飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET高边开关
描述
单片单通道偏高
在受保护的电源开关
TOPFET2
技术组装
5引脚塑料封装。
PIP3208-A
快速参考数据
符号
I
L
符号
V
BG
I
L
T
j
R
ON
参数
额定负载电流（ ISO ）
参数
连续断态电压
连续负载电流
连续结温
导通状态电阻
T
j
= 25C
分钟。
2
马克斯。
50
6
150
180
单位
A
单位
V
A
C
m
应用
对于一般驾驶控制器
灯具，电机，电磁阀，加热器。
特点
垂直权力的TrenchMOS
低通态电阻
CMOS逻辑兼容
极低的静态电流
过热保护
负载电流限制
锁存过载，
短路保护
过压和欠压
关机与迟滞
通态开路负载
发现
诊断状态指示
电压钳位为关闭
感性负载
所有引脚的ESD保护
电池反接，过压
和瞬态保护
功能框图
BATT
状态
动力
MOSFET
管制及
保护
电路
负载
地
RG
输入
图1 。在TOPFET HSS的元素与内部接地电阻。
钉扎 - SOT263B -01
针
1
2
3
4
5
TAB
描述
地
输入
电池
（ +已经供应）
状态
引脚配置
mb
mb
符号
I
S
12345
B
TOPFET
HSS
G
L
负载
连接到引脚3
前视图
MBL267
图。 2 。
图。 3 。
2001年7月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET高边开关
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
BG
I
L
P
D
T
英镑
T
j
T
出售
参数
连续供电电压
连续负载电流
总功耗
储存温度
连续结温
1
焊接温度
反向电池电压
2
-V
BG
-V
BG
连续反向电压
峰值反向电压
应用信息
R
I
, R
S
外部电阻
3
输入和状态
I
I
, I
S
I
I
, I
S
连续电流
重复峰值电流
感性负载夹持
E
BL
非重复性钳位能源
δ ≤
0.1 ， TP = 300
s
I
L
= 1 A，V
BG
= 16 V
T
j
= 150C之前关闭
-
-5
-50
限制输入，电流状态
3.2
-
-
-
焊接过程中
T
mb
≤
114C
T
mb
≤
25C
条件
分钟。
0
-
-
-55
-
-
PIP3208-A
马克斯。
50
6
41
175
150
260
单位
V
A
W
C
C
C
16
32
V
V
k
5
50
mA
mA
75
mJ
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
热特性
符号
参数
热阻
4
R
日J- MB
R
日J-一
结到安装基座
结到环境
-
在自由空气
-
-
2.5
60
3
75
K / W
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
对于正常的连续运转。一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸运行
保护开关。
2
反向电池电压只允许与外部电阻器，以限制所述输入和状态的电流到一个安全值。所连接的负载必须
限制反向负载电流。内部接地电阻限制反向电池接地电流。功率耗散和T
j
评级必须遵守。
3
以限制在电池反向和瞬时过电压（正或负）电流。
4
的输出功率MOS晶体管。
2001年7月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET高边开关
静态特性
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25 C除非另有说明。
符号
V
BG
V
BL
-V
LG
-V
LG
参数
钳位电压
电池地面
电池装入
负负载到地
负负载电压
1
电源电压
V
BG
工作范围
2
电流
静态电流
3
断态电流负载
4
工作电流
5
6
PIP3208-A
条件
I
G
= 1毫安
I
L
= I
G
= 1毫安
I
L
= 10毫安
I
L
= 1 ;牛逼
p
= 300
s
电池地面
-
9 V
≤
V
BG
≤
16 V
V
LG
= 0 V
T
mb
= 25C
V
BL
= V
BG
T
mb
= 25C
I
L
= 0 A
V
BL
= 0.5 V
V
BG
9 35 V
6V
I
L
1A
1A
t
p
300
s
300
s
T
mb
25C
150C
25C
150C
分钟。
50
50
18
20
典型值。
55
55
23
25
马克斯。
65
65
28
30
单位
V
V
V
V
5.5
-
35
V
A
A
A
A
mA
A
I
B
I
L
I
G
I
L
-
-
-
-
-
2
-
0.1
-
0.1
2
-
20
2
20
1
4
-
额定负载电流
抗性
R
ON
R
ON
导通状态电阻
7
导通状态电阻
-
-
-
-
95
135
-
170
-
150
180
330
225
410
