 。
支持266MHz的DDR SDRAM 。
一个额外的输出反馈。
比5ns的延迟更少。
任何输出间偏斜小于100 ps的。
2.5V或3.3V电源电压范围。
增强的DDR和SDRAM输出驱动
通过I2C选择。
可提供48引脚SSOP 。
引脚配置
FBOUT
VDD3.3_2.5
GND
DDR0T
DDR0C
DDR1T_SDRAM0
DDR1C_SDRAM1
VDD3.3_2.5
GND
DDR2T_SDRAM2
DDR2C_SDRAM3
VDD3.3_2.5
BUF_IN
GND
DDR3T_SDRAM4
DDR3C_SDRAM5
VDD3.3_2.5
GND
DDR4T_SDRAM6
DDR4C_SDRAM7
DDR5T
DDR0T
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
SEL_DDR
VDD2.5
GND
DDR11T
DDR11C
DDR10T
DDR10C
VDD2.5
GND
DDR9T
DDR9C
VDD2.5
PD #
GND
DDR8T
DDR8C
VDD2.5
GND
DDR7T
DDR7C
DDR6T
DDR6C
GND
SCLK
PLL103-02
框图
DDR5C
VDD3.3_2.5
SDATA
SDATA
SCLK
I2C
控制
DDR0C
DDR1T_SDRAM0
DDR1C_SDRAM1
DDR2T_SDRAM2
DDR2C_SDRAM3
DDR3T_SDRAM4
DDR3C_SDRAM5
DDR4T_SDRAM6
注意:
# :低电平有效
说明
该PLL103-02被设计成一个3.3V / 2.5V缓冲区
在PC应用程序分发高速时钟。该
器件具有24个输出。这些输出可以
配置支持4个非缓冲DDR DIMM内存
或者支持2无缓冲SDRAM标准的DIMM
2 DDR DIMM内存模块。该PLL103-02可被用
与PLL202-04或类似的时钟相结合
合成的VIA Pro的266芯片组。
该PLL103-02还具有一个I2C接口,可
启用或禁用每个输出时钟。上电时,
所有输出时钟使能(具有内部上拉) 。
BUF_IN
DDR4C_SDRAM7
DDR5T
DDR5C
DDR6T
DDR6C
DDR7T
DDR7C
DDR8T
DDR8C
DDR9T
DDR9C
DDR10T
DDR10C
DDR11T
DDR11C
PD #
47745弗里蒙特大道,弗里蒙特,加利福尼亚州94538电话:( 510 ) 492-0990传真:( 510 ) 492-0991
转00年11月7日第1页
PLL103-02
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
引脚说明
名字
FBOUT
BUF_IN
PD
数
1
13
36
TYPE
O
I
I
描述
反馈时钟芯片组。输出电压取决于VDD3.3_2.5V 。
从芯片组的参考输入。 3.3V输入标准SDRAM模式;
2.5V输入DDR -only模式。
掉电控制输入。低时,它会三态输出全部。
SEL_DDR
48
I
输入配置DDR -only模式或标准SDRAM的模式。
1 = DDR -only模式(当VDD3.3_2.5选择2.5V ) ; 0 =
标准SDRAM模式(当VDD3.3_2.5选择3.3V ) 。在
DDR -only模式,引脚4 , 5 , 6 , 7 , 10 , 11 , 15 , 16 , 19 , 20 , 21 , 22 , 27 ,
28 , 29 , 30 , 33 , 34 , 38 , 39 , 42 , 43 , 44和45将被配置为
DDR输出。在标准的SDRAM模式下,引脚6,7, 11,15, 16,19
和20将被设置为标准的SDRAM输出。引脚27 ,
28 , 29 , 30 , 33 , 34 , 38 , 39 , 42 , 43 , 44和45将被配置为
DDR输出。引脚4 , 5 , 21和22将是三态。
这些输出提供BUF_IN的真实副本。
这些输出提供BUF_IN互补的副本。
当SEL_DDR = 1 ,这些输出提供DDR模式输出;当
SEL_DDR = 0 ,这些输出提供标准SDRAM模式的输出。
电压摆幅取决于VDD3.3_2.5 。
当SEL_DDR = 1 ,这些输出提供了互补的副本
BUF_IN ;当SEL_DDR = 0 ,这些输出提供标准SDRAM
模式的输出。电压摆幅取决于VDD3.3_2.5 。
当VDD = 2.5V , SEL_DDR = 1 。 DDR -only模式中选择;当
VDD = 3.3V , SEL_DDR = 0 。标准SDRAM的模式被选择。
2.5V电源。
地面上。
DDR [ 0,5 : 11 ] T ...
