【PJA733PNP外延硅晶体管音频放大器高频OS C.补充PJC945TO-92SOT-23绝对最大】,IC型号PJA733,PJA733 PDF资料,PJA733经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PJA733

PNP外延硅晶体管

音频放大器

高频OS C.

补充PJC945

TO-92

SOT-23

绝对最大额定值

（ TA = 25

°

C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

Ic

P

C

Tj

TSTG

等级

-50

-45

-5

-100

450

150

-55 ~150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

设备

PJA733CT

PJA733CX

工作温度

-20℃½+85℃

包

TO-92

SOT-23

P在： 1，基本

2.辐射源

3.Collector

P在： 1。发射器

2. Colletor

3. BASE

订购信息

电气特性

（ TA = 25

°

C)

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

电流增益带宽积

输出电容

噪声系数

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

I

首席执行官

h

FE

V

CE （SAT）

V

BE （SAT）

V

BE（上）

f

T

C

Ob

NF

TEST

条件

IC = -100μA ，我

E

= 0

IC = -1.0mA ，我

B

=0

I

E

=

_

100μA ，我

C

= 0

V

CB

= 45V ，我

E

=0

V

EB

=3V,I

C

=0

V

CE

=40V,I

B

=0

V

CE

=6V,I

c

= 1.0毫安

I

C

=-100mA,I

B

=-5mA

I

C

=-100mA,I

B

=-5mA

I

C

=-2mA,V

CE

=-5V

V

CE

=-5V,I

C

=-10mA

f=1MH

Z

V

CB

=-10V,I

E

=0

V

CE

=-5V,I

C

=

_

0.2mA

f=1KH

Z

,Rs=1K

民

-50

-40

-5

典型值

最大

单位

V

V

V

nA

nA

-50

-50

70

200

-0.2

-0.82

-0.65

190

4.5

0.7

700

-0.7

-1.0

-0.75

7.0

10

-0.6

100

V

V

V

兆赫

pF

dB

h

FE

(2)

分类

R

70-140

Q

120-240

P

200-400

K

350-700

分类

h

FE

1-3

2002/01.rev.A

PJA733

PNP外延硅晶体管

静态特性

基射极电压

直流电流增益

电流增益带宽积

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极输出电容

2-3

2002/01.rev.A

PJA733

PNP外延硅晶体管

3-3

2002/01.rev.A

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PNP外延硅晶体管

音频放大器

高频OS C.

补充PJC945

TO-92

SOT-23

绝对最大额定值

（ TA = 25

°

C)

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

Ic

P

C

Tj

TSTG

等级

-50

-45

-5

-100

450

150

-55 ~150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

设备

PJA733CT

PJA733CX

工作温度

-20℃½+85℃

包

TO-92

SOT-23

P在： 1，基本

2.辐射源

3.Collector

P在： 1。发射器

2. Colletor

3. BASE

订购信息

电气特性

（ TA = 25

°

C)

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

电流增益带宽积

输出电容

噪声系数

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

I

首席执行官

h

FE

V

CE （SAT）

V

BE （SAT）

V

BE（上）

f

T

C

Ob

NF

TEST

条件

IC = -100μA ，我

E

= 0

IC = -1.0mA ，我

B

=0

I

E

=

_

100μA ，我

C

= 0

V

CB

= 45V ，我

E

=0

V

EB

=3V,I

C

=0

V

CE

=40V,I

B

=0

V

CE

=6V,I

c

= 1.0毫安

I

C

=-100mA,I

B

=-5mA

I

C

=-100mA,I

B

=-5mA

I

C

=-2mA,V

CE

=-5V

V

CE

=-5V,I

C

=-10mA

f=1MH

Z

V

CB

=-10V,I

E

=0

V

CE

=-5V,I

C

=

_

0.2mA

f=1KH

Z

,Rs=1K

民

-50

-40

-5

典型值

最大

单位

V

V

V

nA

nA

-50

-50

70

200

-0.2

-0.82

-0.65

190

4.5

0.7

700

-0.7

-1.0

-0.75

7.0

10

-0.6

100

V

V

V

兆赫

pF

dB

h

FE

(2)

分类

R

70-140

Q

120-240

P

200-400

K

350-700

分类

h

FE

1-3

2002/01.rev.A

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PNP外延硅晶体管

静态特性

基射极电压

直流电流增益

电流增益带宽积

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

集电极输出电容

2-3

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