PI6C182B
1-10精密时钟缓冲器
特点
低噪音的非反相缓冲器1-10
支持频率高达140 MHz的
最多支持四个SDRAM DIMM的
低偏移( <200ps )任意两个输出时钟之间
I
2
串行配置接口
多V
DD
, V
SS
引脚降噪
3.3V电源电压
独立Hi-Z状态引脚进行测试
工业级温度范围(-40 ° C至+ 85°C )
包装: (无铅&绿色可用)
-28引脚SSOP (H )
描述
该PI6C182B是一个高速低噪音1-10非反相缓冲器
专为SDRAM的时钟缓冲器应用程序,并支持更高
频率高达140 MHz的。
上电时所有的SDRAM输出使能和活跃。在我
2
C
串行控制可用于单独激活/停用任何
的10个输出驱动器。
输出使能( OE )引脚可在拉低到Hi-Z状态
所有输出。
注意:
购买我
2
从百利通C元件传送的许可证
使用它们中的我
2
飞利浦定义的空调系统。
图
SDRAM0
引脚配置
VDD0
SDRAM1
BUF_IN
SDRAM2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VDD5
SDRAM7
SDRAM0
SDRAM1
VSS0
VDD1
SDRAM2
SDRAM3
SDRAM6
VSS5
VDD4
SDRAM5
SDRAM4
VSS4
OE
VDD3
SDRAM9
VSS3
VSSIIC
SCLOCK
SDRAM3
VSS1
BUF_IN
SDRAM17
OE
SDATA
SCLOCK
I2C
I / O
VDD2
SDRAM8
VSS2
VDDIIC
SDATA
1
PS8465C
09/07/05
PI6C182B
1-10精密时钟缓冲器
引脚说明
针
2, 3, 6, 7
22, 23, 26, 27
11, 18
9
20
14
15
1, 5, 10, 19, 24,
28
4, 8, 12, 17, 21,
25
13
16
符号
SDRAM[0-3]
SDRAM[4-7]
SDRAM[8-9]
BUF_IN
OE
SDATA
SCLOCK
VDD[0-5]
VSS[0-5]
VDDIIC
VSSIIC
TYPE
O
O
O
I
I
I / O
I / O
动力
地
动力
地
数量
4
4
2
1
1
1
1
6
6
1
1
SDRAM字节0时钟输出
SDRAM字节1时钟输出
SDRAM字节2时钟输出
输入缓冲区1-20
高阻状态所有输出时保持低电平。有>100kΩ内部上拉
电阻器。
数据引脚用于I
2
curcuitry 。有>100kΩ内部上拉电阻。
时钟引脚I
2
电路。有>100kΩ内部上拉电阻。
对于SDRAM缓冲3.3V电源
地面SDRAM缓冲区
因为我3.3V电源
2
电路
地上的我
2
电路
描述
OE功能
OE
0
1
注意事项:
1.仅用于测试目的
2.缓冲区是同相
SDRAM[0-9]
高阻
BUF_IN
笔记
1
2
串行配置地图
字节0 : SDRAM的有效/无效注册
( 1 =允许, 0 =禁用)
位
7
6
5
4
3
A2
0
A1
0
A0
1
读/写
0
2
1
0
7
6
3
2
针
描述
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
SDRAM3 (有效/无效)
SDRAM2 (有效/无效)
SDRAM1 (有效/无效)
SDRAM0 (有效/无效)
I
2
C类地址分配
A6
1
A5
1
A4
0
A3
1
注意:
1.非活动是指输出保持低电平,从禁用
开关
2
PS8465C
09/07/05
PI6C182B
1-10精密时钟缓冲器
2线I2C控制
在我
2
C接口允许个人使每个时钟/禁用
输出和测试模式使能。
该PI6C182B是从接收器设备。它不能被读回。
子寻址不支持。前面所有字节必须发送
以改变的控制字节之一。
每次穿上SDATA线上字节必须是8位长( MSB
先) ,接着是由接收应答位产生
装置。
只有当SCLOCK在正常数据传输SDATA变化
为LOW 。例外:具有对SDATA ,而低过渡
SCLOCK为高电平表示“启动”状态。从低到高
在SDATA过渡,而且SCLOCK为高电平是一个“停止”状态
及指示数据传送周期的结束。
每次数据传输开始于一个起始条件和终止
一个停止条件。后一个启动条件的第一个字节总是
7位地址字节后跟一个读/写位。 ( HIGH =读取
处理装置, LOW =写入处理设备) 。如果该设备的
被检测到自己的地址, PI6C182B产生确认由
在第九个时钟脉冲拉动SDATA线为低电平,然后接受
下面的数据字节,直到另一个开始或停止条件
检测到。
地址字节的确认之后(D2 ) ,两个
字节必须发送:
1. ??命令代码?字节
2. “字节数”字节。
虽然这两个字节的数据位“不关心”,他们
必须在发送和确认。
字节1 : SDRAM的有效/无效注册
( 1 =允许, 0 =禁用)
位
7
6
5
4
3
2
1
0
针
27
26
23
22
描述
SDRAM7 (有效/无效)
SDRAM6 (有效/无效)
SDRAM5 (有效/无效)
SDRAM4 (有效/无效)
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
NC (初始化为0)
字节2 :为可能的未来可选注册
要求(1 =启用, 0 =禁用)
位
7
6
5
4
3
2
1
0
针
18
11
描述
SDRAM9 (有效/无效)
SDRAM8 (有效/无效)
(保留)
(保留)
(保留)
(保留)
(保留)
(保留)
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户的指引,没有测试。 )
存储温度................................................ ............- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与功耗应用...........................- 40 ° C至+ 85°C
3.3V电源电压对地电位..............................- 0.5V至+ 4.6V
直流输入电压............................................... .....................- 0.5V至+ 4.6V
注意:
应力大于在最大上市额定
INGS可能对器件造成永久性损坏。这是
一个压力等级的设备只有和功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件为前
往往周期会影响其可靠性。
电源电流
(V
DD
= + 3.465V ,C
负载
=最大值)。
符号
I
DD
I
DD
I
DD
I
DD
电源电流
参数
测试Condidtion
BUF_IN = 0兆赫
BUF_IN = 66.66 MHz的
BUF_IN = 100.00兆赫
BUF_IN = 133.00兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
2
180
240
360
mA
单位
3
PS8465C
09/07/05