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21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6CV855
PLL时钟驱动器的2.5V
SSTL 2 DDR SDRAM内存
产品特点
??为SSTL_2 DDR SDRAM优化PLL时钟分配
应用程序。
??分配一个差分时钟输入对五差
时钟输出对。
输入( CLK , CLK )和( FBIN , FBIN ) : SSTL_2
输出( YX , YX ) , ( FBOUT , FBOUT ) : SSTL_2
??外部反馈引脚( FBIN , FBIN )用于
同步输出到时钟输入。
可在AV
DD
= 2.5V核心电路和内部PLL ,
和V
DDQ
= 2.5V的差分输出驱动器
??可用包装:
??塑料28引脚TSSOP
产品说明
PI6CV855 PLL时钟器件的SSTL_DDR SDRAM开发
应用程序。此PLL时钟缓冲器是专为2.5 V
DDQ
2.5V AV
DD
运算和差分数据输入和输出电平。
该装置是分发差分时钟信号,零延迟缓冲器
输入对( CLK , CLK)五差分对时钟输出
(Y [0: 4 ],Y [ 0 :4])和一个差分对反馈时钟输出
( FBOUT , FBOUT ) 。时钟输出由输入控制
时钟(CLK , CLK) ,所述反馈时钟( FBIN , FBIN ),并且
模拟电源输入( AV
DD
) 。当AV
DD
绑低,
PLL被关闭并旁路用于测试目的。
当输入频率低于建议的检测频
昆西即低于PLL的工作频率,该装置
将进入低功率模式。在低功耗模式下, PLL被关闭,
Y [ 0:4 ]和Y [0: 4]输出三态。
该PI6CV855能够跟踪扩频时钟,以减少
EMI。
框图
引脚配置
Y0
Y0
CLK
CLK
FBIN
FBIN
GND
Y0
Y0
VD Q
CLK
CLK
AV D D
AG N D
GND
Y1
Y1
VD Q
Y2
Y2
1
2
3
4
5
28
27
26
25
24
Y4
Y4
VD Q
GND
FBOUT
FBOUT
VD Q
FBIN
FBIN
GND
VD Q
Y3
Y3
GND
Y1
Y1
PLL
Y2
Y2
Y3
Y3
Y4
Y4
6
28-Pin
23
L
22
7
8
9
10
11
12
13
14
21
20
19
18
17
16
15
AV
DD
逻辑
测试Ciruit
1
PS8545
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21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6CV855
PLL时钟驱动器的2.5V
SSTL 2 DDR SDRAM内存
接脚分布表
名字
CLK
CLK
Y[0:4]
Y[0:4]
FBOUT
FBOUT
FBIN
FBIN
V
DDQ
AV
DD
AGND
GND
PIN号
5
6
3,11,13,17,27
2,10,14,16,28
23
24
21
20
4,12,18,22,26
7
8
1,9,15,19,25
I
O
I / O
TYPE
I
参考时钟输入
时钟输出。
补时钟输出。
反馈输出,并补反馈输出
反馈输入,并补反馈输入
电源的I / O引脚。
龙鼎/核心供电。 AV可以用于绕过锁相环用于测试目的。当
DD
AV
DD
绑在地上, PLL被旁路& CLK直接缓存到设备的输出。
模拟/核心地。提供模拟/核心电路的接地参考
地面的I / O引脚。
德s cription
功能表
输入
AV
DD
GND
GND
2.5V(nom)
2.5V(nom)
2.5V(nom)
CLK
L
H
L
H
<20兆赫
CLK
H
L
H
L
Y[0:4]
Z
Z
L
H
Z
Y[0:4]
Z
Z
H
L
Z
输出
FBOUT
Z
Z
L
H
Z
FBOUT
Z
Z
H
L
Z
旁路/关
旁路/关
on
on
关闭
PLL状态
注意事项:
对于测试和省电的目的, PI6CV855会如果断电的参考输入频率
CLK, CLK为远低于工作频率范围。最大功率降压时钟频率低于20MHz的。
例如, PI6CV855将被断电时, CLK , CLK停止运行。
Z =高阻抗
X =无关
2
PS8545
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21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6CV855
PLL时钟驱动器的2.5V
SSTL 2 DDR SDRAM内存
