PIC16C50X
2.0
程序模式入口
6.
在编程/校验测试模式由集团公司签订
引脚RB0和RB1低，而从V提高MCLR引脚
IL
到V
IHH
。一旦在该测试模式，用户程序
存储器和测试程序存储器可以是
访问，并以串行方式进行编程。第一
选择存储位置是配置字。
RB0和RB1在这个施密特触发器输入
模式。
递增一次PC （使用增量
address命令）选择稳压的位置量0x000
征地拆迁程序存储器。之后，所有其它存储器
从0x001-03FF位置可以通过增量来解决
门庭的PC 。
如果程序计数器已经达到了最后一个用户亲
克位置，并再次增加，片上spe-
CIAL EPROM领域将得到解决。 （参见图2-2
确定特殊EPROM区位于于
各种PIC16C50X设备。 ）
验证所有地点在V
DD
= V
DDMAX
.
V
DDMIN
为最小工作电压规格。
对的部分。 V
DDMAX
是最高工作
电压规格。对的部分。
2.1.2
系统要求
显然，为了实现这种技术，最严格
要求将是电源的：
V
PP
:
V
PP
可以是一个固定13.0V到13.25V供给。它必须
不超过14.0V ，以避免损坏销和
应该是电流限制在大约100mA电流。
V
DD
:
2.0V至6.5V与0.25V的粒度。由于这
方法调用VERI网络阳离子在不同的V
DD
值，一
可编程V
DD
需要电源。
电流要求：
最大40mA
微芯片可以与differ-未来释放装置
耳鼻喉科V
DD
范围内，这使得它必须有一个亲
可编程V
DD
.
这验证了EPROM的电压是非常重要的
在该方法中指定将保持一致
Microchip的测试筛选。例如，一个PIC16C50X
在4.5V至5.5V应进行适当的测试
编程为4.5V至5.5V 。
注意：
任何程序员不符合编程
梅布尔V
DD
要求和验证处
V
DDMAX
和V
DDMIN
的要求，可
仅被归类为“原型”或
“发展”的程序员，但不是
生产编程器。
2.1
编程方法
该编程技术被在后续描述
一节。它的目的是保证良好的编程
明利润率。它，然而，需要一个可变
对于V电源
CC
.
2.1.1
1.
2.
编程方法的详细信息
本质上，该技术包括以下步骤：
在V进行空白支票
DD
= V
DDMIN
。报告
失败。该设备可能不被适当地擦除。
用脉冲程序的位置和之后的每个验证
脉冲在V
DD
= V
DDP
：其中，V
DDP
= V
DD
范围
编程（ - 5.5V 4.5V ）时必需的。
规划条件：
V
PP
= 12.75V到13.25V
V
DD
= V
DDP
= 4.5V至5.5V
V
PP
必须是
≥
V
DD
+ 7.25V ，以保持
“编程模式”激活。
确认条件：
V
DD
= V
DDP
V
PP
≥
V
DD
+ 7.5V ，但不超过13.25V
如果定位失败后， “N”个脉冲编程（伊赛格
8 gested最大编程脉冲），则
报错作为编程失败。
注意：
设备必须进行校验网络版的最小和
最大的特定网络编辑的工作电压为
特定网络版中的数据表。
一旦位置通行证“第2步” ，适用11X过
编程，即，应用的11倍的数量
被要求的编程某些地区的脉冲
化。这将确保一个稳固的编程马歇尔
杜松子酒。该overprogramming应
“软件编程” ，便于更新。
程序的所有位置。
验证所有位置（使用速度验证模式） ，在
V
DD
= V
DDMIN
.
2.1.3
软件要求
某些参数应该是可编程的（和
因此，很容易修改），便于升级。
a)
b)
c)
脉冲宽度。
脉冲的最大数目，目前限制8 。
过度的编程脉冲数目：应
= （ A N） + B ，其中N =脉冲数
在常规的编程要求。在我国目前的
算法A = 11 ， B = 0 。
a)
b)
2.2
编程脉冲宽度
程序存储单元：
编程时1
EPROM ，编程脉冲宽度（T字
PW
）的
100
s
值得推荐。
编程尝试的最大数目
应当限于8％的单词。
后的第一次成功的验证，相同的位置应
被过度编程11X过度编程。
配置字：
对于振荡配置字
荡器的选择， WDT （看门狗定时器）禁用和
代码保护和MCLR使，需要
编程脉冲宽度（T
PWF
）为10 ms 。一系列的
100
s
脉冲最好在一个单一的10毫秒的脉冲。
3.
4.
5.
