飞利浦半导体
产品speci fi cation
逻辑电平TOPFET
PIP3102-R
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
DS
I
D
I
I
I
F
I
P
P
合计
T
英镑
T
j
T
出售
参数
连续电压
漏源电压
1
连续电流
漏电流
输入电流
目前旗
保障供电电流
热
总功耗
储存温度
结温
2
安装基座的温度
T
mb
= 25C
连续
焊接过程中
-
-55
-
-
90
175
150
260
W
C
C
C
V
PS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25C
V
PS
= 0 V ;牛逼
mb
= 85C
-
-
-5
-5
-5
自我 -
有限
30
5
5
5
A
A
mA
mA
mA
V
IS
= 0 V
-
50
V
条件
分钟。
马克斯。
单位
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
过载保护限制值
有了足够的保障供应
连接， TOPFET可以保护
自己从两种类型的过载 -
过热和短路
负载。
符号
参数
过载保护
3
V
DS
漏源电压
对于过载情况下的n -MOS
晶体管导通的
输入源快速
放电功率MOSFET
栅极电容。
必要条件
保护器供应
V
PS
≥
4 V
0
35
V
的漏极电流被限制在
降低功耗的情况下短
电路的负载。请参考过载
的特点。
分钟。
马克斯。
单位
过压钳位极限值
在漏源电压高于50 V功率MOSFET积极开启夹住过压瞬变。
符号
E
帝斯曼
E
DRM
参数
感性负载关闭
非重复性钳位能源
重复夹紧能源
条件
I
DM
= 20 A; V
DD
≤
20 V
T
mb
= 25C
T
mb
≤
95℃ ; F = 250赫兹
-
-
350
45
mJ
mJ
分钟。
马克斯。
单位
1
之前过电压钳位的发作。电压高于此值时，安全操作是由过压钳位能量的限制。
2
一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸动作，保护开关。
3
所有的控制逻辑和保护功能的源漏极二极管的导通期间禁用。如果保护电路是以前
锁存的，这将通过该条件进行复位。
2002年10月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逻辑电平TOPFET
PIP3102-R
热特性
符号
R
日J- MB
参数
热阻
结到安装基座
-
-
1.2
1.39
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
输出特性
极限是-40℃
≤
T
mb
≤
150C ;标准结构为T
mb
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
（ CL ） DSS
I
DSS
参数
关闭状态
漏源电压钳位
漏源极漏电流
1
导通状态
R
DS （ ON）
漏源电阻
条件
V
IS
= 0 V
I
D
= 10毫安
I
DM
= 4 A; TP
≤
300
s; δ ≤
0.01
V
PS
= 0 V; V
DS
= 40 V
T
mb
= 25C
50
50
-
-
-
-
-
60
-
0.1
-
21
70
70
100
10
50
28
V
V
A
A
m
m
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
t
p
≤
300
s; δ ≤
0.01; V
PS
≥
4 V
I
DM
= 10 A; V
IS
≥
4.4 V
T
mb
= 25C
输入特性
极限是-40℃
≤
T
mb
≤
150C ;标准结构为T
mb
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
V
IS （TO）
I
IS
V
（CL）的IS
R
IG
I
ISL
参数
正常工作
输入阈值电压
2
输入电流
输入钳位电压
内部串联电阻
3
过载保护锁存
输入电流
I
D
= 1毫安
V
IS
= 5 V
I
I
= 1毫安
功率MOSFET的栅极
V
PS
≥
4 V
V
IS
= 5 V
1
2.7
4
mA
T
mb
= 25C
0.6
1.1
-
5.5
-
-
1.6
16
6.4
1.7
2.6
2.1
100
8.5
-
V
V
A
V
k
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1
所需的开路负载检测的漏电流被关断时，没有保护的供应，以保证低的关断状态
静态电流。是指开路负载检测特性。
2
若V的测量方法被简化
PS
= 0V ，为了区分我
D
从我
DSP
。是指开路负载检测
的特点。
3
这不是直接可测量的参数。
2002年10月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逻辑电平TOPFET
PIP3102-R
保护电源特性
极限是-40℃
≤
T
mb
≤
150C ;标准结构为T
mb
= 25C.
