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PI6C182B
1-10精密时钟缓冲器
特点
低噪音的非反相缓冲器1-10
支持频率高达140 MHz的
最多支持四个SDRAM DIMM的
低偏移( <200ps )任意两个输出时钟之间
I
2
串行配置接口
多V
DD
, V
SS
引脚降噪
3.3V电源电压
独立Hi-Z状态引脚进行测试
工业级温度范围(-40 ° C至+ 85°C )
包装: (无铅&绿色可用)
-28引脚SSOP (H )
描述
该PI6C182B是一个高速低噪音1-10非反相缓冲器
专为SDRAM的时钟缓冲器应用程序,并支持更高
频率高达140 MHz的。
上电时所有的SDRAM输出使能和活跃。在我
2
C
串行控制可用于单独激活/停用任何
的10个输出驱动器。
输出使能( OE )引脚可在拉低到Hi-Z状态
所有输出。
注意:
购买我
2
从百利通C元件传送的许可证
使用它们中的我
2
飞利浦定义的空调系统。
SDRAM0
引脚配置
VDD0
SDRAM1
BUF_IN
SDRAM2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD5
SDRAM7
SDRAM0
SDRAM1
VSS0
VDD1
SDRAM2
SDRAM3
SDRAM6
VSS5
VDD4
SDRAM5
SDRAM4
VSS4
OE
VDD3
SDRAM9
VSS3
VSSIIC
SCLOCK
SDRAM3
VSS1
BUF_IN
SDRAM17
OE
SDATA
SCLOCK
I2C
I / O
VDD2
SDRAM8
VSS2
VDDIIC
SDATA
1
PS8465C
09/07/05
PI6C182B
1-10精密时钟缓冲器
引脚说明
2, 3, 6, 7
22, 23, 26, 27
11, 18
9
20
14
15
1, 5, 10, 19, 24,
28
4, 8, 12, 17, 21,
25
13
16
符号
SDRAM[0-3]
SDRAM[4-7]
SDRAM[8-9]
BUF_IN
OE
SDATA
SCLOCK
VDD[0-5]
VSS[0-5]
VDDIIC
VSSIIC
TYPE
O
O
O
I
I
I / O
I / O
动力
动力
数量
4
4
2
1
1
1
1
6
6
1
1
SDRAM字节0时钟输出
SDRAM字节1时钟输出
SDRAM字节2时钟输出
输入缓冲区1-20
高阻状态所有输出时保持低电平。有>100kΩ内部上拉
电阻器。
数据引脚用于I
2
curcuitry 。有>100kΩ内部上拉电阻。
时钟引脚I
2
电路。有>100kΩ内部上拉电阻。
对于SDRAM缓冲3.3V电源
地面SDRAM缓冲区
因为我3.3V电源
2
电路
地上的我
2
电路
描述
OE功能
OE
0
1
注意事项:
1.仅用于测试目的
2.缓冲区是同相
SDRAM[0-9]
高阻
BUF_IN
笔记
1
2
串行配置地图
字节0 : SDRAM的有效/无效注册
( 1 =允许, 0 =禁用)
7
6
5
4
3
A2
0
A1
0
A0
1
读/写
0
2
1
0
7
6
3
2
描述
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
SDRAM3 (有效/无效)
SDRAM2 (有效/无效)
SDRAM1 (有效/无效)
SDRAM0 (有效/无效)
I
2
C类地址分配
A6
1
A5
1
A4
0
A3
1
注意:
1.非活动是指输出保持低电平,从禁用
开关
2
PS8465C
09/07/05
PI6C182B
1-10精密时钟缓冲器
2线I2C控制
在我
2
C接口允许个人使每个时钟/禁用
输出和测试模式使能。
该PI6C182B是从接收器设备。它不能被读回。
子寻址不支持。前面所有字节必须发送
以改变的控制字节之一。
每次穿上SDATA线上字节必须是8位长( MSB
先) ,接着是由接收应答位产生
装置。
只有当SCLOCK在正常数据传输SDATA变化
为LOW 。例外:具有对SDATA ,而低过渡
SCLOCK为高电平表示“启动”状态。从低到高
在SDATA过渡,而且SCLOCK为高电平是一个“停止”状态
及指示数据传送周期的结束。
每次数据传输开始于一个起始条件和终止
一个停止条件。后一个启动条件的第一个字节总是
7位地址字节后跟一个读/写位。 ( HIGH =读取
处理装置, LOW =写入处理设备) 。如果该设备的
被检测到自己的地址, PI6C182B产生确认由
在第九个时钟脉冲拉动SDATA线为低电平,然后接受
下面的数据字节,直到另一个开始或停止条件
检测到。
地址字节的确认之后(D2 ) ,两个
字节必须发送:
1. ??命令代码?字节
2. “字节数”字节。
虽然这两个字节的数据位“不关心”,他们
必须在发送和确认。
字节1 : SDRAM的有效/无效注册
( 1 =允许, 0 =禁用)
7
6
5
4
3
2
1
0
27
26
23
22
描述
SDRAM7 (有效/无效)
SDRAM6 (有效/无效)
SDRAM5 (有效/无效)
SDRAM4 (有效/无效)
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
字节2 :为可能的未来可选注册
要求(1 =启用, 0 =禁用)
7
6
5
4
3
2
1
0
18
11
描述
SDRAM9 (有效/无效)
SDRAM8 (有效/无效)
(保留)
(保留)
(保留)
(保留)
(保留)
(保留)
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引,没有测试。 )
存储温度................................................ ............- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与功耗应用...........................- 40 ° C至+ 85°C
