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PJ2N3906

PNP外延硅晶体管

一般PURPO SE TRANSISTO

集电极 - 发射极电压： V

首席执行官

= 40V

集电极耗散：P

C（最大值）

= 625毫瓦

.

TO-92

SOT-23

绝对最大额定值

（ TA = 25

℃)

等级

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j

T

英镑

价值

40

40

5

200

625

150

-55~150

单位

V

V

V

mA

mW

℃

℃

设备

PJ2N3906CT

PJ2N3906CX

工作温度

-20℃½+85℃

包

TO-92

SOT-23

P在： 1。发射器

2.基

3.收集

P在： 1，基本

2.辐射源

3.收集

订购信息

电气特性

(T

a

= 25℃)

Characte里斯蒂奇

集电极 - 基极击穿电压

*集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止个当前

底座截止电流

*直流电流增益

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CEX

I

BL

h

FE

德圣条件

I

C

= 10ìA ，我

E

=0

I

C

= 1mA时，我

B

=0

I

E

= 10μA ，我

C

=0

V

CE

= 30V , V

BE

= 3V

V

CE

= 30V , V

BE

= 3V

IC = 0.1毫安，V

CE

=1V

IC = 1mA时， V

CE

=1V

IC = 10毫安; V

CE

=1V

IC = 50 mA时， V

CE

=1V

IC = 100 mA时， V

CE

=1V

I

C

= 10 mA时，我

B

=1mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

I

C

= 10 mA时，我

B

=1mA

I

C

= 50mA时我

B

=5mA

V

CB

= 5V ，我

E

=0

f=1MHz

IC = 10 mA时， V

CE

=20V

f=100MHz

VCC = 3 V ，V

BE

=0.5V

IC = 10 mA时，我

B1

=1mA

VCC = 3V ， IC = 1毫安

I

B1

=I

B2

= 1毫安

民

40

40

6

典型值

最大

UNI

t

V

V

V

nA

nA

50

50

60

80

100

60

30

0.65

300

0.25

0.4

0.85

0.95

4.5

*集电极 - 发射极饱和电压

*基射极饱和电压

输出电容

电流增益带宽生成

启动时间

关闭时间

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

C

ob

f

T

t

on

t

关闭

V

V

V

V

pF

兆赫

250

70

250

ns

ns

*脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μs.Duty周期

≤

2%

1-3

2002/01.rev.A

PJ2N3906

PNP外延硅晶体管

直流电流增益

电流增益带宽积

基射极饱和电压

集电极 - 发射极饱和电压

输出电容

2-3

2002/01.rev.A

PJ2N3906

PNP外延硅晶体管

3-3

2002/01.rev.A

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