PJP75N75
75V N沟道增强型MOSFET
特点
R
DS （ ON）
, V
GS
@10V,I
DS
@30A=11m
先进的加工技术
用于超低导通电阻高密度电池设计
专为转换器和电源电机控制
充分界定雪崩电压和电流
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
机械数据
案例： TO- 220AB模压塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
标记： P75N75
漏
门
来源
最大额定值和热特性（T
A
=25
O
C除非另有说明）
PA RA M E TE
，D R A I N - S 0乌尔权证武L T A G é
G A T E - S 0乌尔权证武L T A G é
C 0 NT I傩我们 R A I N C-UR 鄂西北
P UL发E D D R A I N C-UR 鄂西北
1)
S YM B○升
V
DS
V
GS
I
D
I
D M
T
A
= 2 5
O
C
T
A
= 7 5
O
C
李密吨
75
+20
75
350
105
6 2 .5
-5 5 1 5 0
ü妮吨s
V
V
A
A
W
O
米喜米UM P 2 O宽E R D所I S的I P A T I O 4 N
P
D
T
J
,T
S T摹
E
AS
R
θ
J·C
R
θ
J A
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
C
雪崩能量单脉冲
I
AS
= 47A ， VDD = 37.5V ， L = 0.3mH
660
1 .2
62
O
mJ
C / W
C / W
结到外壳热阻
结至环境热阻（PCB安装）
2
注：1，最大直流电流受限于包
O
PAN JIT保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知
STAD-JUN.11.2007
PAGE 。 1
PJP75N75
电气特性
( T
A
=25
O
C除非另有说明）
P一RA我忒
S YM B○升
特S T C 0 N D I T I O
M | N 。
TY页。
M A X 。 ü妮吨s
的TA TI
RAI N- S 0乌尔CE B reakdown武ltage
BV
SS
V
的s （次）
V
的s
= 0 V，I
D
= 2 5 0 U一
V
S
= V
的s
, I
D
= 2 5 0 U一
V
的s
= 10V ，我
D
=30A
75
1
-
O
-
-
8.0
-
-
-
-
-
-
3
11
V
V
G A T E苏电子旗下豪升武L T A G é
，D R A I N - S 0乌尔权证 N- S T一T E
- [R （E S） I S T A NC é
R
S（O N）
V
的s
= 10V ，我
D
= 30A ，TC = 125℃
V
S
=75V, V
的s
=0V
V
S
=75V, V
的s
= 0V ，TC = 125
O
C
V
的s
=+2 0 V, V
S
=0 V
V
S
＆ GT ;我
（O N）
个R
S（O N）米一X
, I
D
= 1 5 A
m
-
-
-
-
20
20
1
uA
10
+100
-
nΑ
S
泽R 0尕德武LTA克E D R A I N
C-UR 鄂西北
门体漏
正向跨导
I
S S小
I
摹S S小
g
fS
动态
以T A L G的T式C h的R G é
G A T E - S 0乌尔权证碳公顷R G ê
G A T E - D R A I N碳公顷R G ê
涂R N - O 4 N D E L的钛M E
涂R N - O 4 N R I发E钛M E
涂R N - F F D E L的钛M E
涂R N - F F F一升升的Ti M E
在P ü T C的p一个C I T A N权证
UT P UT ℃的P A C I T A NC é
; V。E R 5 E特征常数A N S F é
C时P A C I T A NC é
Q
g
Q
的s
Q
克
t
（O N）
t
r
t
（O FF ）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RS s
V
S
=2 5 V, V
的s
=0 V
F = 1.0 MH
Z
V
D D
= 30V ，R
L
=15
I
D
= 2A ，V
摹简
=10V
R
G
=2.5
V
S
= 3 0 V，I
D
= 3 0 A
V
的s
=10V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
83
8 .9
24.3
18.2
15.6
7 0 .5
1 3 .8
3150
300
240
-
-
-
22
20
ns
90
18
-
-
-
pF
nC
S 0乌尔权证 - ，D R A I N D I O D E
M A X 。 I O D E F R W A R维C乌尔鄂西北
I
s
V
SD
V
DD
R
L
V
OUT
-
I
S
= 3 0 ，V
的s
= 0 V
-
-
-
0 .8 5
75
1 .5
V
DD
R
L
A
V
I O D E F RWA RD武LTA克é
开关
测试电路
V
IN
栅极电荷
测试电路
V
GS
R
G
1mA
R
G
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PJP75N75
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
I
S
- 源电流（ A）
8
V
DS
=30V
I
D
=30A
100
V
GS
=0V
10
6
T
J
=125
O
C
1
4
T
J
=25
O
C
T
J
=-55
O
C
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
图7 - 栅极电荷
图10 - 源极 - 漏极二极管正向电压
击穿电压（归）
1.2
V
th
- G-的阈值电压（标准化）
1.2
I
D
=250uA
I
D
=250uA
1.15
1.1
1.05
1
0.95
0.9
-50
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50
75 100 125
50
25
0
-25
T
J
- 结tem温度（
o
C)
150
BV
DSS
-
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
J
- 结温（
o
C)
图8 - 阈值电压随结温
图9 - 击穿电压VS结温
100
90
80
I
D
- 漏电流（ A）
1000
RDS （ ON）有限公司
70
60
50
40
30
20
10
0
25
125
100
75
50
T
J
- 结温（
o
C)
150
不限按包
I
D
- 漏电流（ A）
100
100us
10
DC
1ms
10ms
1
0.1
0.1
1000
100
10
1
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
图11 - 最大漏极电流与结温
图12 - 安全工作区
法律声明
版权所有强茂国际2007年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格及信息
本文如有更改，恕不另行通知。潘日新使得对于任何担保，声明或保证
适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用
系统。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