绝对最大额定值
(在工作自由空气的温度范围内)
符号
V
DDQ
, AV
DD
V
I
V
O
TSTG
帕拉梅德
I / O电源电压范围和模拟/内核电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
储存温度
M英寸
0.5
0.5
0.5
65
M AX 。
3.6
V
DDQ
+0.5
V
单位
150
o
C
注意:
压力超出下??绝对最大额定值?可能对器件造成永久性损坏。
时序要求
(在推荐工作的自由空气的温度)
符号
电子旗下cription
操作摄像时钟频率
(1,2)
应用时钟频率
输入时钟的占空比
通电后, PLL稳定时间
(3)
AV
DD
, V
DDQ
= 2.5V ±0.2V
M英寸
60
95
40
M AX 。
170
170
60
100
单位
f
CK
t
DC
t
兆赫
%
s
注意事项:
1. PLL电路能够处理扩频诱导的歪斜。
2.工作时钟频率指示的范围在其上的PLL能够锁定的,但在该时钟是
不要求,以满足其他时序参数。 (用于低速调试) 。
3.应用的时钟频率指示范围该PLL满足所有的时序参数。
3
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21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6CV855
PLL时钟驱动器的2.5V
SSTL 2 DDR SDRAM内存
DC特定网络阳离子
符号
AV
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IX
V
OX
V
IN
V
ID
V
OD
T
A
推荐工作条件
帕拉梅德
模拟/内核电源电压
本安输出电源电压
高级别输出电压
低电平输出电压
输入差模对电压穿越
在SDRAM时钟输入本安输出差模对电压穿越
输入电压电平
CLK与CLK之间的输入差分电压
Y [ n]和Y [ n]和FBO UT之间本安输出电压差
和FBO UT
操作摄像自由的空气温度
M英寸
2.3
2.3
1.8
0
(V
DDQ
/2) 0.2
(V
DDQ
/2) 0.2
0.3
0.36
0.7
0
喃。
2.5
2.5
M AX 。
2.7
2.7
V
DDQ
0.5
(V
DDQ
/2) +0.2
(V
DDQ
/2) +0.2
V
DDQ
+0.3
V
DDQ
+0.6
V
DDQ
+0.6
70
°C
V
单位
电气特性
帕拉梅德
V
IK
I
I
I
DDQ
所有的输入
CLK , FBIN
V动态电源电流
DDQ
静态电源电流
I
添加
AV的动态电源电流
DD
静态电源电流
CLK和CLK
FBIN和FBIN
特S T条件
I
I
= -18mA
V
I
= V
DDQ
或GND
V
DD
= 2.7V
(1)
CLK & CLK <20兆赫
V
DD
= 2.7V
(1)
CLK & CLK <20兆赫
V
I
= V
DD
或GND
2.5V
2.0
A
VDD
, V
DDQ
2.3V
2.7V
M英寸
典型值。
M AX 。
1.2
±10
300
100
12
100
3.0
单位
V
A
mA
A
mA
A
pF
C
I
注意事项:
1.驾驶9或18 DDR SDRAM内存芯片具有120欧姆的终端电阻每个时钟输出对134兆赫。
2.最大功率降低时钟频率低于20MHz的。
4
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21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6CV855
PLL时钟驱动器的2.5V
SSTL 2 DDR SDRAM内存
AC规格
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,女
CLK
> 100兆赫(除非另有说明) 。
(参见图1和图2 )
帕拉梅德
t(
θ)
tjit ( CC)
tjit (全)
tjit ( HPER )
TSL (I)的
谢瑞麟( O)
TSK ( O)
德s cription
静态相位偏移
(1)
的逐用于─周期抖动
周期抖动
半周期抖动
输入时钟转换率
(2)
输出时钟转换率
(2)
输出时钟歪斜
图4
科幻gure 3
图6
图7
图8
图8
图5
AV
CC
, V
DDQ
= 2.5V ±0.2V
M英寸
50
75
75
100
1.0
1.0
喃。
0
米斧
50
75
75
100
2.0
2.0
100
单位
ps
V / ns的
ps
在PI6CV855锁相环满足同时支持SSC合成使用以下参数的所有上述参数
(3)
.
