设计规范网络阳离子
300mA低压双噪声LDO
PL2211
描述
该PL2211是一款双CMOS低压差线性稳压器
超低噪声输出，非常低的压差电压，
非常低接地电流。
该PL2211从2.5V至5.5V的输入电压工作
范围，提供高达300mA的电流，以200低压差
毫伏的300毫安。 PL2211的其他功能还包括短期
短路保护和热关断保护。
该PL2211是专为电池供电
便携式设备。它的低噪音特性使得PL2211理想
对噪声敏感的个人通信应用。
为PL2211等重点应用领域还包括：
掌上型计算机，PCMCIA卡和无线局域网卡。
该PL2211具有特殊的功能，如果同时EN引脚
同时启用LDO2延迟的输出20us的
从LDO1的输出，有助于最大限度地减少浪涌
启动电流。
该PL2211是微小的10PIN采用3mm x 3mm MLF可用
（ 10L - TDLMF ）封装，固定输出电压版本。
特点
保证300mA负载电流/ LDO
超低输出噪声： 100μV
RMS
低接地电流： 200μA
非常低压差： 180mV @ 300毫安
零关断电源电流
TTL逻辑控制的独立的使能输入
热和电流限制保护
低ESR电容兼容实现
超低下垂的负载瞬态响应
超快速线路瞬态响应
微小的10PIN的3mm x 3mm MLF （ 10L - TDLMF ）封装
选择固定1.5V ， 1.8V ， 2.5V ， 2.8V ， 3.0V和3.3V
应用
手机和无绳电话
无线局域网卡
掌上电脑
个人通讯设备
典型用途
电源IC公司
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-1-
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300mA低压双噪声LDO
PL2211
引脚配置
标记DIAGRAMS
订购信息
产品型号
PL2211 - 15VZ
PL2211 - 15UZ
PL2211 - 18VZ
PL2211 - 18UZ
PL2211 - 25VZ
PL2211 - 25UZ
PL2211 - 27VZ
PL2211 - 27UZ
PL2211 - 28VZ
PL2211 - 28UZ
PL2211 - 30VZ
PL2211 - 30UZ
PL2211 - 33VZ
PL2211 - 33UZ
输出电压
1.5
1.5
1.8
1.8
2.5
2.5
2.7
2.7
2.8
2.8
3.0
3.0
3.3
3.3
记号
dBAMW
DBBMW
DBCMW
DBDMW
DBEMW
DBFMW
DBGMW
DBHMW
DBIMW
DBJMW
DBKMW
DBLMW
DBMMW
DBNMW
包
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
10L-TDLMF
注1：与工厂其它输出电压不在上述表联系
引脚说明
名字
IN
EN1
EN2
BYP
GND
OUT2
OUT1
PIN号
1
2
3
4
6
9
10
TYPE
供应
逻辑输入1
逻辑输入2
绕行
地
模拟量输出2
模拟量输出1
功能
电源电压。 2.5V 5.5V 。
开启/关闭。 CMOS兼容输入。逻辑“H” ：启用，逻辑“L” ：关机。
开启/关闭。 CMOS兼容输入。逻辑“H” ：启用，逻辑“L” ：关机。
基准电压旁路引脚。连接的0.01uF
≦
C
BYP
≦
0.1uF的电容到地减少
输出噪声。可以悬空。
接地引脚
稳压器2输出。
稳压器1输出。
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300mA低压双噪声LDO
PL2211
绝对最大额定值
符号
V
IN
V
EN
P
D
T
英镑
R
θJA
T
， MAX
T
L
ESD
参数
直流电源电压的引脚1
使能输入电压在引脚2和引脚3
连续功率耗散
存储温度范围
热阻，结到空气
工作结温
引线温度（焊接， 5秒）
ESD能力， HBM型号
价值
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
内部限制
-65到+150
235
-40到+125
260
2
单位
V
V
W
℃
℃/W
℃
℃
kV
推荐工作条件
符号
V
IN
V
EN
T
A
参数
直流电源电压的引脚1
使能输入电压在引脚2和引脚3
工作环境温度
价值
2.5 5.5
0到V
IN
-40至+85
单位
V
V
℃
电气特性
(V
IN
=V
OUT （标称）
+ 1V或2.5V （以较高者为准） ，V
EN
=V
IN，
C
IN
=C
OUT
= 1μF ，我
O
=1mA,
T
A
=25°C,
除非另有说明）。
符号
V
IN
V
OUT
V
负载
VL =
LINE
V
DP
I
O
ILIM
参数
电源电压
