飞利浦半导体可编程逻辑器件
产品speci fi cation
CMOS可编程的多功能PLD
(42
×
105
×
12)
PLC42VA12
描述
新PLC42VA12 CMOS PLD从
飞利浦半导体表现出独特的
这两个建筑概念组合
彻底改变了PLD市场。
飞利浦半导体独特的输出
宏单元（ OMC ），无不体现着
优点和无缺点的
用“ V”型输出宏相关
电池装置。这种新的设计，结合
两个可编程的附加功能
数组，表示显著进步
在可配置性和效率
多功能的PLD 。
在最显著改善
输出宏单元结构是
实现寄存器旁路
功能。任何为10J -K / D寄存器可以
单独地旁路，这样就产生一
组合I /从与数组O路径
输出引脚。不像其他的“V”型装置，
在PLC42VA12宏单元的寄存器
仍然是全功能的埋寄存器。
这两个组合的I / O和寄存器埋
有独立的输入通道（从与
阵列） 。在大部分的V型结构，所述
寄存器丢失作为资源时的小区是
被配置为一个组合的I / O 。这
功能提供了操作的能力
从掩埋寄存器独立地
组合I / O 。
该PLC42VA12为EPROM型CMOS
装置。的设计可以通过生成
飞利浦半导体SNAP PLD设计
软件包或者其他几个之一
市售的JEDEC标准PLD
设计软件包。
特点
高速EPROM型CMOS
多功能可编程逻辑器件
–
超级组22V10 ， 32VX10和
20RA10 PAL集成电路
销刀豆网络gurations
FA和N封装
年龄
I0/CLK
I1
I2
I3
I4
I5
I6
I7
I8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
24 V
CC
23 M9
22 M8
21 M7
20 M6
19 M5
18 M4
17 M3
16 M2
15 M1
14 M0
13 I9 / OE
两个完全可编程阵列消除
“P -长期消耗”
–
最多64个P-方面每OR功能
提高输出宏单元结构
–
单独编程为：
*注册的输出与反馈
*注册输入
*组合I / O与埋注册
*专用I / O与反馈
*专用输入（组合）
–
旁路寄存器是100 ％的功能
配有独立的输入和反馈路径
–
各个输出使能控制
功能
*自销或与阵列
B0 10
B1 11
GND 12
可重编程 - 100 ％测试
可编程性
N =塑料DIP （ 300MIL宽）
FA =陶瓷DIP与石英窗口（ 300MIL宽）
十一时钟源
注册预紧和诊断测试模式
特点
A包装
I2
4
I0/
I1 CLK N / C V
CC
M9 M8
3
2
1
28
27
26
25 M7
24 M6
23 M5
22 N / C
21 M4
20 M3
19 M2
12
13
14
15
16
17
18
安全保险丝
应用
–
同步
–
异步
I3
I4
I5
N / C
I6
5
6
7
8
9
粉状或摩尔状态机
多个独立的状态机
10位异步级联
序识别
总线协议的产生
工业控制
A / D扫描
I7 10
I8 11
B0 B1 GND N / C I9 / M0 M1
OE
A =塑料有引线芯片载体（ 450mil方）
订购信息
描述
24引脚陶瓷双列直插与窗口，
可重复编程（ 300MIL宽）
24引脚塑料双列直插式，
一次性可编程（ 300MIL宽）
28引脚塑料有引线芯片载体，
一次性可编程（ 450mil宽）
订货编号
PLC42VA12FA
PLC42VA12N
PLC42VA12A
图号
1478A
0410D
0401F
PAL制式是Advanced Micro Devices ，Inc.的注册商标。
1993年10月22日
73
853–1414 11164
飞利浦半导体可编程逻辑器件
产品speci fi cation
CMOS可编程的多功能PLD
(42
×
105
×
12)
绝对最大额定值
1
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
I
IN
I
OUT
T
AMB
T
英镑
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
工作温度范围
存储温度范围
评级
-0.5到+7
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到V
CC
+0.5
-10至+10
+24
0至+75
-65到+150
单位
V
DC
V
DC
V
DC
mA
mA
°C
°C
PLC42VA12
热额定值
温度
最大结
最高环境
允许热
上升到环境
连接点
150
°
C
75
°
C
75
°
C
注意：
1.强调上面列出的那些可能会导致故障或永久损坏设备。这
是一种应激只有评级。这些功能操作或任何其他条件超出上述
在设备的操作和编程规范表示是不是暗示。
AC测试条件
V
CC
+5V
S
1
电压波形
+3.0V
90%
C
1
C
2
I
n
OE
M
Z
R
1
0V
5ns
R
2
C
L
+3.0V
t
R
t
F
5ns
10%
输入
I
n
B
M
B
M
CK
DUT
90%
10%
GND
M
Z
0V
输出
5ns
5ns
注意：
C
1
和C
2
要绕过V
CC
到GND 。
测量：
所有的电路延迟在+ 1.5V电平测量
的输入和输出，除非另有规定。
测试负载电路
输入脉冲
1993年10月22日
77
QQ：2880707522 复制