3.3V电源电压对地电位..............................- 0.5V至+ 4.6V
直流输入电压............................................... .....................- 0.5V至+ 4.6V
注意:
应力大于在最大上市额定
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是
一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
电源电流
(V
DD
= + 3.465V ,C
负载
=最大值)。
符号
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
电源电流
参数
测试Condidtion
BUF_IN = 0兆赫
BUF_IN = 66.66 MHz的
BUF_IN = 100.00兆赫
BUF_IN = 133.00兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
2
180
240
360
mA
单位
3
PS8465C
09/07/05
PI6C182B
1-10精密时钟缓冲器
DC操作规范
(V
DD
= + 3.3V ± 5 % ,T
A
= - 40 ° C至+ 85°C )
符号
输入电压
V
IH
V
IL
I
IL
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
0℃, V
IN
& LT ; V
DD
V
DD
2.0
V
SS
-0.3
-5
V
DD
+0.3
0.8
5
mA
V
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DD
[0-9] = 3.3V ±5%
V
OH
V
OL
C
OUT
C
IN
L
T
A
输出高电压
输出低电压
输出引脚电容
输入引脚电容
引脚电感
环境温度
没有空气流动
0
I
OH
= -1mA
I
OL
= 1毫安
6
5
7
70
nH
°C
2.4
0.4
pF
V
SDRAM时钟缓冲器操作规范
符号
I
OHmin
I
OHMAX
I
OLMIN
I
OLmax
参数
上拉电流
上拉电流
下拉电流
下拉电流
测试条件
V
OUT
= 2.0V
V
OUT
= 3.135V
V
OUT
= 1.0V
V
OUT
= 0.4V
54
53
分钟。
-54
-46
mA
典型值。
马克斯。
单位
AC时序
符号
t
SDRISE
t
SDFALL
t
PLH
t
PHL
t
PZL
, t
PZH
t
PLZ
, t
PHZ
占空比
t
SDSKW
参数
SDRAM CLK上升时间
SDRAM CLK下降时间
SDRAM缓存LH传播延迟
SDRAM缓存HL传播延迟
SDRAM缓冲延迟启用
(1)
SDRAM缓冲禁用延迟
(1)
测量1.5V
SDRAM输出至输出偏斜
66兆赫
分钟。
1.5
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
45
马克斯。
4.0
4.0
5.0
5.0
8.0
8.0
55
250
100兆赫
分钟。
1.5
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
45
马克斯。
4.0
4.0
5.0
5.0
8.0
8.0
55
250
133MHz
分钟。
1.5
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
45
马克斯。
4.0
4.0
5.0
5.0
8.0
8.0
55
200
%
ps
ns
单位
V / ns的
注意:
1.在5 MHz的输入频率指定此参数。
4
PS8465C
09/07/05
PI6C182B
1-10精密时钟缓冲器
产量
卜FF器
TEST
测试负载
tSDKP
tSDKH
3.3V
时钟
接口
( TTL)的
2.4
1.5
0.4
tSDKL
tSDRISE
tSDFALL
输入
波形
TPLH
产量
波形
1.5V
1.5V
的TPH1
1.5V
1.5V
图1.时钟波形
最小和最大期望
容性负载
时钟
SDRAM
分钟。
15
马克斯。
20
单位
pF
笔记
SDRAM DIMM
Specificaion
设计准则,以降低EMI
1.将串联电阻和CI电容尽量靠近,以
相应的时钟引脚。对于CI典型值为10pF的。系列
电阻值可以增加,减少EMI的条件是
上升和下降时间仍是规定值范围内。
2.最小化??通孔的数量?的时钟痕迹。
3.将时钟走线在连续的地平面以上
连续的电源层。避免路由时钟走线
平面的平面(参见规则# 2 ) 。
4.将时钟信号远离去任何信号电缆
或任何外部连接器。
注意事项:
1.指定最大上升/下降时间都保证在最大
负载。
2.指定的最小上升/下降时间,保证以最低的
负载。
3.上升/下降时间都指定用纯容性负载,如图所示。
测试是用并联的附加500Ω电阻器。
5
PS8465C
09/07/05
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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38010
SSOP
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电话:0755-23607529/23603360/83258002
联系人:江先生
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PERICOM SEMICONDUCTOR CORP
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33¥/片,
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