SSC调制频率
SSC时钟输入频率偏差
PLL环路带宽
相位角
注意事项:
1.静态相位偏移不包括抖动。
2,压摆率从IBIS模型试验载荷如图1所示确定。
3. SSC要求符合英特尔PC100 SDRAM寄存型DIMM规格。
30.0
0.00
2
50.0
0.50
千赫
%
兆赫
0.031
5
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21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6CV855
PLL时钟驱动器的2.5V
SSTL 2 DDR SDRAM内存
产品特点
??为SSTL_2 DDR SDRAM优化PLL时钟分配
应用程序。
??分配一个差分时钟输入对五差
时钟输出对。
输入( CLK , CLK )和( FBIN , FBIN ) : SSTL_2
输出( YX , YX ) , ( FBOUT , FBOUT ) : SSTL_2
??外部反馈引脚( FBIN , FBIN )用于
同步输出到时钟输入。
可在AV
DD
= 2.5V核心电路和内部PLL ,
和V
DDQ
= 2.5V的差分输出驱动器
??可用包装:
??塑料28引脚TSSOP
产品说明
PI6CV855 PLL时钟器件的SSTL_DDR SDRAM开发
应用程序。此PLL时钟缓冲器是专为2.5 V
DDQ
2.5V AV
DD
运算和差分数据输入和输出电平。
该装置是分发差分时钟信号,零延迟缓冲器
输入对( CLK , CLK)五差分对时钟输出
(Y [0: 4 ],Y [ 0 :4])和一个差分对反馈时钟输出
( FBOUT , FBOUT ) 。时钟输出由输入控制
时钟(CLK , CLK) ,所述反馈时钟( FBIN , FBIN ),并且
模拟电源输入( AV
DD
) 。当AV
DD
绑低,
PLL被关闭并旁路用于测试目的。
当输入频率低于建议的检测频
昆西即低于PLL的工作频率,该装置
将进入低功率模式。在低功耗模式下, PLL被关闭,
Y [ 0:4 ]和Y [0: 4]输出三态。
该PI6CV855能够跟踪扩频时钟,以减少
EMI。
框图
引脚配置
Y0
Y0
CLK
CLK
FBIN
FBIN
GND
Y0
Y0
VD Q
CLK
CLK
AV D D
AG N D
GND
Y1
Y1
VD Q
Y2
Y2
1
2
3
4
5
28
27
26
25
24
Y4
Y4
VD Q
GND
FBOUT
FBOUT
VD Q
FBIN
FBIN
GND
VD Q
Y3
Y3
GND
Y1
Y1
PLL
Y2
Y2
Y3
Y3
Y4
Y4
6
28-Pin
23
L
22
7
8
9
10
11
12
13
14
21
20
19
18
17
16
15
AV
DD
逻辑
测试Ciruit
1
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21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6CV855
PLL时钟驱动器的2.5V
SSTL 2 DDR SDRAM内存
接脚分布表
名字
CLK
CLK
Y[0:4]
Y[0:4]
FBOUT
FBOUT
FBIN
FBIN
V
DDQ
AV
DD
AGND
GND
PIN号
5
6
3,11,13,17,27
2,10,14,16,28
23
24
21
20
4,12,18,22,26
7
8
1,9,15,19,25
I
O
I / O
TYPE
I
参考时钟输入
时钟输出。
补时钟输出。
反馈输出,并补反馈输出
反馈输入,并补反馈输入
电源的I / O引脚。
龙鼎/核心供电。 AV可以用于绕过锁相环用于测试目的。当
DD
AV
DD
绑在地上, PLL被旁路& CLK直接缓存到设备的输出。
模拟/核心地。提供模拟/核心电路的接地参考
地面的I / O引脚。
德s cription
功能表
输入
AV
DD
GND
GND
2.5V(nom)
2.5V(nom)
2.5V(nom)
CLK
L
H
L
H
<20兆赫
CLK
H
L
H
L
Y[0:4]
Z
Z
L
H
Z
Y[0:4]
Z
Z
H
L
Z
输出
FBOUT
Z
Z
L
H
Z
FBOUT
Z
Z
H
L
Z
旁路/关
旁路/关
on
on
关闭
PLL状态
注意事项:
对于测试和省电的目的, PI6CV855会如果断电的参考输入频率
CLK, CLK为远低于工作频率范围。最大功率降压时钟频率低于20MHz的。
例如, PI6CV855将被断电时, CLK , CLK停止运行。
Z =高阻抗
X =无关
2
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PI6CV855
PLL时钟驱动器的2.5V
SSTL 2 DDR SDRAM内存
绝对最大额定值
(在工作自由空气的温度范围内)
符号
V
DDQ
, AV