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PIC16C50X
图2-2：
PIC16C50X系列的程序存储器映射在编程/校验模式
地址11
（ HEX ） 000
位编号
0
NNN
TTT
TTT + 1
TTT + 2
TTT + 3
用户程序存储器
（ NNN + 1 ）× 12位
0
0
0
0
0
0
0
0
ID0
ID1
ID2
ID3
供客户使用
（4×4位可用）
工厂使用
TTT + 3F
(FFF)
CON组fi guration字5位
NNN最高标准EPROM存储器地址。 NNN = 0x3FF处为PIC16C505 。
需要注意的是有些版本将有NNN编程振荡器校准值。
TTT启动特殊EPROM区和ID单元的地址。
2.3
特殊存储位置
2.3.1
客户ID代码中的位置
程序存储器空间的最高地址是
内部RC振荡器校准值保留。
这个位置不应当除外时覆盖
这个位置是空的，并且它应该是VERI网络版，当
编程的，它是一个
MOVLW XX
指令。
该ID的位置区域时，才会启用，如果设备在
编程/校验模式。因此，在正常操作
模式中，只有存储器位置0x000到位域将
被访问和程序计数器会只是侧翻
从位域的地址为0x000加时。
配置字只能访问被立即
ately后MCLR ，从V去
IL
到V
HH
。该计划
计数器会在MCLR = V设置为全1
IL
。因此，
它具有值“ 0xFFF的”当访问CON组fi gura-
化EPROM 。递增程序计数器一次
使程序计数器计满返回到全0 。
后递增程序计数器4K时代
复位（ MCLR = V
IL
）不允许访问
配置EPROM 。
根据定义，第一四个字（地址TTT到
TTT + 3）为客户保留。这是中建议
谁料，客户只使用四个低阶
位（位0到3）的每个字的和填充的八个
高阶位'0' 。
用户可能想要存储的识别码（ ID），在
标识位置，仍然可以后读这段代码
代码保护位进行编程。
例2-1：
客户代码0xD1E2
客户ID码“ 0xD1E2 ”应存放在
ID单元400-403是这样的：
400:
401:
402:
403:
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
0000
1101
0001
1110
0010
读出这四个存储单元，即使采用
代码保护位编程，仍然会在输出
PORTA的比特序列“1101” ， “0001” ， “1110” ，
“0010 ”，这是“ 0xD1E2 ” 。
注意：
在所有的PICmicro其他地区
CON连接gura-
记忆时被保留，不应该
进行编程。
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2.4
编程/校验模式
2.4.1
程序/验证操作
在编程/校验模式是通过保持引脚输入
RB1和RB0低，而从V提高MCLR引脚
IL
to
V
IHH
（高电压）。一旦在该模式下，用户程序
程序存储器和CON组fi guration内存可以
访问，并以串行方式进行编程。模式
的操作是串行的，并且该存储器访问的
是用户程序存储器。 RB0和RB1是施密特
触发器输入在此模式下。
进入该设备进入编程序列
明/校验模式将所有其他逻辑到RESET
国家（ MCLR引脚最初是在V
IL
） 。这意味着
所有的I / O都处于复位状态（高阻
输入） 。
注意：
在MCLR引脚应该从V提高
IL
to
V
IHH
在V 9毫秒
DD
上升。这是为了
确保该设备不具有
在有效的操作电脑，而加
范围内。
RB1引脚用作时钟输入引脚， RB0
引脚用于输入命令比特和数据输入/
串行操作过程中输出。输入一个命令时，
时钟引脚（ RB1 ）被循环6次。每个命令位
被锁存，用最少的时钟的下降沿
正在执行的命令输入显著位（LSB）第一。
上引脚RBO的数据需要具有最小
建立时间和保持时间（参见AC / DC规格） ，相对于
在时钟的下降沿。有数据命令
与之相关联（读和负载）被指定为
有命令之间为1μs的最小延迟
和数据。这一延迟后的时钟引脚循环16
与网络连接第一个周期是一个起始位和最后时间
周期是一个停止位。数据也被输入和输出
最低有效位。因此，在读取操作期间，最低有效位
上的上升沿将被发送到引脚RB0
在第二个周期，并在加载操作期间，最低位
将被锁定在所述第二周期中的下降沿。
最小1μs的延迟所配置的同时指定
secutive命令。
所有的命令都发送LSB科幻RST 。数据字
也首先发送LSB 。该数据被发送上
上升沿锁存的下降沿
时钟。为了让命令和逆转解码
数据引脚配置，一时间间隔至少
1μs的需要进行命令和数据字之间
（或其它命令） 。
可用的命令列于表2-1中。
表2-1：
命令映射
命令
LOAD DATA
读数据
增量地址
开始编程
端编程
0
0
0
0
0
映射（MSB ...最低位）
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
1
0
1
0
0
0
0
0
数据
0 ，数据（14 ），0
0 ，数据（14 ），0
注意：
时钟必须在在线编程被禁止。
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