DDR [ 0,5 : 11 ]
DDR [1: 4] T_SDRA
M [0,2,4,6]
DDR [1: 4] C_SDRA
M [1,3,5,7]
VDD3.3_2.5
VDD2.5
GND
4,21,28,30,34,
39,43,45
5,22,27,29,33,
38,42,44
6,10,15,19
O
O
O
7,11,16,20
2,8,12,17,23
32,37,41,47
3,9,14,18,26,
31,35,40,46
O
P
P
P
47745弗里蒙特大道,弗里蒙特,加利福尼亚州94538电话:( 510 ) 492-0990传真:( 510 ) 492-0991
转00年11月7日第2页
PLL103-02
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
地址分配
接收器/发送器
数据传输速率
A6
A5
1
A4
0
A3
1
A2
0
A1
0
A0
1
读/写
_
同时提供从写入和
为100kbits / s的标准模式
该串行协议设计,让这两个区块写入和从控制器读取。该
字节必须按顺序访问的从最低到最高字节。每个字节传输
终止传输。写或读数据块都与主机发送一个从开始
地址和写条件( 0xD2 )或一个阅读条件( 0xD3 ) 。
下面这个地址字节的确认,在
写模式:
该
命令字节
和
字节
数字节必须由主发送
但由从属忽略,在
阅读方式:
该
字节
计数字节
会
主机读取
那么所有其他
数据字节。字节数字节
默认情况下,在
电是= ( 0×09 ) 。
I2C控制寄存器
1字节6 :输出寄存器
( 1 =启用, 0 =禁用)
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针#
48
-
-
-
45, 44
43, 42
39, 38
34, 33
默认
1
0
0
0
1
1
1
1
描述
SEL_DDR ( I2C俱备只,价值是通过pin48设置)
增强的SDRAM驱动器。 1 =增强25 %
增强的DDR硬盘。 1 =增强25 %
版权所有
DDR11T , DDR11C
DDR10T , DDR10C
DDR9T , DDR9C
DDR8T , DDR8C
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转00年11月7日第3页
PLL103-02
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
2.字节7 :输出寄存器
( 1 =启用, 0 =禁用)
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针#
30, 29
28, 27
21, 22
19, 20
15, 16
10, 11
6, 7
4, 5
默认
1
1
1
1
1
1
1
1
描述
DDR7T , DDR7C
DDR6T , DDR6C
DDR5T , DDR5C
DDR4T_SDRAM6 , DDR4C_SDRAM7
DDR3T_SDRAM4 , DDR3C_SDRAM5
DDR2T_SDRAM2 , DDR2C_SDRAM3
DDR1T_SDRAM0 , DDR1C_SDRAM1
DDR0T , DDR0C
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转00年11月7日第4页
PLL103-02
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
电气规格
1.绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压, DC
输出电压,直流
储存温度
工作环境温度
ESD电压
符号
V
DD
V
I
V
O
T
S
T
A
分钟。
V
SS
-
0.5
V
SS
-
0.5
V
SS
-
0.5
-65
0
马克斯。
7.0
V
DD
+
0.5
V
DD
+
0.5
150
70
2
单位
V
V
V
°C
°C
KV
超出长时间最大额定值所指明的限制条件下的曝光装置的可能会造成永久性的损坏
装置,并影响了产品的可靠性。这些条件表示在这些或任何其它的应力只等级,并且该器件的功能性操作