输出电压精度
负载调整率
线路调整
dV
OUT
/ （的dV
IN
*V
OUT （标称）
)*100%
输入输出电压差（注1 ）
最大输出电流
电流限制/输出电流
测试条件
I
O
= 1毫安（包括监管机构）
I
O
= 1mA至300mA（对两个稳压器）
V
IN
=V
OUT （标称）
+ 0.1V （或2.5V ，取
大值）为5.5V ，我
O
= 1毫安（包括监管机构）
I
负载
= 300mA（对两个稳压器）
I
负载
= 100毫安（包括监管机构）
连续
V
IN
-V
OUT
= 1.3V （调节器1 ）
V
IN
-V
OUT
= 1.3V （稳压2 ）
V
EN
= 0V
I
LOAD1
= I
LOAD2
= 1毫安（包括稳压器有效）
F = 100Hz的， COUT = 1μF ， CBYP = 10nF的
F = 10KHz的， COUT = 1μF ， CBYP = 10nF的
C
OUT
= 1μF ，C
BYP
= 10nF的，
F = 10Hz到100K赫兹（VP -P / 2 / √ 2 ）
分钟。
2.5
-1.0
典型值。
MAX 。 UNIT
5.5
1.0
0.5
0.05
V
%
%
%/V
mV
mV
mA
RMS
mA
180
80
300
350
350
600
600
0.02
200
75
70
100
165
20
220
100
I
Q
I
G
PSRR
PSRR
待机电流
接地引脚电流
纹波抑制，我
OUT
= 10毫安，
输出电压噪声
热关断温度
热关断迟滞
1
300
A
A
dB
dB
V
RMS
°C
°C
V
V
IH
V
IL
I
EN
逻辑输入高电压（ EN ）
逻辑输入低电压（ EN \\ ）
逻辑输入电流（ SHDN \\ ）
（两个调节器）
（两个调节器）
（两个调节器）
1.2
0.4
-1
1
V
A
注1：电压差定义为
V
IN
-
V
OUT
，当
V
OUT
is
2%
下面的值
V
OUT
测量
V
IN
=V
OUT （标称）
+1V.
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300mA低压双噪声LDO
PL2211
上升时间是35us通常在300毫安输出电流。
EN引脚连接到IN引脚的正常运行
欠压锁定
当输入电压过低（低于2.0V ）的
PL2211产生一个内部UVLO （欠压
锁定）信号产生一个故障信号，并隔
下来的芯片。这种机制可以保护芯片
制造虚假的逻辑，由于低输入电源。
快速充电模式
该PL2211具有快速充电模块来获取基准
最多很快被充电BYP电容器具有非常
大电流在芯片散发出来的关闭。这
快速充电模块停止充电BYP电容器
当基准达到95％的标称值的和
那么芯片可切换快速充电模式出来
正常运行模式。
过温保护
过温保护范围总功率
消散在PL2211 。当结
温度超过T
j
= + 155 ° C，热传感器
信号的关断逻辑，并关闭通
晶体管。热传感器接通传输晶体管
再后， IC的结温下降
15°C,
导致在连续热 - 脉冲输出
过载的情况。
热过载保护是设计来保护
PL2211中的一个故障的情况下。对于不断
操作时，不要超过最大结
TJ = + 150°C的温度等级。
工作区和功耗
在PL2211最大功耗取决于1 ）
的情况下与电路板的耐热性， 2）的
管芯结之间的温度差
环境，以及3）的气流的速度。的功率耗散
在器件是：
P = IOUT（ VIN - Vout的）
最大功耗为：
PMAX = （ TJ - TA ） / （ θJC +
θCA ）
其中， （TJ - 钽）之间的温度差
的PL2211芯结和周围空气;
θJC
为
封装的热阻;和
= CA
是热
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操作说明
在PL2211是超低噪音，低压差，低
专为节省空间的静态电流的线性稳压器
受限制的应用程序。这些器件可提供负载高达
300mA的电流。如图所示框图中， PL2211
由一个高度精确的带隙铁心，噪声旁路
电路，误差放大器， P沟道晶体管和
内部反馈分压器。在1.0V带隙
引用被连接到误差放大器的反相
输入。误差放大器作比较这与参考
反馈电压，并放大该差。如果
反馈电压低于基准电压时，所述
传输晶体管的栅极被拉低。这使得更多
电流传递给输出和增加输出
电压。如果反馈电压过高时，通
晶体管的栅极被拉高，允许更小的电流
传递到输出端。输出电压反馈
通过内部电阻分压器连接到
OUT引脚。一个外部旁路电容连接到
BYP降低噪声的输出。附加块
包括一个限流器，过热保护，
和关断逻辑。
内部P沟道MOSFET
该PL2211设有1Ω （典型值） P沟道MOSFET
晶体管。这提供了类似的几大优势
使用PNP传输晶体管，包括更长的设计
电池寿命。所述P沟道MOSFET不需要基