DD
V
I
V
O
TSTG
帕拉梅德
I / O电源电压范围和模拟/内核电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
储存温度
M英寸
0.5
0.5
0.5
65
M AX 。
3.6
V
DDQ
+0.5
V
单位
150
o
C
注意:
压力超出下??绝对最大额定值?可能对器件造成永久性损坏。
时序要求
(在推荐工作的自由空气的温度)
符号
电子旗下cription
操作摄像时钟频率
(1,2)
应用时钟频率
输入时钟的占空比
通电后, PLL稳定时间
(3)
AV
DD
, V
DDQ
= 2.5V ±0.2V
M英寸
60
95
40
M AX 。
170
170
60
100
单位
f
CK
t
DC
t
兆赫
%
s
注意事项:
1. PLL电路能够处理扩频诱导的歪斜。
2.工作时钟频率指示的范围在其上的PLL能够锁定的,但在该时钟是
不要求,以满足其他时序参数。 (用于低速调试) 。
3.应用的时钟频率指示范围该PLL满足所有的时序参数。
3
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21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6CV855
PLL时钟驱动器的2.5V
SSTL 2 DDR SDRAM内存
DC特定网络阳离子
符号
AV
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IX
V
OX
V
IN
V
ID
V
OD
T
A
推荐工作条件
帕拉梅德
模拟/内核电源电压
本安输出电源电压
高级别输出电压
低电平输出电压
输入差模对电压穿越
在SDRAM时钟输入本安输出差模对电压穿越
输入电压电平
CLK与CLK之间的输入差分电压
Y [ n]和Y [ n]和FBO UT之间本安输出电压差
和FBO UT
操作摄像自由的空气温度
M英寸
2.3
2.3
1.8
0
(V
DDQ
/2) 0.2
(V
DDQ
/2) 0.2
0.3
0.36
0.7
0
喃。
2.5
2.5
M AX 。
2.7
2.7
V
DDQ
0.5
(V
DDQ
/2) +0.2
(V
DDQ
/2) +0.2
V
DDQ
+0.3
V
DDQ
+0.6
V
DDQ
+0.6
70
°C
V
单位
电气特性
帕拉梅德
V
IK
I
I
I
DDQ
所有的输入
CLK , FBIN
V动态电源电流
DDQ
静态电源电流
I
添加
AV的动态电源电流
DD
静态电源电流
CLK和CLK
FBIN和FBIN
特S T条件
I
I
= -18mA
V
I
= V
DDQ
或GND
V
DD
= 2.7V
(1)
CLK & CLK <20兆赫
V
DD
= 2.7V
(1)
CLK & CLK <20兆赫
V
I
= V
DD
或GND
2.5V
2.0
A
VDD
, V
DDQ
2.3V
2.7V
M英寸
典型值。
M AX 。
1.2
±10
300
100
12
100
3.0
单位
V
A
mA
A
mA
A
pF
C
I
注意事项:
1.驾驶9或18 DDR SDRAM内存芯片具有120欧姆的终端电阻每个时钟输出对134兆赫。
2.最大功率降低时钟频率低于20MHz的。
4
PS8545
06/20/01
21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6CV855
PLL时钟驱动器的2.5V
SSTL 2 DDR SDRAM内存
AC规格
开关特性在推荐工作的自由空气的温度范围内,女
CLK
> 100兆赫(除非另有说明) 。
(参见图1和图2 )
帕拉梅德
t(
θ)
tjit ( CC)
tjit (全)
tjit ( HPER )
TSL (I)的
谢瑞麟( O)
TSK ( O)
德s cription
静态相位偏移
(1)
的逐用于─周期抖动
周期抖动
半周期抖动
输入时钟转换率
(2)
输出时钟转换率
(2)
输出时钟歪斜
图4
科幻gure 3
图6
图7
图8
图8
图5
AV
CC
, V
DDQ
= 2.5V ±0.2V
M英寸
50
75
75
100
1.0
1.0
喃。
0
米斧
50
75
75
100
2.0
2.0
100
单位
ps
V / ns的
ps
在PI6CV855锁相环满足同时支持SSC合成使用以下参数的所有上述参数
(3)
.
SSC调制频率
SSC时钟输入频率偏差
PLL环路带宽
相位角
注意事项:
1.静态相位偏移不包括抖动。
2,压摆率从IBIS模型试验载荷如图1所示确定。
3. SSC要求符合英特尔PC100 SDRAM寄存型DIMM规格。
30.0
0.00
2
50.0
0.50
千赫
%
兆赫
0.031
5
PS8545
06/20/01
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