上述本说明书中提到的操作限制条件是不是暗示。
2.工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入电容
输出电容
符号
V
DD3.3
V
DD2.5
C
IN
C
OUT
分钟。
3.135
2.375
马克斯。
3.465
2.625
5
6
单位
V
V
pF
pF
3.电气规格
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高
电压
输出低
电压
输出高
当前
输出低
当前
注意:
TBM :要测量
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
条件
除了I2C所有输入
除了I2C所有输入
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0
IOL = -12mA ,
IOL = 12毫安,
VDD = 2.375V
VDD = 2.375V
分钟。
2.0
V
SS
-0.3
典型值。
马克斯。
V
DD
+0.3
0.8
TBM
TBM
单位
V
V
uA
uA
V
1.7
0.6
-18
26
-32
35
V
mA
mA
VDD = 2.375V , VOUT = 1V
VDD = 2.375V , VOUT = 1.2V
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转00年11月7日第5页
PLL103-02 Rev.D
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
特点
产生24的输出缓冲器由一个输入端。
最多支持四个DDR DIMM内存模块。
支持266MHz的DDR SDRAM 。
一个额外的输出反馈。
比5ns的延迟更少。
任何输出间偏斜小于100 ps的。
2.5V电源电压范围。
增强的DDR输出驱动选择I2C 。
可提供48引脚SSOP 。
引脚配置
FBOUT
VDD2.5
GND
DDR0T
DDR0C
DDR1T
DDR1C
VDD2.5
GND
DDR2T
DDR2C
VDD2.5
BUF_IN
GND
DDR3T
DDR3C
VDD2.5
GND
DDR4T
DDR4C
DDR5T
DDR5C
VDD2.5
SDATA
1
2
3
4
5
6
7
8
48
47
46
45
44
43
42
41
N / C
VDD2.5
GND
DDR11T
DDR11C
DDR10T
DDR10C
VDD2.5
GND
DDR9T
DDR9C
VDD2.5
PD #
GND
DDR8T
DDR8C
VDD2.5
GND
DDR7T
DDR7C
DDR6T
DDR6C
GND
SCLK
PLL103-02
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
框图
DDR0T
SDATA
SCLK
I2C
控制
DDR0C
DDR1T
DDR1C
DDR2T
DDR2C
DDR3T
DDR3C
DDR4T
BUF_IN
DDR4C
DDR5T
DDR5C
DDR6T
DDR6C
DDR7T
DDR7C
DDR8T
DDR8C
DDR9T
DDR9C
DDR10T
DDR10C
DDR11T
DDR11C
PD #
注意:
# :低电平有效
说明
该PLL103-02 Rev.D被设计为一个2.5V的缓冲
在PC应用分发高速时钟。
该器件具有24个输出。这些输出可以
配置支持4个非缓冲DDR DIMM内存模块。
该PLL103-02 Rev.D可以结合使用
与PLL202-04或类似的时钟合成器
威盛Pro的266芯片组。
该PLL103-02 Rev.D还具有一个I2C接口,
它可以启用或禁用每个输出时钟。
上电时,所有输出时钟使能(有
内部上拉) 。
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转01年1月11日第1页
PLL103-02 Rev.D
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
引脚说明
名字
FBOUT
BUF_IN
PD
N / C
DDR [ 0:11 ] T ...