驱动器，这大大降低了静态电流。
PNP型稳压浪费在相当大的电流
辍学时，导通晶体管饱和。他们还使用
在重负载下的高基极驱动电流。在PL2211
这些问题不吃亏，只有消费
200μA在轻负载静态电流。
电流限制
的PL2211包括一个限流器。它监视
输出电流，并控制传输晶体管的栅极
电压限制在550毫安（典型值）的输出电流。
该输出可以被短路至地无限期
的时间量，而不会损坏部件。
使能输入
该PL2211提供一个高电平有效使能输入（ EN ）
销，使开/关控制的调节器的。该
PL2211偏置电流降低至小于微安的
当其关断漏电流。使能输入
TTL / CMOS兼容的门槛，简单的逻辑
连接。当EN为“ H 1'的输出电压的启动
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双路低噪声LDO
在采用3mm x 3mm MLF
TM
特点
300毫安+ 300毫安双通道高精度
LDO
超低输出噪声： 140
μ
V
RMS
低接地电流： 200
μ
A
非常低压差：为150mV @ 300毫安
零关断电源电流
TTL逻辑控制的独立的使能
输入
热和电流限制保护
超低下垂的负载瞬态响应
超快速线路瞬态响应
微小的10PIN的3mm x 3mm MLF （ 10L - TDLMF ）
包
选择固定1.5V ， 1.8V ， 2.5V ， 2.8V ， 3.0V
和3.3V
描述
该PL2211是一款双CMOS低压差线性
稳压器具有超低噪声输出，极低
低压差和低接地电流。
该PL2211在2.5V至5.5V的输入操作
电压范围内提供高达300mA的电流，具有低
辍学的150毫伏的300毫安。的其它特征
PL2211包括短路保护和热 -
关断保护。
其双通道，低噪声的特点非常适合
微控制器
和
DSP
基于
手持式
应用程序。
为PL2211等重点应用领域还包括：
掌上型计算机，PCMCIA卡和无线局域网
卡。
该PL2211具有特殊的功能，如果同时EN
销被同时启用LDO2的输出
从LDO1的输出，有助于延迟20US
最大限度地减少浪涌启动电流。
该PL2211是微小的10PIN采用3mm x 3mm可用
MLF （ 10L - TDLMF ）封装，固定输出
电压版本。
应用
双电源供电的手持产品
手机和无绳电话
无线局域网卡
数码相机
MP3 / MP4 / CD播放器
优盘
USB集线器和USB 2.0
迷你PCI & PCI Express卡
典型用途
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2007电源IC 。版权所有。
1
引脚说明
名字
IN
EN1
EN2
BYP
GND
OUT2
OUT1
PIN号
1
2
3
4
6
9
10
TYPE
供应
逻辑输入1
逻辑输入2
绕行
地
模拟量输出2
模拟量输出1
功能
电源电压。 2.5V 5.5V 。
开启/关闭。 CMOS兼容输入。逻辑“H” ：启用，逻辑“L” ：
关机。
开启/关闭。 CMOS兼容输入。逻辑“H” ：启用，逻辑“L” ：
关机。
基准电压旁路引脚。连接的0.01uF
≤
C
BYP
≤
0.1uF的电容至GND，
降低输出噪声。可以悬空。
接地引脚
稳压器2输出。
稳压器1输出。
框图
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3
绝对最大额定值
符号
V
IN
V
EN
P
D
T
英镑
R
θJA
T
， MAX
T
L
ESD
参数
直流电源电压的引脚1
使能输入电压在引脚2和引脚3
连续功率耗散
存储温度范围
热阻，结到空气
工作结温
引线温度（焊接， 5秒）
ESD能力， HBM型号
价值
-0.3到+6.0
-0.3到+6.0
内部限制
-65到+150
235
-40到+125
260
2
单位
V
V
W
°c
°c
/W
°c
°c
kV
推荐工作条件
符号
V
IN
V
EN
T
A
参数
直流电源电压的引脚1
使能输入电压在引脚2和引脚3
工作环境温度
价值
2.5 5.5
0到V
IN
-40至+85
单位
V
V
°c
电气特性
符号
V
IN
ΔV
OUT
ΔV
负载
VL =
LINE
VDP
I
O
ILIM
IQ
IG
PSRR
PSRR
(V
IN
=V
OUT （标称）
+ 1V或2.5V （以较高者为准） ，V
EN
=V
IN，
C
IN
=C
OUT
= 1μF ，我
O
= 1毫安，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。 ）
参数
电源电压
输出电压精度
负载调整率
线路调整
dV
OUT
/ （的dV
IN
*V
OUT （标称）
)*100%
输入输出电压差（注1 ）
最大输出电流
电流限制/输出电流
待机电流
接地引脚电流
