【PJ2N9012PNP外延硅晶体管食1W的输出放大器在B类PUSH - PULL操作收音机TO-92】,IC型号PJ2N9012,PJ2N9012 PDF资料,PJ2N9012经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PJ2N9012

PNP外延硅晶体管

食1W的输出放大器

在B类PUSH - PULL操作收音机

TO-92

SOT-23

高总功耗（ PT = 625mW ）

高集电极电流（IC = -500mA ）

补充2N9013

优秀

EF

线性

绝对最大额定值

（ TA = 25 ℃ ）

℃

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

Ic

Pc

Tj

TSTG

价值

-40

-20

-5

-500

625

150

-55 ~150

UINT

V

V

V

A

W

0

0

P的： 1.Emitter

2.Base

3.Collector

P在： 1，基本

2.辐射源

3.收集

订购信息

C

C

设备

PJ2N9012CT

PJ2N9012CX

工作温度

-20℃½+85℃

包

TO-92

SOT-23

电气特性

（ TA = 25

0

C

)

Characte里斯蒂奇

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 基饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE1

h

FE2

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

德圣条件

I

C

= -100μA ，我

E

=0

I

C

= -1mA ，我

B

=0

I

E

= -100μA ，我

C

=0

V

CB

= -25V ，我

E

= 0

V

EB

= -3V ，我

C

=0

V

EB

= -1V ，我

C

=-50mA

V

EB

= -1V ，我

C

=-500mA

I

C

= -500毫安，我

B

=-50mA

I

C

= -500mA ，我

B

=-50mA

V

CE

= - 1V ， IC = -10mA

民

-40

-20

-5

典型值

最大

单位

V

V

V

-100

-100

64

40

0.58

120

90

0.14

0.84

0.63

0.3

1.0

0.7

202

nA

nA

V

V

V

h

EF

分类

分类

h

EF

D

64-91

E

78-112

F

96-135

G

112-166

H

144-202

1-3

2002/01.rev.A

PJ2N9012

PNP外延硅晶体管

静态特性

直流电流增益

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

电流增益带宽积

2-3

2002/01.rev.A

PJ2N9012

PNP外延硅晶体管

3-3

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PNP外延硅晶体管

食1W的输出放大器

在B类PUSH - PULL操作收音机

TO-92

SOT-23

高总功耗（ PT = 625mW ）

高集电极电流（IC = -500mA ）

补充2N9013

优秀

EF

线性

绝对最大额定值

（ TA = 25 ℃ ）

℃

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

Ic

Pc

Tj

TSTG

价值

-40

-20

-5

-500

625

150

-55 ~150

UINT

V

V

V

A

W

0

0

P的： 1.Emitter

2.Base

3.Collector

P在： 1，基本

2.辐射源

3.收集

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C

C

设备

PJ2N9012CT

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工作温度

-20℃½+85℃

包

TO-92

SOT-23

电气特性

（ TA = 25

0

C

)

Characte里斯蒂奇

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 基饱和电压

基射极饱和电压

基射极电压上

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE1

h

FE2

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

德圣条件

I

C

= -100μA ，我

E

=0

I

C

= -1mA ，我

B

=0

I

E

= -100μA ，我

C

=0

V

CB

= -25V ，我

E

= 0

V

EB

= -3V ，我

C

=0

V

EB

= -1V ，我

C

=-50mA

V

EB

= -1V ，我

C

=-500mA

I

C

= -500毫安，我

B

=-50mA

I

C

= -500mA ，我

B

=-50mA

V

CE

= - 1V ， IC = -10mA

民

-40

-20

-5

典型值

最大

单位

V

V

V

-100

-100

64

40

0.58

120

90

0.14

0.84

0.63

0.3

1.0

0.7

202

nA

nA

V

V

V

h

EF

分类

分类

h

EF

D

64-91

E

78-112

F

96-135

G

112-166

H

144-202

1-3

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静态特性

直流电流增益

基射极饱和电压

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电流增益带宽积

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