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PJESD5V0Q4G
QUAD TVS /齐纳阵列，用于ESD保护
这四TVS /齐纳阵列系列已被设计用于保护敏感
设备免受ESD的CMOS电路在5V工作。这TVS阵列提供
集成的解决方案，以保护起来，以应用4条数据线，其中主板
空间狭小，在一个方形扁平无引线封装，只占用面积
1.8平方毫米。
初步
规格特点
IEC61000-4-2 ESD 20kV的空气， 15kV的接触合规性
低漏电流， 1μA的最大额定电压下
35pF的每个设备的最大电容为0 Vdc为1MHz
40W的下8 / 20μS波形峰值功耗
四方扁平无引线封装QFN （ 1.2x1.5平方毫米，高度：高度仅0.75mm）
无铅包装100 ％镀锡，无光泽
1
GND
2
3
1
应用
个人数字助理（PDA ）
数码相机
便携式仪表
手机及配件
MP3播放器
6
5
NC
4
最大额定值（每设备）
等级
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS波形）
峰值脉冲电流（ 8 / 20μS波形）
电压ESD （HBM每MIL STD883C - 法3015-6 ）
工作温度范围
存储温度范围
符号
P
PP
I
PPM
V
ESD
TJ
T
英镑
价值
40
4.5
25
-55到+150
-55到+150
单位
W
A
kV
°C
°C
电气特性（每个装置）
TJ = 25°C
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压（ 8 / 20μS ）
关国结电容
符号
V
WRM
V
BR
I
R
V
c
Cj
I
BR
= 1毫安
V
R
= 5V
我PP = 4A
0伏直流偏置F = 1MHz的
betweeen I / O线和
条件
民
典型
最大
5
单位
V
V
6
1
8.81
30
9
35
A
V
pF
12/16/2005
页面
1
www.panjit.com
PJESD5V0Q4G
典型特性曲线（每设备）
TJ = 25°C
电容，PF
初步
钳位电压对8 / 20μs的伊普
脉冲波形
110
100
90
5
4
百分比的iPP
80
70
60
50
40
30
20
10
上升时间10-90％ - 8μs
对伊普@ 20μs的50 ％
IPP ，安培
3
2
1
8
8.2
8.4
8.6
8.8
9
钳位电压，V
0
0
5
10
15
时间，微秒
20
25
30
典型的电容与偏置电压@ 1MHz的
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
偏置电压伏
4
5
12/16/2005
第2页
www.panjit.com
PJESD5V0Q4G
包装尺寸和建议焊盘布局
0.30±0.05 mm
初步
12.0
25.0
23.0
1.5±0.05 mm
0.6±0.05 mm
1.2±0.05 mm
0.20±0.05 mm
0.35±0.05 mm
0.5 mm
22.04 mm
0.75±0.025 mm
0.2±0.025 mm
12.0
18.0
49.0
53.0
19.7
19.7
建议焊盘布局（以密耳）
备用焊盘布局SOT666 （密耳）
12/16/2005
第3页
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PJESD5V0Q4G
QUAD TVS /齐纳阵列，用于ESD保护
这四TVS /齐纳阵列系列已被设计用于保护敏感
设备免受ESD的CMOS电路在5V工作。这TVS阵列提供
集成的解决方案，以保护起来，以应用4条数据线，其中主板
空间狭小，在一个方形扁平无引线封装，只占用面积
1.8平方毫米。
初步
规格特点
IEC61000-4-2 ESD 20kV的空气， 15kV的接触合规性
低漏电流， 1μA的最大额定电压下
35pF的每个设备的最大电容为0 Vdc为1MHz
40W的下8 / 20μS波形峰值功耗
四方扁平无引线封装QFN （ 1.2x1.5平方毫米，高度：高度仅0.75mm）
无铅包装100 ％镀锡，无光泽
1
GND
2
3
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应用
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6
5
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最大额定值（每设备）
等级
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS波形）
峰值脉冲电流（ 8 / 20μS波形）
电压ESD （HBM每MIL STD883C - 法3015-6 ）
工作温度范围
存储温度范围
符号
P
PP
I
PPM
V
ESD
TJ
T
英镑
价值
40
4.5
25
-55到+150
-55到+150
单位
W
A
kV
°C
°C
电气特性（每个装置）
TJ = 25°C
参数
相反的立场-O FF电压
反向击穿电压
反向漏电流
钳位电压（ 8 / 20μS ）
关国结电容
符号
V
WRM
V
BR
I
R
V
c
Cj
I
BR
= 1毫安
V
R
= 5V
我PP = 4A
0伏直流偏置F = 1MHz的
betweeen I / O线和
条件
民
典型
最大
5
单位
V
V
6
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8.81
30
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A
V
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典型特性曲线（每设备）
TJ = 25°C
电容，PF
初步
钳位电压对8 / 20μs的伊普
脉冲波形
110
100
90
5
4
百分比的iPP
80
70
60
50
40
30
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10
上升时间10-90％ - 8μs
对伊普@ 20μs的50 ％
IPP ，安培
3
2
1
8
8.2
8.4
8.6
8.8
9
钳位电压，V
0
0
5
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时间，微秒
20
25
30
典型的电容与偏置电压@ 1MHz的
35
30
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20
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0
0
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偏置电压伏
4
5
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包装尺寸和建议焊盘布局
0.30±0.05 mm
初步
12.0
25.0
23.0
1.5±0.05 mm
0.6±0.05 mm
1.2±0.05 mm
0.20±0.05 mm
0.35±0.05 mm
0.5 mm
22.04 mm
0.75±0.025 mm
0.2±0.025 mm
12.0
18.0
49.0
53.0
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