数
1
13
36
48
4,6,10,15,19,
21,28,30,34,
39,43,45
5,7,11,16,20,
22,27,29,33,
38,42,44
2,8,12,17,23,
32,37,41,47
3,9,14,18,26,
31,35,40,46
TYPE
O
I
I
反馈时钟芯片组。
从芯片组的参考输入。
描述
掉电控制输入。低时,它会三态输出全部。
未连接。
O
这些输出提供BUF_IN的真实副本。
DDR [ 0:11 ]
VDD2.5
GND
O
P
P
这些输出提供BUF_IN互补的副本。
2.5V电源。
地面上。
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转01年1月11日第2页
PLL103-02 Rev.D
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
I2C总线配置设置
地址分配
SLAVE
接收器/发送器
数据传输速率
A6
1
A5
1
A4
0
A3
1
A2
0
A1
0
A0
1
读/写
_
同时提供从设备的写和读回功能
为100kbits / s的标准模式
该串行协议设计,让这两个区块写入和从控制器读取。该
字节必须按顺序访问的从最低到最高字节。每个字节传输
必须跟1应答位。不承认比特传输的字节
终止传输。写或读数据块都与主机发送一个从开始
地址和写条件( 0xD2 )或一个阅读条件( 0xD3 ) 。
下面这个地址字节的确认,在
写模式:
该
命令字节
和
字节
数字节必须由主发送
但由从属忽略,在
阅读方式:
该
字节
计数字节
会
主机读取
那么所有其他
数据字节。字节数字节
默认情况下,在
电是= ( 0×09 ) 。
数据协议
I2C控制寄存器
1字节6 :输出寄存器
( 1 =启用, 0 =禁用)
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针#
48
-
-
-
45, 44
43, 42
39, 38
34, 33
默认
1
0
0
0
1
1
1
1
描述
版权所有
版权所有
增强的DDR硬盘。 1 =增强25 %
版权所有
DDR11T , DDR11C
DDR10T , DDR10C
DDR9T , DDR9C
DDR8T , DDR8C
47745弗里蒙特大道,弗里蒙特,加利福尼亚州94538电话:( 510 ) 492-0990传真:( 510 ) 492-0991
转01年1月11日第3页
PLL103-02 Rev.D
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
2.字节7 :输出寄存器
( 1 =启用, 0 =禁用)
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针#
30, 29
28, 27
21, 22
19, 20
15, 16
10, 11
6, 7
4, 5
默认
1
1
1
1
1
1
1
1
描述
DDR7T , DDR7C
DDR6T , DDR6C
DDR5T , DDR5C
DDR4T , DDR4C
DDR3T , DDR3C
DDR2T , DDR2C
DDR1T , DDR1C
DDR0T , DDR0C
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PLL103-02 Rev.D
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
电气规格
1.绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压, DC
输出电压,直流
储存温度
工作环境温度
ESD电压
符号
V
DD
V
I
V
O
T
S
T
A
分钟。
V
SS
-
0.5
V
SS
-
0.5
V
SS
-
0.5
-65
0
马克斯。
7.0
V
DD
+
0.5
V
DD
+
0.5
150
70
2
单位
V
V
V
°C
°C
KV
超出长时间最大额定值所指明的限制条件下的曝光装置的可能会造成永久性的损坏
装置,并影响了产品的可靠性。这些条件表示在这些或任何其它的应力只等级,并且该器件的功能性操作
上述本说明书中提到的操作限制条件是不是暗示。
2.工作条件
参数
电源电压
输入电容
输出电容
符号
V
DD2.5
C
IN
C
OUT
分钟。
2.375
马克斯。
2.625
5
6
单位
V
pF
pF
3.电气规格
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高
电压
输出低
电压
输出高
当前
输出低
当前
注意:
TBM :要测量
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
条件
除了I2C所有输入
除了I2C所有输入
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0
IOL = -12mA ,
IOL = 12毫安,
VDD = 2.375V
VDD = 2.375V
分钟。
2.0
V
SS
-0.3
典型值。
马克斯。
V
DD
+0.3
0.8
TBM
TBM
单位
V
V
uA
uA
V
1.7
0.6
-18
26
-32
35
V