符号
V
PSF
参数
保护&检测
阈值电压
1
正常运行或
保护锁
电源电流
钳位电压
过载保护锁存
V
PSR
t
pr
复位电压
复位时间
V
PS
≤
1 V
1
10
1.8
45
3
120
V
s
I
F
= 100
A;
V
DS
= 5 V
2.5
3.45
4
V
A
V
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
PS
, I
PSL
V
（CL）的聚苯乙烯
V
PS
= 4.5 V
I
P
= 1.5毫安
-
5.5
210
6.5
450
8.5
开路负载检测特性
可以检测到开路负载条件而TOPFET处于断开状态。请参阅
真值表
.
V
PS
= 5 V.极限是-40℃
≤
T
mb
≤
150℃，标准结构为T
mb
= 25C.
符号
I
DSP
V
DSF
V
ISF
参数
断态漏电流
2
漏阈值电压
3
输入阈值电压
4
条件
V
IS
= 0 V; 2 V
≤
V
DS
≤
40 V
V
IS
= 0 V
I
D
= 100
A
分钟。
0.9
0.2
0.3
典型值。
1.8
1
0.8
马克斯。
2.7
2
1.1
单位
mA
V
V
过载特性
T
mb
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
I
D
参数
负载短路
漏电流限制
过载保护
P
D（ TO ）
T
DSC
过载功率门限
特征时间
过热保护
临界温度
条件
V
PS
> 4 V
V
IS
= 5 V;
V
PS
> 4 V
如果设备跳闸P
D
> P
D（ TO ）
这就决定了行程时间
5
V
PS
= 5 V
从我
D
≥
4 A或V
DS
> 0.2 V
75
250
185
380
250
600
W
s
-40C
≤
T
mb
≤
150C
28.5
44
60
A
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
T
J（下TO ）
150
170
-
C
1
当V
PS
小于V
PSF
标志引脚指示低保护电压。请参考真值表。
2
漏源电流在正常负载中流动时，保护电源是高且输入是低的。
3
如果V
DS
＆ LT ; V
DSF
那么标志指示开路负载。
4
对于开路负载检测，V
IS
必须小于V
ISF
.
5
旅行时间t
SC
随过载耗散P
D
根据公式吨
SC
≈
T
DSC
/ LN [P
D
/ P
D（ TO ）
].
2002年10月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
逻辑电平TOPFET
PIP3102-R
真值表
为正常，开路负载和过载条件或保护不足的电源电压。
假设适当的外部上拉为标志引脚。请参阅
FLAG特性
.
条件
正常导通状态
正常关闭状态
开路负载
开路负载
负载短路
1
过温
低保护电压
低保护电压
保护
1
1
1
1
1
1
0
0
关键
“0”等于低
'1'等于高
'X'等于不关心。
输入
1
0
1
0
1
X
1
0
旗
0
0
0
1
1
1
1
1
产量
ON
关闭
ON
关闭
关闭
关闭
ON
关闭
FLAG特性
该标志是它需要一个外部上拉电路的开路漏极晶体管。
极限是-40℃
≤
T
mb
≤
150C ;标准结构为T
mb
= 25C.
符号
V
FSF
I
FSF
I
FSO
V
（CL）的FS
R
F
参数
标志“低”
国旗电压
旗饱和电流
旗'高'
标记漏电流
旗钳位电压
应用信息
合适的外部上拉
阻力
V
FF
= 5 V
-
47
-
k
条件
正常运行; V
PS
= 5 V
I
F
= 100
A
V
FS
= 5 V
过载或故障
V
FS
= 5 V
I
F
= 100
A
-
5.5
0.1
6.2
10
8.5
A
V
-
-
0.8
10
1
-
V
mA
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
开关特性
T
mb
= 25 ;
I
= 50
;
R
IS
= 50
;
V
DD
= 15 V ;阻性负载R
L
= 10
.
符号
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
IS
: 5 V
0 V
条件
V
IS
: 0 V
5 V
分钟。
-
-
-
-
典型值。
1.8
3.5
11
5
马克斯。
5
8
30
12
单位
s
s
s
s
1
在该状态下，保护电路被锁存。要复位锁存保护引脚必须为低电平。请参阅保护器供应
的特点。
2002年10月
5
启1.000
QQ：2880707522 复制
