PIC18F2525/2620/4525/4620
PIC18F2525 / 2620 /四千六百二十零分之四千五百二十五数据资料勘误表
澄清/更正数据
表：
器件数据手册（ DS39626B ） ，以下
澄清和更正应注意。任何
相关的PIC18F2525硅问题/四千五百二十五分之二千六百二十○ /
4620设备将在一个单独的芯片来报道
勘误表。请浏览Microchip网站上的任何
现有的问题。
1.模块： I / O端口
该TRIS设置在PORTC TX引脚
设备数据表的表10-5是不正确的
表示为“1”。
正确的TRIS设置PORTC上的TX引脚
为“0” 。
2.模块：复位
如表4-4所示的PR2初始化条件
为MCLR复位，看门狗复位，
RESET
指令，
堆栈复位，并通过WDT或中断唤醒
应改为“ UUUU
uuuu”
如图中
下表（变化示于
胆大
文字） ：
表4-4：
注册
初始化条件的所有寄存器
适用设备
上电复位，
欠压复位
1111 1111
MCLR复位，
WDT复位，
RESET
指令，
堆栈复位
uuuu uuuu
通过WDT唤醒
或中断
uuuu uuuu
PR2
2525 2620 4525 4620
图例：
u
=不变，
x
=未知，
-
=未实现位，读为'0' ，
q
=值取决于具体条件。
阴影单元表示不适用于指定器件。
3.模块：电压，频率的关系曲线
标题信息图26-2 ：电压 -
频率的关系曲线（扩展） ，引用
错误的设备的家庭和已更改为
内容如下：
图26-2 ：
PIC18F2525 / 2620 /四千六百二十零分之四千五百二十五电压 - 频率曲线图（ EXTENDED ）
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4，模块：直流特性
In
第26.3节“直流特性”
（页336 ）
规格为V
IL
参数D033B和
D034已经明确，现在内容如下：
26.3
DC特性： PIC18F2525 / 2620 /四千六百二十○分之四千五百二十五（工业级，扩展）
PIC18LF2525 / 2620 /四千六百二十〇分之四千五百二十五（工业级）
标准工作条件（除非另有说明）
工作温度-40°C
≤
T
A
≤
+ 85°C工业
特征
输入低电压
OSC1
T13CKI
V
SS
V
SS
0.3
0.3
V
V
XT ， LP模式
民
最大
单位
条件
DC特性
PARAM
符号
号
V
IL
D033B
D034
5.模块： A / D转换器特性
在表26-24 ： A / D转换器特性
（页359 ） ，规格A40已添加：
表26-24 ： A / D转换器特性： PIC18FX525 / X620 （工业级，扩展）
PIC18LFX525 / X620 （工业级）
PARAM
符号
号
A40
I
AD
特征
从V A / D电流
DD
PIC18FXXXX
PIC18LFXX20
民
—
—
典型值
180
90
最大
—
—
单位
μA
μA
条件
在平均电流
转变
6.模块：指令集
表24-2 ： PIC18FXXXX指令集
（第270-271页），则
ADDWF ， ADDWFC
和
BTG
指令已被修改。这些变化是
所示
胆大
文字：
表26-25 ： PIC18FXXXX指令集
助记符，
操作数
16位指令字
描述
周期
最高位
最低位
状态
受影响
笔记
字节的操作
ADDWF
ADDWFC
BTG
注1 ：
F，D ，一
F，D ，一
f,
b,
a
添加WREG和f
ADD WREG和进位到f
位切换F
1
1
1
0010
0010
01da
00da
ffff
ffff
ffff
C，DC ， Z， OV ，N
ffff
C，DC ， Z， OV ，N
ffff
无
1, 2
1, 2
1, 2
位的操作
0111
bbba
ffff
当端口寄存器修改自身时（例如，
MOVF PORTB ， 1 ， 0 ） ，
中使用的值的值将是
目前在引脚上。例如，如果该数据锁存器是“1”，配置为输入，一个引脚驱动为低电平由
外部设备时，数据将被写回'0' 。
如果这个指令对TMR0寄存器执行（如适用， ' D' =
1),
预分频器的话会被清除
分配。
2:
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7.模块：时序图和
特定网络阳离子
表26-6 ：外部时钟时序要求
（页343 ）进行了修订（修改和
加法示于
胆大
文本）。
表26-6 ：
参数。
号
1A
外部时钟时序要求
特征
外部CLKI频率
(1)
民
DC
DC
DC
DC
振荡器频率
(1)
符号
F
OSC
最大
1
25
31.25
40
4
4
25
10
200
—
—
—
—
—
1
250
250
200
单位
兆赫
兆赫
千赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
千赫
ns
ns
μs
ns
ns
μs
ns
ns
μs
条件
XT ， RC振荡器模式
HS振荡器模式
LP振荡器模式
EC振荡器模式
RC振荡器模式
XT振荡器模式
HS振荡器模式
HS + PLL的振荡器模式
LP振荡器模式
XT ， RC振荡器模式
HS振荡器模式
LP振荡器模式
EC振荡器模式
RC振荡器模式
XT振荡器模式
HS振荡器模式
HS + PLL的振荡器模式
LP振荡器模式
DC
0.1
4
4
5
1
T
OSC
外部CLKI期
(1)
1000
40
32
25
振荡器周期
(1)
250
250
40
100
5
注1 ：
指令周期（T
CY
）等于对所有的配置四次输入振荡器时基周期
除了PLL 。所有规定值均基于特性数据，在特定振荡器类型
标准工作条件与设备执行代码。超出这些规定的限制，可能会导致
在振荡器运行不稳定和/或高于预期的电流消耗。所有器件的测试
到了外部时钟“最小”值均在OSC1 / CLKI引脚。当使用外部时钟
输入时， “最大”周期时间极限为“DC ” （无时钟）的所有设备。
8.模块： EUSART
RX引脚的采样信息
第18.1.2
“采样”
发生了变化。本节现在读
如下：
9.模块： MSSP
In
第17.3.2 “操作” ，
下面的注意事项
已添加：
注意：
SSPBUF寄存器不能与使用
读 - 修改 - 写指令，如
BCF ， BTFSC ， COMF ，
等等
18.1.2
采样
RX引脚上的数据是由一个采样三次
多数检测电路，以确定是否一个高或低
水平出现在RX引脚时， SYNC是明确的或
当BRG16和BRGH都没有设置。
RX引脚上的数据采样一次， SYNC是
设置或当BRGH16和BRGH都设置。
10.模块： QFN
在第3页和QFN封装引脚图
表1-3：
PIC18F4525/4620
引脚
I / O
说明，下面的注意事项已添加：
注意：
因此建议以连接底部
的QFN封装部分， V垫
SS
.
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11.模块：电气特性
参数D031A和D041A已添加
to
第26-3 “直流特性” ，
如图所示
如下：
26.3
DC特性： PIC18F2525 / 2620 /四千六百二十○分之四千五百二十五（工业）
PIC18LF2525 / 2620 /四千六百二十〇分之四千五百二十五（工业级）
标准工作条件（除非另有说明）
工作温度-40°C
≤
T
A
≤
+ 85°C工业
特征
输入低电压
I / O端口：
带有SMBus缓冲器
V
IH
输入高电压
I / O端口：
带有SMBus缓冲器
2.1
V
DD
V
V
SS
0.8
V
民
最大
单位
条件
DC特性
PARAM
符号
号
V
IL
D031A
D041A
12.模块：电气特性
表26-1 ：存储器编程要求一
ments ，参数D132 ， D132A ， D133和
D133A已被更改。这些变化是
所示
粗体：
表26-1 ：
存储器的编程要求
标准工作条件（除非另有说明）
工作温度-40°C
≤
T
A
≤
+ 85°C工业
特征
闪存程序存储器
民
TYP
最大
单位
条件
DC特性
PARAM
号
D132
符号
V
IE
V
DD
为块擦除
V
DD
对于外部定时擦除
或写
ICSP块擦除周期时间
ICSP擦除或写入周期时间
（外部定时）
自定时写周期时间
3.0
4.5
—
1
—
—
—
5.5
5.5
—
—
—
V
V
ms
ms
ms
使用ICSP端口，
25°C
使用ICSP端口，
25°C
V
DD
≥
4.5V
V
DD
≥
4.5V ，25°C
D132A V
IW
D133
T
IE
4
—
2
D133A牛逼
IW
D133A牛逼
IW
13.模块： I / O引脚说明
该QFN列从表1-2中删除：
PIC18F2525 / 2620 I / O引脚说明。
的PIC18F2525 / 2620设备不可用
采用QFN封装。
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修订历史
REV A文档（ 01/2005 ）
本文件的第一个修订版。
数据表澄清的问题1 （ I / O端口） ，
2（复位），3（电压 - 频率图） ，图4（直流
特征） ， 5 （A / D转换器特性） ，
6 （指令集）和7 （时序图和
特定网络阳离子） 。
版本B文件（ 09/2005 ）
添加数据表澄清的问题8 （ EUSART ） ， 9
（ MSSP ） ， 10 （ QFN ） ， 11-12 （电气特性）
和13 （ I / O引脚说明） 。
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