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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第279页 > PHX4N40E
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
特点
额定重复性雪崩
快速开关
稳定的关闭状态特性
高的热循环性能
隔离包
PHX4N40E
符号
d
快速参考数据
V
DSS
= 400 V
g
I
D
= 2.7 A
R
DS （ ON）
≤
1.8
s
概述
N沟道，增强模式
场效应
动力
晶体管，
用于在离线使用切换
模式电源， T.V.和
电脑显示器电源，
直流以直流转换器，电机控制
电路和通用
开关应用。
该PHX4N40E在所提供的
SOT186A全包隔离
封装。
钉扎
针
1
2
3
例
门
漏
来源
隔离
描述
SOT186A
例
1 2 3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
j
, T
英镑
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
总功耗
工作结
存储温度范围
条件
T
j
= 25 °C至150°C
T
j
= 25 °C至150°C ;
GS
= 20 k
T
hs
= 25 ℃; V
GS
= 10 V
T
hs
= 100℃ ; V
GS
= 10 V
T
hs
= 25 C
T
hs
= 25 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
400
400
±
30
2.7
1.7
18
30
150
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
雪崩能量极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
E
AS
非重复性雪崩
能源
条件
分钟。
-
马克斯。
195
单位
mJ
非钳位感性负载时，我
AS
= 2.7 A;
t
p
= 0.28毫秒;牛逼
j
雪崩= 25之前;
V
DD
≤
50 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;参考
图： 17
重复性雪崩能量
1
I
AR
= 4.4 A;吨
p
= 2.5
s;
T
j
之前
雪崩= 25 ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
参阅图18
重复和不重复
雪崩电流
E
AR
I
AS
, I
AR
-
-
5.7
4.4
mJ
A
1
限制T的脉冲宽度和重复频率
j
马克斯。
1998年12月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
PHX4N40E
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
热阻
符号参数
R
日J- HS
R
日J-一
热阻结
散热器来
热阻结
到环境
条件
与复合散热器
分钟。
-
-
典型值。马克斯。单位
-
60
4.1
-
K / W
K / W
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
漏源击穿
电压
V
（ BR ） DSS
/漏极 - 源极击穿
T
j
电压温度
系数
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
V
GS （ TO ）
栅极阈值电压
g
fs
正向跨导
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
I
GSS
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
L
s
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
（ BR ） DSS
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
分钟。
400
-
-
2.0
1.3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
0.1
1.3
3.0
2.2
1
30
10
26
2
14
10
30
55
38
4.5
7.5
310
60
36
-
-
1.8
4.0
-
25
250
200
30
4
17
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
%/K
V
S
A
A
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
nH
nH
pF
pF
pF
V
GS
= 10 V ;我
D
= 2.2 A
V
DS
= V
GS
; I
D
= 0.25毫安
V
DS
= 30 V ;我
D
= 2.2 A
V
DS
= 400 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 320 V; V
GS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
栅极 - 源极漏电流V
GS
=
±30
V; V
DS
= 0 V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反馈电容
I
D
= 4.4 A; V
DD
= 320 V; V
GS
= 10 V
V
DD
= 200 V ;
D
= 47
;
R
G
= 18
从测得的漏导致的模具中心
从源铅源测量
焊盘
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
1998年12月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
hs
= 25C
T
hs
= 25C
I
S
= 4.4 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 4.4 A; V
GS
= 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
PHX4N40E
典型值。马克斯。单位
-
-
-
250
2.2
4.4
18
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
1998年12月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
PHX4N40E
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
10
第Z （ J- HS ）K / W
D = 0.5
PHX1N60
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
P
0.01
tp
t
D=
p
T
D
T
t
1s
10s
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
0.001
1us
10us
100us
1ms
10ms
TP /秒
100ms
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
PHP4N40
10 V
7V
6.5 V
6
6V
4
5.5 V
5V
2
VGS = 4.5 V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
10
ID ，漏极电流（ AMPS ）
TJ = 25℃
8
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
0
0
5
10
15
20
25
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
30
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
ID ，漏极电流（ AMPS ）
图5 。典型的输出特性。
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
PHP4N40
VGS = 7 V
TJ = 25℃
10 V
100
PHX2N40
4
RDS （ ON） ，漏源导通电阻（欧姆）
4.5 V
5V
5.5 V
6V
6.5 V
10
R
1
)
ON
S(
D
=
/ ID
DS
V
TP = 10我们
100美
1毫秒
3
2
DC
0.1
10毫秒
100毫秒
1
0.01
1
10
100
1000
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
10000
0
0
2
4
6
ID ，漏极电流（ AMPS ）
8
10
如图3所示。安全工作区。牛逼
hs
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻。
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1998年12月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
PHX4N40E
10
ID ，漏极电流（ AMPS ）
VDS > （内径）× RDS （ ON）最大值
PHP4N40
4
VGS （ TO ） / V
马克斯。
8
TJ = 25℃
6
分钟。
3
典型值。
TJ = 150℃
4
2
2
1
0
0
0
2
4
6
VGS ，栅源电压（伏）
8
10
-60
-40
-20
0
20
40
60
TJ / C
80
100
120
140
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;参数T
j
政府飞行服务队，跨导（ S）
VDS > （内径）× RDS （ ON）最大值
TJ = 25℃
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 0.25毫安; V
DS
= V
GS
ID / A
亚阈值传导
4
PHP4N40
1E-01
1E-02
3
150 C
2
1E-03
2%
典型值
98 %
1E-04
1
1E-05
0
1E-06
0
2
4
6
ID ，漏电流（ A）
8
10
0
1
2
VGS / V
3
4
图8 。典型的跨导。
g
fs
= F（我
D
） ;参数T
j
a
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
结电容（PF ）
西塞
PHP4N40
1000
2
100
科斯
1
10
CRSS
0
-60
-40
-20
0
20
40 60
TJ / C
80
100 120 140
1
1
10
100
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
1000
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 2.2 ; V
GS
= 10 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1998年12月
5
启1.200
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