21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
1
2109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432
21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6C182
1-10精密时钟缓冲器
产品特点
低噪音的非反相缓冲器1-10
支持频率高达125 MHz （ PI6C182A ）
最多支持四个SDRAM DIMM的
低偏移（ <200ps ）任意两个输出时钟之间
I
2
串行配置接口
多V
DD
, V
SS
引脚降噪
3.3V电源电压
独立Hi-Z状态引脚进行测试
28引脚SSOP封装（H ）
描述
百利通半导体公司？的PI6C时钟系列是使用所产生的
公司 - 先进的亚微米CMOS技术，实现
业界领先的速度。
该PI6C182 / 182A是一款高转速低噪音1-10同相
缓冲设计SDRAM时钟缓冲器应用。
PI6C182支持频率高达110 MHz的。 PI6C182A支持
端口更高的频率高达125 MHz 。
上电时所有的SDRAM输出使能和活跃。在我
2
C
串行控制可用于单独激活/停用任何
的10个输出驱动器。
输出使能（ OE ）的引脚被拉低到Hi-Z状态一切
输出。
注意：
购买我
2
从百利通C元件传送的许可证
使用它们中的我
2
飞利浦定义的空调系统。
框图
SDRAM0
引脚配置
VDD0
SDRAM1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28-Pin
H
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD5
SDRAM7
SDRAM6
VSS5
VDD4
SDRAM5
SDRAM4
VSS4
OE
VDD3
SDRAM9
VSS3
VSSIIC
SCLOCK
SDRAM0
SDRAM1
VSS0
BUF_IN
SDRAM2
VDD1
SDRAM2
SDRAM3
VSS1
BUF_IN
VDD2
SDRAM8
VSS2
SDRAM3
SDRAM9
OE
SDATA
SCLOCK
I2C
I / O
VDDIIC
SDATA
1
PS8165C
01/18/01
21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6C182
1-10精密时钟缓冲器
引脚说明
针
2,3,6,7
22,23,26,27
11,18
9
20
14
15
1,5,10,19,24,28
4,8,12,17,21,25
13
16
符号
SDRAM [ 0-3 ]
SDRAM [ 4-7 ]
SDRAM [ 8-9 ]
BUF_IN
OE
SDATA
SCLOCK
V
DD[0-5]
V
SS[0-5]
V
DDIIC
V
SSIIC
TYPE
O
O
O
I
I
I / O
I / O
动力
地
动力
地
数量。
4
4
2
1
1
1
1
6
6
1
1
SDRAM字节0时钟输出
SDRAM字节1时钟输出
SDRAM字节2时钟输出
输入1-10缓冲区
您好， 国家所有输出时保持低电平。有>100k
内部上拉电阻
数据引脚用于I
2
电路。有>100k
内部上拉电阻
时钟引脚I
2
电路。有>100k
内部上拉电阻
对于SDRAM缓冲3.3V电源
地面SDRAM缓冲区
因为我3.3V电源
2
电路
地上的我
2
电路
德s cription
OE功能
OE
0
1
SDRAM[0-9]
高阻
BUF_IN
记
1
2
PI6C182串行配置地图
字节0 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =允许， 0 =禁用）
位
第7位
第6位
第5位
针＃
描述
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
注意事项：
1.仅用于测试目的
2.缓冲区是同相
PI6C182我
2
C类地址分配
A6
1
A5
1
A4
0
A3
1
A2
0
A1
0
A0
1
读/写
0
4位
第3位
第2位
第1位
位0
7
6
3
2
SDRAM3 （有效/无效）
SDRAM2 （有效/无效）
SDRAM1 （有效/无效）
SDRAM0 （有效/无效）
注意：
非活动是指输出保持低电平，
从开关禁用
2
PS8165C
01/18/01
21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6C182
1-10精密时钟缓冲器
2线I2C控制
在我
2
C接口允许个人使每个时钟/禁用
输出和测试模式使能。
该PI6C182是从接收器设备。它不能被读回。
子寻址不支持。前面所有字节必须发送
以改变的控制字节之一。
每次穿上SDATA线上字节必须是8位长（ MSB在前） ，
跟随一个应答位由接收设备产生。
只有当SCLOCK在正常数据传输SDATA变化
为LOW 。例外：具有对SDATA LOW过渡
当SCLOCK为高电平表示?? ??开始条件。从低到
