PJ2N9015
PNP外延硅晶体管
PRE - APLIFIER ，低噪声LEVEL&LOW
高总功耗（ PT = 450毫瓦）
高
FE
和良好的线性度
补充PJ2N9014
TO-92
SOT-23
绝对最大额定值
（ T A = 25
°C
)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
Pc
Tj
TSTG
等级
-50
-45
-5
-100
450
150
-55 ~150
UINT
V
V
V
mA
mW
°C
°C
设备
PJ2N9015CT
PJ2N9015CX
工作温度
-20℃½+85℃
包
TO-92
SOT-23
P在： 1。发射器
2.基
3.收集
P的： 1.Base
2.Emitter
3.收集
订购信息
电气特性
（ T A = 25
°C
)
Characte里斯蒂奇
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 基饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
输出电容
电流增益带宽生成
噪声系数
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
C
ob
f
T
NF
德圣条件
I
C
= -100μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -100μA ，我
C
=0
V
CB
= -50V ，我
E
= 0
V
EB
= -5V ，我
C
=0
V
EB
= -5V ，我
C
= -1毫安
I
C
= -100毫安，我
B
= -5mA
I
C
= -100mA ，我
B
= -5mA
V
CE
= -5V ， IC = -2毫安
V
CB
= -10V ， IE = 0
f=1MHz
V
CE
= -5V ， IC = -10毫安
V
CE
= -5V ， IC = -0.2毫安
F = 1KHz时，卢比= 2KΩ
民
-50
-45
-5
典型值
最大
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
pF
兆赫
dB
60
-0.6
200
-0.2
-0.82
-0.65
4.5
190
0.7
-50
-50
600
-0.7
-1.0
-0.75
7.0
100
10
h
EF
分类
分类
H
FE
A
60-150
B
100-300
C
200-600
D
400-1000
1-3
2002/01.rev.A
QQ：2881677436 复制