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PJP75N75
75V N沟道增强型MOSFET
特点
R
DS （ ON）
, V
GS
@10V,I
DS
@30A=12m
R
DS （ ON）
, V
GS
@4.5V,I
DS
@30A=18m
先进的加工技术
用于超低导通电阻高密度电池设计
专为转换器和电源电机控制
充分界定雪崩电压和电流
无铅产品： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令的环境
物质指令的要求
机械数据
案例： TO- 220AB模压塑料
终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性
标记： P75N75
漏
引脚分配
门
1.门
2.漏
3.源
来源
最大额定值和热特性（T
A
=25
O
C除非另有说明）
PA RA M E TE
，D R A I N - S 0乌尔权证武L T A G é
G A T E - S 0乌尔权证武L T A G é
C 0 NT I傩我们 R A I N C-UR 鄂西北
P UL发E D D R A I N C-UR 鄂西北
1)
S YM B○升
V
S
V
GS
I
D
I
D M
T
A
= 2 5
O
C
T
A
= 7 5
O
C
P
D
T
J
, T
S T摹
E
AS
R
θ
J·C
R
θ
J A
李密吨
75
+20
75
350
105
6 2 .5
-5 5 + 1 5 0
420
1 .2
62
ü妮吨s
V
V
A
A
W
O
米喜米UM P 2 O宽E R D所I S的I P A T I O 4 N
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
雪崩能量单脉冲
ID = 41A ， VDD = 25V ， L = 0.5mH
结到外壳热阻
结至环境热阻（PCB安装）
2
C
mJ
O
C / W
C / W
O
注：1，最大直流电流受限于包
PAN JIT保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知
STAD-JUN.27.2006
PAGE 。 1
PJP75N75
ELECTRICALCHARACTERISTICS
P一RA我忒
的TA TI
RAI N- S 0乌尔CE B reakdown武ltage
G A T E苏电子旗下豪升武L T A G é
RAI N- S 0乌尔CE N- S大老 esista NC ê
RAI N- S 0乌尔CE N- S大老 esista NC ê
泽R 0 G A T E武L T A G E D R A I N C-UR 鄂西北
门体漏
正向跨导
动态
V
S
= 3 0 V，I
D
= 3 0 ，V
的s
= 5 V
以T A L G的T式C h的R G é
Q
g
-
G A T E - S 0乌尔权证碳公顷R G ê
G A T E - D R A I N碳公顷R G ê
涂R N - O 4 N D E L的钛M E
涂R N - O 4 N R I发E钛M E
涂R N - F F D E L的钛M E
涂R N - F F F一升升的Ti M E
在P ü T C的p一个C I T A N权证
UT P UT ℃的P A C I T A NC é
EVERSE Tr的ansfer apacitance
S 0乌尔权证 - ，D R A I N D I O D E
M A X 。 I O D E F R W A R维C乌尔鄂西北
I O D E F RWA RD武LTA克é
I
s
V
SD
-
I
S
= 3 0 ，V
的s
= 0 V
-
-
-
0 .9 2
75
1 .5
A
V
Q
的s
Q
克
T
（O N）
t
rr
t
（O FF ）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RS s
V
S
=2 5 V, V
的s
=0 V
F = 1.0 MH
Z
V
D D
= 30V ，R
L
=15
I
D
= 2A ，V
摹简
=10V
R
G
=2.5
V
S
= 3 0 V，I
D
= 3 0 A
V
的s
=10V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6 3 .5
9 .2
15
18.5
16.5
52
8 .1
3
2
00
26
0
21
0
-
nC
-
-
20
14
ns
68
12
-
-
-
pF
-
33
-
BV
SS
V
的s （次）
R
S（O N）
R
S（O N）
I
S S小
I
摹S S小
g
fS
V
的s
= 0 V，I
D
= 2 5 0 U一
V
S
= V
的s
, I
D
= 2 5 0 U一
V
的s
= 4.5V ，我
D
=30A
V
的s
= 10V ，我
D
=30A
V
S
=60V, V
的s
=0V
V
的s
=+2 0 V, V
S
=0 V
V
S
= 1 0 V，I
D
= 1 5 A
75
1
-
-
-
-
30
-
-
1 4 .2
9.5
-
-
-
-
3
18
m
12
1
+100
-
uA
nA
S
V
V
S YM B○升
特S T C 0 N D I T I O
M | N 。
TY页。
M A X 。
ü妮吨s
开关
测试电路
V
IN
V
DD
R
L
栅极电荷
测试电路
V
GS
V
DD
R
L
V
OUT
R
G
1mA
R
G
STAD-JUN.27.2006
PAGE 。 2
PJP75N75
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
8
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
VGS
Qg
V
DS
=30V
I
D
=30A
VGS （ TH）
QSW
QG （日）
QGS
QGD
Qg
图6 - 栅极电荷波形
图7 - 栅极电荷
1.3
V
th
- G-的阈值电压（标准化）
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
-50
BV
DSS
-
击穿电压（归）
I
D
=250uA
1.2
1.15
1.1
1.05
1
0.95
I
D
=250uA
-25
0
25
50
75 100 125
T
J
- 结tem温度（
o
C)
150
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
T
J
- 结tem温度（ C）
图8 - 阈值电压与温度
图9 - 击穿电压VS结温
100
V
GS
=0V
I
S
- 源电流（ A）
10
1
T
J
=125
O
C
T
J
=25
O
C
T
J
=-55
O
C
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
1.6
图10 - 源极 - 漏极二极管正向电压
法律声明
版权所有强茂国际， 2006年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格及信息
本文如有更改，恕不另行通知。潘日新使得对于任何担保，声明或保证
适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用
系统。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
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PAGE 。 4
QQ：2880707522 复制