在SDATA高的跳变，而SCLOCK为高电平是??停？
条件和指明一个数据传送周期的结束。
每次数据传输开始于一个起始条件和终止
字节1 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =允许， 0 =禁用）
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针＃
27
26
23
22
描述
SDRAM7 （有效/无效）
SDRAM6 （有效/无效）
SDRAM5 （有效/无效）
SDRAM4 （有效/无效）
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
一个停止条件。后一个启动条件的第一个字节总是
7位地址字节后跟一个读/写位。 （ HIGH =读取
处理装置， LOW =写入处理设备） 。如果
检测??自己地址的设备， PI6C182产生一个应答
通过在第九个时钟脉冲拉动SDATA线为低电平，则边缘
接受下列数据字节，直到另一个开始或停止条件
化
is
检测到。
地址字节的确认之后（D2 ） ，两个
字节必须发送：
1. ??命令代码？字节
2. “字节数”字节。
虽然这两个字节的数据位“不关心”，他们
必须在发送和确认。
字节2 ：为可能的未来可选注册
要求（1 =启用， 0 =禁用）
位
第7位
第6位
第5位
4位
第3位
第2位
第1位
位0
针＃
18
11
描述
SDRAM9 （有效/无效）
SDRAM8 （有效/无效）
（保留）
（保留）
（保留）
（保留）
（保留）
（保留）
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引，没有测试。 ）
存储温度................................................ .......... ？ 65 ° C至+ 150°C
环境温度与功耗的应用........................... ?? 0 ° C至+ 70°C
3.3V电源电压对地电位........................... ?? 0.5V至+ 4.6V
直流输入电压............................................... ................... ?? 0.5V至+ 4.6V
电源电流（V
DD
= + 3.465V ，C
负载
=最大值）。
符号
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
电源电流
帕拉梅德
特S T条件
BUF_IN = 0兆赫
BUF_IN = 66.66 MHz的
BUF_IN = 100.0兆赫
BUF_IN = 133.3兆赫
3
注意：
应力大于在最大上市额定
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是
一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
M英寸
典型值。
M AX 。
3
130
230
360
单位
mA
PS8165C
01/18/01
21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
PI6C182
1-10精密时钟缓冲器
DC操作规范
(V
DD
= + 3.3V ± 5 ％ ，T
A
= 0°C - 70°C)
符号
输入电压
V
IH
V
IL
I
IL
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
0℃， V
IN <
V
DD
V
DD
2.0
V
SS
- 0.3
-5
V
DD
+0.3
0.8
+5
V
mA
帕拉梅德
特S T条件
M英寸
M AX 。
单位
V
DD
[0-9] = 3.3V ±5%
V
OH
V
OL
C
OUT
C
IN
L
针
T
A
本安输出高电压
本安输出低电压
本安输出引脚电容
输入引脚电容
引脚电感
环境温度
没有空气流动
0
I
OH
= - 1毫安
I
OL
= 1毫安
2.4
0.4
6
5
7
70
V
pF
nH
°C
SDRAM时钟缓冲器操作规范
符号
I
OHmin
I
OHMAX
I
OLMIN
I
OLmax
t
RH
SDRAM
t
TH
SDRAM
帕拉梅德
上拉电流
上拉电流
下拉电流
下拉电流
输出上升边沿速率
只有SDRAM
输出下降边沿速率
只有SDRAM
特S T条件M在典型值。
V
OUT
= 2.0V
V
OUT
= 3.135V
V
OUT
= 1.0V
V
OUT
= 0.4V
3.3V ±5%
@0.4V- 2.4V
3.3V ±5%
@2.4V- 0.4V
1.5
1.5
54
53
4
4
V / ns的
- 54
- 46
mA
M AX 。
单位
AC时序
符号
t
SDKP
t
SDKH
t
SDKL
t
SDRISE
t
SDFALL
t
PLH
t
PHL
t
PZL
,t
PZH
t
PLZ
,t
PHZ
占空比
t
SDSKW
帕拉梅德
SDRAM CLK周期
