PJ6694
25V N沟道增强型MOSFET
特点
R
DS （ ON）
, V
GS
@10V,I
DS
@12A=12m
R
DS （ ON）
, V
GS
@4.5V,I
DS
@10A=22m
先进的加工技术
用于超低导通电阻高密度电池设计
专为DC / DC转换器
充分界定雪崩电压和电流
无铅产品： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令的环境
物质指令的要求
MECHANICALDATA
案例： SOIC -08封装
终端：每MIL -STD- 750D ，方法1036.3
标记： 6694
最大额定值和热特性（T
A
=25
O
C除非另有说明）
PA RA M E TE
，D R A I N - S 0乌尔权证武L T A G é
G A T E - S 0乌尔权证武L T A G é
C 0 NT I傩我们 R A I N C-UR 鄂西北
P UL发E D D R A I N C-UR 鄂西北
1)
S YM B○升
V
DS
V
GS
I
D
I
D M
T
A
= 2 5
O
C
T
A
= 7 5
O
C
P
D
T
J
, T
s TG
E
AS
R
θ
JA
李密吨
25
+20
12
50
2 .5
1 .5
-5 5 + 1 5 0
130
50
ü妮吨s
V
V
A
A
W
O
米喜米UM P 2 O宽E R D所I S的I P A T I O 4 N
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
雪崩能量单脉冲
ID = 23A ， VDD = 25V ， L = 0.5mH
结至环境热阻（PCB安装）
2
C
mJ
O
C / W
注：1，最大直流电流受限于包
2.表面安装在FR4板，T < 10秒
PAN JIT保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知
STAD-JUN.19.2006
PAGE 。 1
PJ6694
ELECTRICALCHARACTERISTICS
P一RA我忒
的TA TI
RAI N- S 0乌尔CE B reakdown武ltage
G A T E苏电子旗下豪升武L T A G é
RAI N- S 0乌尔CE N- S大老 esista NC ê
RAI N- S 0乌尔CE N- S大老 esista NC ê
泽R 0 G A T E武L T A G E D R A I N C-UR 鄂西北
门体漏
正向跨导
ynami
V
S
1 = 5 V，I
D
= 1 2 A，V
的s
= 5 V
以T A L G的T式C h的R G é
Q
g
-
G A T E - S 0乌尔权证碳公顷R G ê
G A T E - D R A I N碳公顷R G ê
涂R N - O 4 N D E L的钛M E
涂R N - O 4 N R I发E钛M E
涂R N - F F D E L的钛M E
涂R N - F F F一升升的Ti M E
在P ü T C的p一个C I T A N权证
UT P UT ℃的P A C I T A NC é
EVERSE Tr的ansfer apacitance
S 0乌尔权证 - ，D R A I N D I O D E
M A X 。 I O D E F R W A R维C乌尔鄂西北
I O D E F RWA RD武LTA克é
I
s
V
SD
-
I
S
= 2 。 5 A，V
的s
= 0 V
-
-
-
0 .7 5
2 .5
1 .2
A
V
Q
gs
Q
gd
T
（O N）
t
rr
t
（O FF ）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
S
= 1 5 V , V
GS
= 0 V
F = 1.0 MH
Z
V
DD
= 15V ，R
L
=15
I
D
= 1A ，V
根
=10V
R
G
=3.6
V
S
1 = 5 V，I
D
= 1 2 A
V
GS
= 1 0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2 6 .5
5 .2
5 .7
12
10
32
6 .5
1450
260
150
-
nC
-
-
14
12.5
ns
3 7 .5
8
-
-
-
pF
-
1 5 .0
-
B V
DSS
V
的s （T八）
R
S（O N）
R
S（O N）
I
S S小
I
摹S S小
g
fS
V
的s
= 0 V，I
D
= 2 5 0 U一
V
S
= V
的s
, I
D
= 2 5 0 U一
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
GS
= + 2 0 V , V
S
= 0 V
V
S
= 1 0 V，I
D
= 1 2 A
25
1
-
-
-
-
25
-
-
1 7 .5
9.2
-
-
-
-
3
2 2 .0
m
12.0
1
+100
-
uA
nA
S
V
V
S YM B○升
特S T C 0 N D I T I O
M | N 。
TY页。
M A X 。
ü妮吨s
开关
测试电路
V
IN
V
DD
R
L
V
OUT
栅极电荷
测试电路
V
GS
V
DD
R
L
R
G
1mA
R
G
STAD-JUN.19.2006
PAGE 。 2
PJ6694
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 每13"塑料卷3K
LEGALSTATEMENT
版权所有强茂国际， 2006年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
如有更改，恕不另行通知。潘日新公司对于是否适合任何担保，声明或保证其
产品针对任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或系统使用。潘日新
不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-JUN.19.2006
PAGE 。五
QQ：2881677436 复制
