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分立半导体
数据表
PLB16004U
微波功率晶体管
产品speci fi cation
取代1994年12月数据
1997年02月18
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微波功率晶体管
特点
扩散发射极镇流电阻器
完善优良的电流共享
并承受高VSWR
叉指式共基极
结构提供了高射
效率
镀金与障碍
实现了非常稳定的特性
和优良的一生
多单元的几何形状提供了良好的
耗散功率的平衡，
低热阻
内部输入和输出
prematching网络允许的
电路更简单的设计。
应用
拟在共基极的使用
C类功率放大器为1.6 GHz 。
3
PLB16004U
快速参考数据
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在一个共同的基类C的
窄带扩增fi er 。
的模式
手术
C类（ CW ）
f
（千兆赫）
1.6
V
CC
(V)
28
P
L
(W)
>4.5
G
p
（ dB）的
>8.5
η
C
(%)
>40
Z
i
; Z
L
()
参见图5
和6
钉扎 - SOT437A
针
1
2
3
集热器
辐射源
底座连接到FL法兰
描述
手册中， 4列
1
c
b
e
2
顶视图
MAM112
描述
NPN硅平面外延
在微波功率晶体管
SOT437A粘盖金属陶瓷
法兰封装，连接基地
法兰。
Fig.1简化外形和符号。
警告
产品和环境安全 - 有毒物质
本品含有氧化铍。该产品是完全安全的前提是BeO的板坯不被损坏。
所有的人谁处理，使用或处置该产品应该知道它的性质和必要的安全
预防措施。使用后，可根据应用的位置法规处置化学废物或特殊废物
该用户。它绝不能抛出与一般的或生活垃圾。
1997年02月18
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微波功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
T
SLD
记
1.向上至0.3毫米的陶瓷。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
总功耗
储存温度
结温
焊接温度
t
≤
10秒;注1
T
mb
= 75
°C
R
BE
= 0
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
PLB16004U
分钟。
马克斯。
40
40
15
3
0.5
9
+150
200
235
单位
V
V
V
V
A
W
°C
°C
°C
手册， halfpage
10
MLC457
P合计
(W)
8
6
4
2
0
50
0
50
100
150
200
o
牛逼MB （ C）
图2功率降额曲线。
1997年02月18
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微波功率晶体管
热特性
符号
R
日J- MB
R
日MB -H
记
1.见
“安装建议的手册SC19a的通用部分” 。
特征
T
mb
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CES
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
直流电流增益
条件
R
BE
= 0; V
CE
= 30 V
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
C
= 1毫安;我
E
= 0
I
C
= 300毫安; V
CE
= 5 V
40
40
3
15
分钟。
参数
从结热阻安装基座
条件
T
j
= 100
°C
PLB16004U
马克斯。
11
0.3
单位
K / W
K / W
从安装基座热阻散热器注1
马克斯。
200
V
V
V
单位
A
100
应用信息
微波性能达至T
mb
= 25
°C
在共基极测试电路，如图3所示。
的模式
手术
C类（ CW ）
f
（千兆赫）
1.6
V
CC
(V)
28
P
L
(W)
（典型值） 。五
G
p
（ dB）的
（典型值） 。 10
η
C
(%)
（典型值） 。 50
Z
i
; Z
L
()
参见图5和图6
1997年02月18
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
微波功率晶体管
PLB16004U
手册，全页宽
30
30
2.5 3.0 2.5
2.0
5.0
8.0
7.8
2.5 5.0
6.5
16.0
40
1.1
2.5
4.0
4.0
3.0
5.8
4.0
4.0
18.5
40
1.1
MLC456
尺寸（mm） 。
基材：特氟龙玻璃纤维。
厚度：0.4毫米。
介电常数：
ε
r
= 2.55.
图3窄带测试电路。
手册， halfpage
6
MLC458
PL
(W)
4
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
P I （W）的
V
CC
= 28 V ; F = 1.6千兆赫。
图4负载功率作为输入功率的函数。
1997年02月18
5
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