190
m
m
m
m
R
G
内部接地电阻
I
G
= 10毫安
1
用于高侧开关，所述负载端子的电压变为负相期间关断感性负载的接地。
2
开状态当电源电压低于9V。阻力增大
3
这是从电源吸收的电流连续时的输入为低电平，并且包括漏电流给负载。
4
测得的电流在仅装载销。
5
这是从没有负载连接在所述电源汲取的电流连续，但与输入高。
6
定义为ISO 10483-1 。仅适用于比较。
7
供给和输入电压对R
ON
测试是连续的。指定的脉冲持续时间T
p
仅指施加负载电流。
2001年7月
3
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产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET高边开关
输入特性
PIP3208-A
9 V
≤
V
BG
≤
16五，是限制在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25 C除非另有说明。
符号
I
I
V
IG
V
IG（ ON）的
V
IG （OFF）的
V
IG
I
我（上）
I
我（关闭）
参数
输入电流
输入钳位电压
输入端导通阈值电压
输入关断阈值电压
输入接通滞后
输入端导通电流
输入的关断电流
V
IG
= 3 V
V
IG
= 1.5 V
条件
V
IG
= 5 V
I
I
= 200
A
分钟。
20
5.5
-
1.5
-
-
10
典型值。
90
7
2.4
2.1
0.3
-
-
马克斯。
160
8.5
3
-
-
100
-
单位
A
V
V
V
V
A
A
状态特性
状态输出为漏极开路晶体管，并且需要一个外部上拉电路来表示逻辑高电平。
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25 C除非另有说明。请参阅
真值表
.
符号
V
SG
V
SG
参数
状态钳位电压
地位低电压
条件
I
S
= 100
A
I
S
= 100
A
T
mb
= 25C
I
S
I
S
状态泄漏电流
状态饱和电流
1
分钟。
5.5
-
-
-
-
2
典型值。
7
-
0.7
-
0.1
7
马克斯。
8.5
1
0.8
15
1
12
单位
V
V
V
A
A
mA
V
SG
= 5 V
T
mb
= 25C
V
SG
= 5 V
应用信息
R
S
外部上拉电阻
-
47
-
k
开路检测特性
开路负载所用的导通状态来检测。请参阅
真值表
.
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，典型的就是在T
mb
= 25 C.
符号
参数
开路检测
I
L（ TO）
I
L（ TO）
低电流检测门限
T
j
= 25C
迟滞
条件
9 V
≤
V
BG
≤
35 V
50
85
-
-
170
30
340
255
-
mA
mA
mA
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
在故障状态下与上拉电阻的状态的晶体管导通，而短路。应避免为了这个条件
防止与所述设备的正常操作的可能干扰。
2001年7月
4
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产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET高边开关
欠压&过电压特性
限制是在-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构在T
mb
= 25 C 。请参阅
真值表
.
符号
参数
欠压
V
BG （UV）的
V
BG （UV）的
低电源阈值电压
1
迟滞
过压
V
BG （ OV ）
V
BG （ OV ）
高电源阈值电压
2
迟滞
40
-
45
1
2
-
4.2
0.5
条件
分钟。
典型值。
PIP3208-A
马克斯。
单位
5.5
-
V
V
50
-
V
V
真值表
异常情况
检测
输入
L
H
H
H
H
H
H
供应
UV
X
0
0
1
0
0
0
OV
X
0
0
0
1
0
0
LC
X
0
1
X
X
0
0
负载
SC
X
0
0
X
0
1
0
OT
X
0
0
X
0
X
1
关闭
ON
ON
关闭
关闭
关闭
关闭
H
H
L
H
H
L
L
关闭
在正常&
对&的低电流检测
电源欠压锁存
电源过压关断
SC跳闸
OT关闭
3
负载
产量
状态
描述
缩写的关键词
L
H
X
0
1
逻辑低
逻辑高
不在乎
不存在条件
目前状况
UV
OV
LC
SC
OT
欠压
过压
低电流或开路负载
短路
过热
1
低压传感器会导致设备关闭和复位。
2
过电压传感器会导致设备关闭，以保护其负载。
3
该状态将继续指示OT（即使输入变为低电平），直到装置冷却到低于复位阈值。请参阅
超载
保护特性
.
2001年7月
5
启1.000
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