PJ06N03D
25V N沟道增强型MOSFET
TO-252
特点
R
DS （ ON）
, V
GS
@10V,I
DS
@30A=6m
R
DS （ ON）
, V
GS
@4.5V,I
DS
@30A=9m
先进的加工技术
用于超低导通电阻高密度电池设计
专为DC / DC转换器和电机驱动器
充分界定雪崩电压和电流
无铅产品： 99 ％以上的锡能满足RoHS指令的环境
物质指令的要求
MECHANICALDATA
案例： TO- 252模压塑料
终端：每MIL -STD- 750D ，方法1036.3
标记： 06N03D
漏
门
来源
最大额定值和热特性（T
A
=25
O
C除非另有说明）
PA RA M E TE
，D R A I N - S 0乌尔权证武L T A G é
G A T E - S 0乌尔权证武L T A G é
C 0 NT I傩我们 R A I N C-UR 鄂西北
P UL发E D D R A I N C-UR 鄂西北
1)
S YM B○升
V
DS
V
GS
I
D
I
D M
T
A
= 2 5
O
C
T
A
= 7 5
O
C
P
D
T
J
, T
s TG
E
AS
R
θ
JC
R
θ
JA
李密吨
25
+20
60
320
70
42
-5 5 + 1 5 0
400
1 .8
50
ü妮吨s
V
V
A
A
W
O
米喜米UM P 2 O宽E R D所I S的I P A T I O 4 N
操作摄像 unctionand S torage特mperature 法兰
雪崩能量单脉冲
ID = 40A ， VDD = 25V ， L = 0.5mH
结到外壳热阻
结至环境热阻（PCB安装）
2
C
mJ
O
C / W
C / W
O
注：1，最大直流电流受限于包
2.表面安装在FR4板，T < 10秒
PAN JIT保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知
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PJ06N03D
ELECTRICALCHARACTERISTICS
P一RA我忒
的TA TI
RAI N- S 0乌尔CE B reakdown武ltage
G A T E苏电子旗下豪升武L T A G é
RAI N- S 0乌尔CE N- S大老 esista NC ê
RAI N- S 0乌尔CE N- S大老 esista NC ê
泽R 0 G A T E武L T A G E D R A I N C-UR 鄂西北
门体漏
正向跨导
ynami
V
S
1 = 5 V，I
D
= 1 5 A，V
的s
= 5 V
以T A L G的T式C h的R G é
Q
g
-
G A T E - S 0乌尔权证碳公顷R G ê
G A T E - D R A I N碳公顷R G ê
涂R N - O 4 N D E L的钛M E
涂R N - O 4 N R I发E钛M E
涂R N - F F D E L的钛M E
涂R N - F F F一升升的Ti M E
在P ü T C的p一个C I T A N权证
UT P UT ℃的P A C I T A NC é
EVERSE Tr的ansfer apacitance
S 0乌尔权证 - ，D R A I N D I O D E
M A X 。 I O D E F R W A R维C乌尔鄂西北
I O D E F RWA RD武LTA克é
I
s
V
SD
-
I
S
= 3 0 ，V
的s
= 0 V
-
-
-
0 .9 5
65
1 .2
A
V
Q
gs
Q
gd
T
（O N）
t
rr
t
（O FF ）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
S
= 1 5 V , V
GS
= 0 V
F = 1.0 MH
Z
V
DD
= 15V ，R
L
=15
I
D
= 1A ，V
根
=10V
R
G
=3.6
V
S
1 = 5 V，I
D
= 1 5 A
V
GS
= 1 0 V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
72
8 .1
14.2
17.2
15
78
30
3750
650
500
-
nC
-
-
21
17
ns
90
42
-
-
-
pF
-
39
-
B V
DSS
V
的s （T八）
R
S（O N）
R
S（O N）
I
S S小
I
摹S S小
g
fS
V
的s
= 0 V，I
D
= 2 5 0 U一
V
S
= V
的s
, I
D
= 2 5 0 U一
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
GS
= + 2 0 V , V
S
= 0 V
V
S
= 1 0 V，I
D
= 1 5 A
25
1
-
-
-
-
30
-
-
7 .6
4.7
-
-
-
-
3
9 .0
m
6.0
1
+100
-
uA
nA
S
V
V
S YM B○升
特S T C 0 N D I T I O
M | N 。
TY页。
M A X 。
ü妮吨s
开关
测试电路
V
IN
V
DD
R
L
V
OUT
栅极电荷
测试电路
V
GS
V
DD
R
L
R
G
1mA
R
G
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PJ06N03D
典型特性曲线（T
A
=25
O
C，除非另有说明）
I
D
- 漏极 - 源极电流（A ）
80
V
GS
=4.0V, 4.5V, 5.0V, 6.0V, 10.0V
80
60
I
D
- 漏源电流（A ）
V
DS
=10V
60
3.5V
40
40
3.0V
20
T
J
=25
O
C
20
2.5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
T
J
=125
O
C
1
1.5
2
2.5
T
J
=-55
O
C
3
3.5
4
4.5
0
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
图。 1 ，典型正向特性
FIG.1-输出特性
FIG.2-传输特性
R
DS （ ON）
- 导通电阻（M
W
)
15
30
R
DS （ ON）
- 导通电阻（M
W
)
I
D
=30A
12.5
10
7.5
5
2.5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
I
D
- 漏电流（ A）
25
20
15
10
5
0
2
4
6
8
10
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
T
J
=125
O
C
T
J
=25
O
C
FIG.3-在电阻与漏电流
FIG.4-在电阻与栅极至源极电压
R
DS （ ON）
- 导通电阻
（归一化）
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
V
GS
=10V
I
D
=30A
- 电容（pF ）
5000
西塞
4000
V
GS
=0V
f=1MH
Z
3000
2000
科斯
1000
CRSS
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
T
J
- 结tem温度（
o
C)
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
FIG.5-在电阻与结温
Fig.6-电容
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PJ06N03D
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
Q
g
- 栅极电荷（ NC）
VGS
Qg
V
DS
=15V
I
D
=15A
VGS （ TH）
QSW
QG （日）
QGS
QGD
Qg
图7 - 栅极电荷波形
图8 - 栅极电荷
V
th
- G-的阈值电压（标准化）
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
BV
DSS
- 击穿电压（ V）
I
D
=250uA
32
I
D
=250uA
31
30
29
28
-25
0
25
50
75
100
125
150
27
-50
-25
0
25
50
75
100
o
125
150
T
J
- 结tem温度（
o
C)
T
J
- 结温（ C）
图9 - 阈值电压与温度
图10 - 击穿电压VS结温
100
V
GS
=0V
I
S
- 源电流（ A）
10
1
T
J
=125
O
C
T
J
=25
O
C
T
J
=-55
O
C
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
图11 - 源极 - 漏极二极管正向电压
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