纹波抑制，我
OUT
= 10毫安，
输出电压噪声
热关断温度
热关断迟滞
逻辑输入高电压（ EN ）
逻辑输入低电压（ EN \\ ）
逻辑输入电流（ SHDN \\ ）
测试条件
I
O
= 1毫安（包括监管机构）
I
O
= 1mA至300mA（对两个稳压器）
V
IN
=V
OUT （标称）
+ 0.1V （或2.5V ，
以较高者为准）至5.5V ，我
O
=1mA
（两个调节器）
I
负载
= 300mA（对两个稳压器）
I
负载
= 100毫安（包括监管机构）
连续
V
IN
-V
OUT
= 1.3V （调节器1 ）
V
IN
-
V
OUT
= 1.3V （稳压2 ）
V
EN
= 0V
I
LOAD1
= I
LOAD2
= 1毫安（包括稳压器
活动）
F = 100Hz的， COUT = 1μF ， CBYP = 10nF的
F = 10KHz的， COUT = 1μF ， CBYP = 10nF的
C
OUT
= 1μF ，C
BYP
= 10nF的，
F = 10Hz到100K赫兹（VP -P / 2 / √2 ）
分钟。
2.5
-1.0
典型值。
马克斯。
5.5
1.0
0.5
0.05
单位
V
%
%
%/V
mV
mV
mA
RMS
mA
150
80
300
350
350
600
600
0.02
200
75
70
140
165
20
220
100
1
300
A
A
dB
dB
V
RMS
°C
°C
V
V
A
VIH
VIL
IEN
（两个调节器）
（两个调节器）
（两个调节器）
1.2
-1
0.4
1
注1：电压差定义为V
IN
- V
OUT
当V
OUT
is
2%
下面V的值
OUT
测量
V
IN
=V
OUT （标称）
+1V.
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4
操作说明
在PL2211是超低噪音，低压差，低
专为静态电流的线性稳压器
空间受限的应用。这些设备可以
供电负荷高达300mA的电流。如图中方框
图中， PL2211由一个高度精确的
带隙铁心，噪声旁路电路，误差放大器，
P沟道晶体管和内部反馈
分压器。在1.0V带隙参考
连接到误差放大器的反相输入端。
误差放大器作比较这与参考
反馈电压，并放大该差。
如果反馈电压低于参考
电压时，通过晶体管栅极被拉低。这
允许更多的电流传递到输出和
增加输出电压。如果反馈
电压过高时，导通晶体管栅极是
拉高，从而允许更小的电流传递到
输出。输出电压反馈通过一个
内部电阻分压器连接到所述
OUT引脚。一个外部旁路电容连接
到BYP降低噪声的输出。另外
块包括一个限流器，在整个温度范围
保护和关断逻辑。
内部P沟道MOSFET
该PL2211设有1Ω （典型值） P沟道MOSFET
通过晶体管。这具有几个优点
在使用PNP传输晶体管类似的设计，
包括更长的电池寿命。所述P沟道MOSFET
不需要的基极驱动，这大大减少了
静态电流。 PNP型稳压浪费
大量的电流差时通
晶体管饱和。他们还利用高基极驱动
在重负载下的电流。该PL2211不
患有这些问题，并只消耗
200μA在轻负载静态电流。
电流限制
的PL2211包括一个限流器。它监视
输出电流和控制传输晶体管的
栅极电压，以限制下的输出电流
600毫安（典型值） 。该输出可以被短路至地
为无限期量，而不会损坏
的部分。
使能输入
该PL2211提供一个高电平有效使能输入
（ EN）引脚，允许开/关控制的调节器的。
的PL2211偏置电流减小到小于
泄漏电流的微安时，它是
关机。使能输入为TTL / CMOS
兼容的门槛，简单的逻辑接口。
当EN为“ H 1'的输出电压的启动上升
时间是35us通常在300毫安输出电流。
EN引脚连接到IN引脚的正常运行
欠压锁定
当输入电压过低（低于2.0V ）
在PL2211产生一个内部欠压锁定（下
欠压闭锁）信号产生故障信号
和关闭该芯片。这种机制可以保证
从制作虚假的逻辑，由于低输入芯片
供应量。
快速充电模式
该PL2211具有快速充电模块，以获得
引用起来很快被充电BYP
电容器具有非常高的电流的芯片时
出来的关闭。这种快速充电模块
停止充电BYP电容器时
基准达到95 ％，其标称值的和
那么芯片切换的快速充电模式进行
到正常工作模式。
过温保护
过温保护范围总功率
消散在PL2211 。当结
温度超过T
j
+ = 165℃ ，热
传感器信号的关断逻辑，并关闭
通过晶体管。热传感器接通通
IC的交界处后，再次对晶体管
温度降至20 ℃，从而导致脉冲
产量
中
连续
热过载保护
条件。
热过载保护是设计来保护
的PL2211中的一个故障的情况下。为
持续经营，不超过绝对
TJ的最高结温额定值=
+150°C.
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