SDRAM CLK高电平时间
SDRAM CLK低电平时间
SDRAM CLK上升时间
SDRAM CLK下降时间
SDRAM缓存LH传播延迟
SDRAM缓存HL传播延迟
SDRAM缓冲延迟启用
SDRAM缓冲禁用延迟
测量1.5V
SDRAM安输出 以安输出偏斜
66男赫兹
M英寸
15.0
5.6
5.3
1.5
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
45
4.0
4.0
5.0
5.0
8.0
8.0
55
250
4
百兆赫兹
M英寸
10.0
3.3
3.1
1.5
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
45
4.0
4.0
5.0
5.0
8.0
8.0
55
250
M AX 。
10.5
121维护赫兹
M英寸
7.5
2.1
1.9
1.5
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
45
4.0
4.0
5.0
5.0
8.0
8.0
55
200
M AX 。
8.0
M AX 。
15.5
单位
ns
V / ns的
ns
%
ps
PS8165C
01/18/01
21098765432121098765432109876543210987654321210987654321098765432109876543212109876543210987654321098765432121098765432109876543210987654321
产量
卜FF器
TEST
点
测试负载
PI6C182
1-10精密时钟缓冲器
tSDKP
tSDKH
3.3V
时钟
接口
（ TTL）的
2.4
1.5
0.4
tSDKL
t
SDRISE
t
SDFALL
输入
波形
t
PLH
产量
波形
1.5V
1.5V
t
PHL
1.5V
1.5V
图1.时钟波形
最小和最大期望容性负载
时钟
SDRAM
分钟。负载最大。负载
20
30
单位
pF
笔记
SDRAM DIMM规格
注意事项：
1.最大上升/下降时间都保证在规定的最大负载。
2.最小上升/下降时间都保证在规定的最小负载。
3.上升/下降时间都指定用纯容性负载，如图所示。
测试是用并联的附加500Ω电阻器。
设计准则，以降低EMI
1.将串联电阻器和CI电容尽可能靠近于各自的时钟管脚。典型的价值
对于CI是一个10pF 。串联电阻值可以增大以减少EMI提供的上升和下降
时间仍是规定值范围内。
2.最小化??通孔的数量？的时钟痕迹。
3.将时钟走线在连续的地平面以上连续的电源层。避免路由
时钟走线，从平面到平面（参见规则＃ 2 ） 。
4.将时钟信号远离去任何电缆或任何外部连接器的信号。
5
PS8165C
01/18/01
PI6C182
1-10精密时钟缓冲器
特点
低噪音的非反相缓冲器1-10
支持频率高达125 MHz （ PI6C182A ）
最多支持四个SDRAM DIMM的
低偏移（ <200ps ）任意两个输出时钟之间
I
2
串行配置接口
多V
DD
, V
SS
引脚降噪
3.3V电源电压
独立Hi-Z状态引脚进行测试
包装：
-28引脚SSOP （H ）
描述
百利通半导体公司的PI6C时钟系列是采用产
本公司??先进的亚微米CMOS技术，实现
业界领先的速度。
该PI6C182是高转速低噪音1-10非反相缓冲器
专为SDRAM的时钟缓冲器的应用程序，支持frequen-
连锁商店高达110兆赫。
上电时所有的SDRAM输出使能和活跃。在我
2
C
串行控制可用于单独激活/停用任何
的10个输出驱动器。
输出使能（ OE ）的引脚被拉低到Hi-Z状态一切
输出。
注意：
购买我
2
从百利通C元件传送的许可证
使用它们中的我
2
飞利浦定义的空调系统。
图
SDRAM0
引脚配置
VDD0
SDRAM1
BUF_IN
SDRAM2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD5
SDRAM7
SDRAM0
SDRAM1
VSS0
VDD1
SDRAM2
SDRAM6
VSS5
VDD4
SDRAM5
SDRAM4
VSS4
OE
VDD3
SDRAM9
VSS3
VSSIIC
SCLOCK
SDRAM3
SDRAM3
VSS1
BUF_IN
SDRAM9
OE
SDATA
SCLOCK
I2C
I / O
VDD2
SDRAM8
VSS2
VDDIIC
SDATA
1
PS8165D
07/19/04
PI6C182
1-10精密时钟缓冲器
引脚说明
针
2, 3, 6, 7
22, 23, 26, 27
11, 18
9
20
14
15
1, 5, 10, 19, 24,
28
4, 8, 12, 17, 21,
25
13
16
符号
SDRAM[0-3]
SDRAM[4-7]
SDRAM[8-9]
BUF_IN
OE
SDATA
SCLOCK
VDD[0-5]
VSS[0-5]
VDDIIC
VSSIIC
TYPE
O
O
O
I
I
I / O
I / O
动力
地
动力
地
数量
4
4
2
1
1
