分立半导体
数据表
PIMH9 ; PUMH9 ; PEMH9
NPN / NPN电阻配备
晶体管; R1 = 10 kΩ的, R2 = 47 kΩ的
产品数据表
取代2003年的数据9月15日
2004年4月14日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的, R2 = 47 kΩ的
订购信息
包
类型编号
名字
PEMH9
PIMH9
PUMH9
描述
PIMH9 ; PUMH9 ; PEMH9
VERSION
SOT666
SOT457
SOT363
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
塑料表面贴装封装; 6引线
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
i
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出电流
峰值集电极电流
总功耗
SOT363
SOT457
SOT666
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
总功耗
SOT363
SOT457
SOT666
笔记
1.设备安装在一FR4印刷电路板,单双面铜,标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1和2
300
600
300
mW
mW
mW
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1和2
65
65
200
300
200
+150
150
+150
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+40
10
100
100
V
V
mA
mA
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
10
V
V
V
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
2004年4月14日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN / NPN电阻配备晶体管;
R1 = 10 kΩ的, R2 = 47 kΩ的
热特性
符号
每个晶体管
R
号(j -a)的
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT457
SOT666
每个器件
R
号(j -a)的
从结点到环境的热阻
SOT363
SOT457
SOT666
笔记
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1和2
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1和2
参数
PIMH9 ; PUMH9 ; PEMH9
条件
价值
单位
625
417
625
K / W
K / W
K / W
416
208
416
K / W
K / W
K / W
1.设备安装在一FR4印刷电路板,单双面铜,标准的足迹。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我(关闭)
V
我(上)
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
= 50 V ;我
E
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 A
V
CE
= 30 V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
= 5 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 5毫安
V
CE
= 5 V ;我
C
= 100
μA
V
CE
= 0.3 V ;我
C
= 1毫安
分钟。
100
1.4
7
3.7
典型值。
0.7
0.8
10
4.7
马克斯。
100
1
50
150
100
0.5
13
5.7
2.5
pF
mV
V
V
kΩ
单位
nA
μA
μA
μA
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 5毫安;我
B
= 0.25毫安
2004年4月14日
4
分立半导体
数据表
dbook , halfpage
M3D302
PIMH9
NPN电阻配备双
晶体管; R1 = 10 kΩ的, R2 = 47 kΩ的
产品speci fi cation
2001年09月13日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN电阻配备双晶体管;
R1 = 10 kΩ的, R2 = 47 kΩ的
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
每个器件
P
合计
记
总功耗
T
AMB
≤
25
°C;
注1
600
输出直流(DC)
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
+40
10
100
100
300
+150
150
+150
发射极开路
开基
集电极开路
50
50
10
参数
条件
分钟。
马克斯。
PIMH9
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
mW
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘1厘米
2
.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.装置安装在一个印刷电路板,单面铜,镀锡,集电极安装焊盘1厘米
2
.
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
208
单位
K / W
2001年09月13日
3