PJSMF05LC
5 - TVS /齐纳阵列，用于ESD和闭锁保护
这家TVS /齐纳阵列被设计用于保护敏感设备
防止ESD ，并防止在CMOS电路闩锁事件
工作在5V直流及以下。这TVS阵列提供了一个集成的解决方案
保护多达5数据线所在的电路板空间是非常宝贵的。
初步
规格特点
100W功率耗散（ 8 / 20μS波形）
低漏电流，最大0.5μA @ 5V直流的
对10V极低的钳位电压，最大@ 9Apk 8 /20μS
IEC61000-4-2 ESD 20kV的空气， 15kV的接触合规性
90pF @为0 Vdc为1 MHz的最大关断状态电容
- 行业标准表面贴装封装SOT363 （ SC70-6L ）
6
5
4
1
应用
个人数字助理（PDA ）
SIM卡端口保护（手机）
便携式仪表
手机及配件
记忆卡端口保护
1
2
3
SOT363
最大额定值（每设备）
等级
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS波形）
峰值脉冲电流（ 8 / 20μS波形）
电压ESD （HBM ）
工作温度范围
存储温度范围
符号
P
pp
I
pp
V
ESD
TJ
T
英镑
价值
100
10
>25
-55到+150
-55到+ 150
单位
W
A
kV
°C
°C
电气特性（每个装置）
TJ = 25°C
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压（ 8 / 20μS ）
钳位电压（ 8 / 20μS ）
关国结电容
关国结电容
符号
V
WRM
V
BR
I
R
V
cl
V
cl
Cj
Cj
I
BR
= 1毫安
V
R
= 5V
我PP = 5A
我PP = 9A
0伏直流偏置F = 1MHz的
I / O引脚与引脚2之间
5伏直流偏置F = 1MHz的
I / O引脚与引脚2之间
条件
民
典型
最大
5
单位
V
V
A
V
V
pF
pF
6
7.2
0.5
9
10
90
45
2/13/2004
页面
1
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