1
1
6
6
1
1
SDRAM字节0时钟输出
SDRAM字节1时钟输出
SDRAM字节2时钟输出
输入缓冲区1-20
高阻状态所有输出时保持低电平。有>100kΩ内部上拉
电阻器。
数据引脚用于I
2
curcuitry 。有>100kΩ内部上拉电阻。
时钟引脚I
2
电路。有>100kΩ内部上拉电阻。
对于SDRAM缓冲3.3V电源
地面SDRAM缓冲区
因为我3.3V电源
2
电路
地上的我
2
电路
描述
OE功能
OE
0
1
注意事项：
1.仅用于测试目的
2.缓冲区是同相
SDRAM[0-9]
高阻
BUF_IN
笔记
1
2
串行配置地图
字节0 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =允许， 0 =禁用）
位
7
6
5
4
3
A2
0
A1
0
A0
1
读/写
0
2
1
0
7
6
3
2
针
描述
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
SDRAM3 （有效/无效）
SDRAM2 （有效/无效）
SDRAM1 （有效/无效）
SDRAM0 （有效/无效）
I
2
C类地址分配
A6
1
A5
1
A4
0
A3
1
注意：
1.非活动是指输出保持低电平，从禁用
开关
2
PS8165D
07/19/04
PI6C182
1-10精密时钟缓冲器
2线I2C控制
在我
2
C接口允许个人使每个时钟/禁用
输出和测试模式使能。
该PI6C182是从接收器设备。它不能被读回。
子寻址不支持。前面所有字节必须发送
以改变的控制字节之一。
每次穿上SDATA线上字节必须是8位长（ MSB
先） ，接着是由接收应答位产生
装置。
只有当SCLOCK在正常数据传输SDATA变化
为LOW 。例外：具有对SDATA ，而低过渡
SCLOCK为高电平表示“启动”状态。从低到高
在SDATA过渡，而且SCLOCK为高电平是一个“停止”状态
及指示数据传送周期的结束。
每次数据传输开始于一个起始条件和终止
一个停止条件。后一个启动条件的第一个字节总是
7位地址字节后跟一个读/写位。 （ HIGH =读取
处理装置， LOW =写入处理设备） 。如果该设备的
被检测到自己的地址， PI6C182产生确认由
在第九个时钟脉冲拉动SDATA线为低电平，然后接受
下面的数据字节，直到另一个开始或停止条件
检测到。
地址字节的确认之后（D2 ） ，两个
字节必须发送：
1. ??命令代码？字节
2. “字节数”字节。
虽然这两个字节的数据位“不关心”，他们
必须在发送和确认。
字节1 ： SDRAM的有效/无效注册
（ 1 =允许， 0 =禁用）
位
7
6
5
4
3
2
1
0
针
27
26
23
22
描述
SDRAM7 （有效/无效）
SDRAM6 （有效/无效）
SDRAM5 （有效/无效）
SDRAM4 （有效/无效）
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
NC （初始化为0）
字节2 ：为可能的未来可选注册
要求（1 =启用， 0 =禁用）
位
7
6
5
4
3
2
1
0
针
18
11
描述
SDRAM9 （有效/无效）
SDRAM8 （有效/无效）
（保留）
（保留）
（保留）
（保留）
（保留）
（保留）
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引，没有测试。 ）
存储温度................................................ ............- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与功耗应用.............................- 0 ° C至+ 70°C
3.3V电源电压对地电位..............................- 0.5V至+ 4.6V
直流输入电压............................................... .....................- 0.5V至+ 4.6V
注意：
应力大于在最大上市额定
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是
一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
电源电流
(V
DD
= + 3.465V ，C
负载
=最大值）。
符号
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
电源电流
参数
测试Condidtion
BUF_IN = 0兆赫
BUF_IN = 66.66 MHz的
BUF_IN = 100.00兆赫
BUF_IN = 133.00兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
2
180
240
360
mA
单位
3
PS8165D
07/19/04
QQ：2881677436 复制
