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PJ2N3906
PNP外延硅晶体管
一般PURPO SE TRANSISTO
集电极 - 发射极电压: V
首席执行官
= 40V
集电极耗散:P
C(最大值)
= 625毫瓦
.
TO-92
SOT-23
绝对最大额定值
( TA = 25
℃)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
价值
40
40
5
200
625
150
-55~150
单位
V
V
V
mA
mW
设备
PJ2N3906CT
PJ2N3906CX
工作温度
-20℃½+85℃
TO-92
SOT-23
P在: 1。发射器
2.基
3.收集
P在: 1,基本
2.辐射源
3.收集
订购信息
电气特性
(T
a
= 25℃)
Characte里斯蒂奇
集电极 - 基极击穿电压
*集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止个当前
底座截止电流
*直流电流增益
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CEX
I
BL
h
FE
德圣条件
I
C
= 10ìA ,我
E
=0
I
C
= 1mA时,我
B
=0
I
E
= 10μA ,我
C
=0
V
CE
= 30V , V
BE
= 3V
V
CE
= 30V , V
BE
= 3V
IC = 0.1毫安,V
CE
=1V
IC = 1mA时, V
CE
=1V
IC = 10毫安; V
CE
=1V
IC = 50 mA时, V
CE
=1V
IC = 100 mA时, V
CE
=1V
I
C
= 10 mA时,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10 mA时,我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
CB
= 5V ,我
E
=0
f=1MHz
IC = 10 mA时, V
CE
=20V
f=100MHz
VCC = 3 V ,V
BE
=0.5V
IC = 10 mA时,我
B1
=1mA
VCC = 3V , IC = 1毫安
I
B1
=I
B2
= 1毫安
40
40
6
典型值
最大
UNI
t
V
V
V
nA
nA
50
50
60
80
100
60
30
0.65
300
0.25
0.4
0.85
0.95
4.5
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极饱和电压
输出电容
电流增益带宽生成
启动时间
关闭时间
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
C
ob
f
T
t
on
t
关闭
V
V
V
V
pF
兆赫
250
70
250
ns
ns
*脉冲测试:脉冲宽度
300μs.Duty周期
2%
1-3
2002/01.rev.A
PJ2N3906
PNP外延硅晶体管
直流电流增益
电流增益带宽积
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
输出电容
2-3
2002/01.rev.A
PJ2N3906
PNP外延硅晶体管
3-3
2002/01.rev.A
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数量
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PJ2N3906CT
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
PJ2N3906CT
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