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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第473页 > PHX6N50E
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
特点
额定重复性雪崩
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
隔离包
PHX6N50E
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 500 V
g
I
D
= 3.1 A
R
DS （ ON）
≤
1.5
s
概述
N沟道，增强模式
场效应
动力
晶体管，
用于在离线使用切换
模式电源， T.V.和
电脑显示器电源，
直流以直流转换器，电机控制
电路和通用
开关应用。
该PHX6N50E在所提供的
SOT186A全包，孤立
封装。
钉扎
针
1
2
3
例
门
漏
来源
隔离
描述
SOT186A
例
1 2 3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
存储温度范围
条件
T
j
= 25 °C至150°C
T
j
= 25 °C至150°C ;
GS
= 20 k
T
hs
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
hs
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
hs
= 25 C
T
hs
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
500
500
±
30
3.1
2
24
35
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
雪崩能量极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
E
AS
非重复性雪崩
能源
条件
分钟。
-
马克斯。
287
单位
mJ
非钳位感性负载时，我
AS
= 4.2 A;
t
p
= 0.21毫秒;牛逼
j
雪崩= 25之前;
V
DD
≤
50 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;参考
图： 17
重复性雪崩能量
1
I
AR
= 5.9 A;吨
p
= 2.5
s;
T
j
之前
雪崩= 25 ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
参阅图18
重复和不重复
雪崩电流
E
AR
I
AS
, I
AR
-
-
10
5.9
mJ
A
1
限制T的脉冲宽度和重复频率
j
马克斯。
1998年12月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
PHX6N50E
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
热阻
符号参数
R
日J- HS
R
日J-一
热阻结
散热器来
热阻结
到环境
条件
与复合散热器
分钟。
-
-
典型值。马克斯。单位
-
55
3.6
-
K / W
K / W
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
漏源击穿
电压
V
（ BR ） DSS
/漏极 - 源极击穿
T
j
电压温度
系数
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
V
GS （ TO ）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
（ BR ） DSS
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
分钟。
500
-
-
2.0
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
0.1
1.2
3.0
3.6
1
30
10
53
4
28
10
33
92
40
4.5
7.5
610
96
54
-
-
1.5
4.0
-
25
250
200
64
6
34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
%/K
V
S
A
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
pF
pF
pF
V
GS
= 10 V ;我
D
= 3 A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 30 V ;我
D
= 3 A
V
DS
= 500 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 400 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 6 A; V
DD
= 400 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 250 V ;
D
= 39
;
R
G
= 12
从测得的漏导致的模具中心
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
1998年12月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
hs
= 25C
T
hs
= 25C
I
S
= 6 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 6 A; V
GS
= 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
PHX6N50E
典型值。马克斯。单位
-
-
-
390
4
5.9
24
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
1998年12月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
PHX6N50E
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
10
第i个J- HS ，瞬态热阻抗（K / W）
D = 0.5
PHX2N60
1 0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
单脉冲
P
D
tp
t
D = P
T
t
100ms
1s
T
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0.001
1us
10us
100us
1ms
10ms
TP ，脉冲宽度（S ）
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
hs
)
ID％
归一化电流降额
与复合散热器
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
15
ID ，漏极电流（ AMPS ）
TJ = 25℃
PHP4N50
7V
10 V
6.5 V
10
6V
5.5 V
5
5V
VGS = 4.5 V
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0
0
5
10
15
20
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
25
30
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
hs
） ;条件： V
GS
≥
10 V
ID ，漏极电流（ AMPS ）
图5 。典型的输出特性。
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） ，漏源导通电阻（欧姆）
4.5 V
5V
5.5 V
VGS = 6 V
PHP4N50
TJ = 25℃
100
PHX4N50
4
10
R
1
)
ON
S(
D
=
/ ID
DS
V
TP = 10我们
100美
1毫秒
10毫秒
3
6.5 V
7V
2
10 V
DC
0.1
100毫秒
1
0.01
1
10
100
1000
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
10000
0
0
5
10
ID ，漏极电流（ AMPS ）
15
如图3所示。安全工作区。牛逼
hs
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻。
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1998年12月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
PHX6N50E
15
ID ，漏极电流（ AMPS ）
VDS > （内径）× RDS （ ON）最大值
PHP4N50
4
VGS （ TO ） / V
马克斯。
10
3
典型值。
分钟。
2
5
1
TJ = 25℃
TJ = 150℃
0
0
0
2
4
6
VGS ，栅源电压（伏）
8
10
-60
-40
-20
0
20
40
60
TJ / C
80
100
120
140
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;参数T
j
政府飞行服务队，跨导（ S）
VDS > （内径）× RDS （ ON）最大值
5
TJ = 25℃
4
3
150 C
PHP4N50
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 0.25毫安; V
DS
= V
GS
ID / A
亚阈值传导
6
1E-01
1E-02
1E-03
2%
典型值
98 %
1E-04
2
1E-05
1
0
1E-06
0
5
ID ，漏电流（ A）
10
15
0
1
2
VGS / V
3
4
图8 。典型的跨导。
g
fs
= F（我
D
） ;参数T
j
a
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
PHP4N50
西塞
1000
结电容（PF ）
2
100
1
科斯
CRSS
0
-60
-40
-20
0
20
40 60
TJ / C
80
100 120 140
10
1
10
100
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
1000
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 3 A; V
GS
= 10 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1998年12月
5
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