mA
mA
VDD = 2.375V , VOUT = 1V
VDD = 2.375V , VOUT = 1.2V
47745弗里蒙特大道,弗里蒙特,加利福尼亚州94538电话:( 510 ) 492-0990传真:( 510 ) 492-0991
转01年1月11日第5页
PLL103-02
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
特点
产生24的输出缓冲器由一个输入端。
最多支持四个DDR DIMM或2 SDRAM
的DIMM 。
支持266MHz的DDR SDRAM 。
一个额外的输出反馈。
比5ns的延迟更少。
任何输出间偏斜小于100 ps的。
2.5V或3.3V电源电压范围。
增强的DDR和SDRAM输出驱动
通过I2C选择。
可提供48引脚SSOP 。
引脚配置
FBOUT
VDD3.3_2.5
GND
DDR0T
DDR0C
DDR1T_SDRAM0
DDR1C_SDRAM1
VDD3.3_2.5
GND
DDR2T_SDRAM2
DDR2C_SDRAM3
VDD3.3_2.5
BUF_IN
GND
DDR3T_SDRAM4
DDR3C_SDRAM5
VDD3.3_2.5
GND
DDR4T_SDRAM6
DDR4C_SDRAM7
DDR5T
DDR0T
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
SEL_DDR
VDD2.5
GND
DDR11T
DDR11C
DDR10T
DDR10C
VDD2.5
GND
DDR9T
DDR9C
VDD2.5
PD #
GND
DDR8T
DDR8C
VDD2.5
GND
DDR7T
DDR7C
DDR6T
DDR6C
GND
SCLK
PLL103-02
框图
DDR5C
VDD3.3_2.5
SDATA
SDATA
SCLK
I2C
控制
DDR0C
DDR1T_SDRAM0
DDR1C_SDRAM1
DDR2T_SDRAM2
DDR2C_SDRAM3
DDR3T_SDRAM4
DDR3C_SDRAM5
DDR4T_SDRAM6
注意:
# :低电平有效
说明
该PLL103-02被设计成一个3.3V / 2.5V缓冲区
在PC应用程序分发高速时钟。该
器件具有24个输出。这些输出可以
配置支持4个非缓冲DDR DIMM内存
或者支持2无缓冲SDRAM标准的DIMM
2 DDR DIMM内存模块。该PLL103-02可被用
与PLL202-04或类似的时钟相结合
合成的VIA Pro的266芯片组。
该PLL103-02还具有一个I2C接口,可
启用或禁用每个输出时钟。上电时,
所有输出时钟使能(具有内部上拉) 。
BUF_IN
DDR4C_SDRAM7
DDR5T
DDR5C
DDR6T
DDR6C
DDR7T
DDR7C
DDR8T
DDR8C
DDR9T
DDR9C
DDR10T
DDR10C
DDR11T
DDR11C
PD #
47745弗里蒙特大道,弗里蒙特,加利福尼亚州94538电话:( 510 ) 492-0990传真:( 510 ) 492-0991
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PLL103-02
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
引脚说明
名字
FBOUT
BUF_IN
PD
数
1
13
36
TYPE
O
I
I
描述
反馈时钟芯片组。输出电压取决于VDD3.3_2.5V 。
从芯片组的参考输入。 3.3V输入标准SDRAM模式;
2.5V输入DDR -only模式。
掉电控制输入。低时,它会三态输出全部。
SEL_DDR
48
I
输入配置DDR -only模式或标准SDRAM的模式。
1 = DDR -only模式(当VDD3.3_2.5选择2.5V ) ; 0 =
标准SDRAM模式(当VDD3.3_2.5选择3.3V ) 。在
DDR -only模式,引脚4 , 5 , 6 , 7 , 10 , 11 , 15 , 16 , 19 , 20 , 21 , 22 , 27 ,
28 , 29 , 30 , 33 , 34 , 38 , 39 , 42 , 43 , 44和45将被配置为
DDR输出。在标准的SDRAM模式下,引脚6,7, 11,15, 16,19
和20将被设置为标准的SDRAM输出。引脚27 ,
28 , 29 , 30 , 33 , 34 , 38 , 39 , 42 , 43 , 44和45将被配置为
DDR输出。引脚4 , 5 , 21和22将是三态。
这些输出提供BUF_IN的真实副本。
这些输出提供BUF_IN互补的副本。
当SEL_DDR = 1 ,这些输出提供DDR模式输出;当
SEL_DDR = 0 ,这些输出提供标准SDRAM模式的输出。
电压摆幅取决于VDD3.3_2.5 。
当SEL_DDR = 1 ,这些输出提供了互补的副本
BUF_IN ;当SEL_DDR = 0 ,这些输出提供标准SDRAM
模式的输出。电压摆幅取决于VDD3.3_2.5 。
当VDD = 2.5V , SEL_DDR = 1 。 DDR -only模式中选择;当
VDD = 3.3V , SEL_DDR = 0 。标准SDRAM的模式被选择。
2.5V电源。
地面上。
DDR [ 0,5 : 11 ] T ...
