飞利浦半导体
产品speci fi cation
逻辑电平TOPFET
PIP3115-B
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
DS
I
D
I
D
I
I
I
IRM
P
D
T
英镑
T
j
T
出售
参数
连续漏源电压
1
连续漏电流
连续漏电流
连续输入电流
非重复性峰值输入电流
总功耗
储存温度
连续结温
2
外壳温度
条件
-
V
IS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25 C
V
IS
= 5 V ;牛逼
mb
≤
110 C
-
t
p
≤
1毫秒
T
mb
≤
25 C
-
正常工作
焊接过程中
分钟。
-
-
-
-5
-10
-
-55
-
-
马克斯。
50
自我 -
有限
8
5
10
40
175
150
260
单位
V
A
A
mA
mA
W
C
C
C
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
过压钳位极限值
在漏源电压高于50 V功率MOSFET积极开启夹住过压瞬变。
符号
E
帝斯曼
E
DRM
参数
感性负载关断
非重复性钳位能源
重复夹紧能源
条件
I
DM
= 8 A; V
DD
≤
20 V
T
mb
≤
25 C
T
mb
≤
95℃ ; F = 250赫兹
分钟。
-
-
马克斯。
100
20
单位
mJ
mJ
过载保护限制值
通过输入引脚提供了足够的保障供应， TOPFET可以保护自己免受两种过载
- 过热和短路负载。
符号
V
DS
参数
漏源电压
3
必要条件
4 V
≤
V
IS
≤
5.5 V
分钟。
0
马克斯。
35
单位
V
热特性
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻
结到安装基座
结到环境
条件
-
最小的足迹FR4 PCB
分钟。
-
-
典型值。
2.5
50
马克斯。
3.1
-
单位
K / W
K / W
1
之前过电压钳位的发作。电压高于此值时，安全操作是由过压钳位能量的限制。
2
一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸动作，保护开关。
3
所有的控制逻辑和保护功能的源漏极二极管的导通期间禁用。
2001年5月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逻辑电平TOPFET
PIP3115-B
机械数据
塑料单端表面安装封装（飞利浦版本D
2
-PAK ） ; 3引线
（ 1铅裁剪）
SOT404
A
E
A1
MOUNTING
BASE
D1
D
HD
2
Lp
1
3
b
c
Q
e
e
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
4.50
4.10
A1
1.40
1.27
b
0.85
0.60
c
0.64
0.46
D
马克斯。
11
D1
1.60
1.20
E
10.30
9.70
e
2.54
Lp
2.90
2.10
HD
15.40
14.80
Q
2.60
2.20
概要
VERSION
SOT404
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
98-12-14
99-06-25
图2 。 SOT404表面安装封装
1
，中心引脚连接到安装基座。
1
环氧符合UL94 V0的8"分之1 。净重： 1.4克
焊接指南和SMD的机身设计，请参考手册的数据SC18 。
2001年5月
5
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