DDR [ 0,5 : 11 ]
DDR [1: 4] T_SDRA
M [0,2,4,6]
DDR [1: 4] C_SDRA
M [1,3,5,7]
VDD3.3_2.5
VDD2.5
GND
4,21,28,30,34,
39,43,45
5,22,27,29,33,
38,42,44
6,10,15,19
O
O
O
7,11,16,20
2,8,12,17,23
32,37,41,47
3,9,14,18,26,
31,35,40,46
O
P
P
P
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PLL103-02
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
地址分配
接收器/发送器
数据传输速率
A6
A5
1
A4
0
A3
1
A2
0
A1
0
A0
1
读/写
_
同时提供从写入和
为100kbits / s的标准模式
该串行协议设计,让这两个区块写入和从控制器读取。该
字节必须按顺序访问的从最低到最高字节。每个字节传输
终止传输。写或读数据块都与主机发送一个从开始
地址和写条件( 0xD2 )或一个阅读条件( 0xD3 ) 。
下面这个地址字节的确认,在
写模式:
该
命令字节
和
字节
数字节必须由主发送
但由从属忽略,在
阅读方式:
该
字节
计数字节
会
主机读取
那么所有其他
数据字节。字节数字节
默认情况下,在
电是= ( 0×09 ) 。
I2C控制寄存器
1字节6 :输出寄存器
( 1 =启用, 0 =禁用)
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针#
48
-
-
-
45, 44
43, 42
39, 38
34, 33
默认
1
0
0
0
1
1
1
1
描述
SEL_DDR ( I2C俱备只,价值是通过pin48设置)
增强的SDRAM驱动器。 1 =增强25 %
增强的DDR硬盘。 1 =增强25 %
版权所有
DDR11T , DDR11C
DDR10T , DDR10C
DDR9T , DDR9C
DDR8T , DDR8C
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PLL103-02
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
2.字节7 :输出寄存器
( 1 =启用, 0 =禁用)
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针#
30, 29
28, 27
21, 22
19, 20
15, 16
10, 11
6, 7
4, 5
默认
1
1
1
1
1
1
1
1
描述
DDR7T , DDR7C
DDR6T , DDR6C
DDR5T , DDR5C
DDR4T_SDRAM6 , DDR4C_SDRAM7
DDR3T_SDRAM4 , DDR3C_SDRAM5
DDR2T_SDRAM2 , DDR2C_SDRAM3
DDR1T_SDRAM0 , DDR1C_SDRAM1
DDR0T , DDR0C
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PLL103-02
DDR SDRAM缓存的台式机有4个DDR DIMM内存
电气规格
1.绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压, DC
输出电压,直流
储存温度
工作环境温度
ESD电压
符号
V
DD
V
I
V
O
T
S
T
A
分钟。
V
SS
-
0.5
V
SS
-
0.5
V
SS
-
0.5
-65
0
马克斯。
7.0
V
DD
+
0.5
V
DD
+
0.5
150
70
2
单位
V
V
V
°C
°C
KV
超出长时间最大额定值所指明的限制条件下的曝光装置的可能会造成永久性的损坏
装置,并影响了产品的可靠性。这些条件表示在这些或任何其它的应力只等级,并且该器件的功能性操作
上述本说明书中提到的操作限制条件是不是暗示。
2.工作条件
参数
电源电压
电源电压
输入电容
输出电容
符号
V
DD3.3
V
DD2.5
C
IN
C
OUT
分钟。
3.135
2.375
马克斯。
3.465
2.625
5
6
单位
V
V
pF
pF
3.电气规格
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
输出高
电压
输出低
电压
输出高
当前
输出低
当前
注意:
TBM :要测量
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
条件
除了I2C所有输入
除了I2C所有输入
V
IN
= V
DD
V
IN
= 0
IOL = -12mA ,
IOL = 12毫安,
VDD = 2.375V
VDD = 2.375V
分钟。
2.0
V
SS
-0.3
典型值。
马克斯。
V
DD
+0.3
0.8
TBM
TBM
单位
V
V
uA
uA
V
1.7
0.6
-18
26
-32
35
V
mA
mA
VDD = 2.375V , VOUT = 1V
VDD = 2.375V , VOUT = 1.2V
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