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PHX45NQ11T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
版本01 - 2004年5月17日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在完全隔离的N沟道增强模式音响场效晶体管封装
塑料包装使用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
孤立的包。
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
开关模式电源。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
110 V
s
P
合计
≤
62.5 W
s
I
D
≤
30.4 A
s
R
DSON
≤
25 m.
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT186A （ TO- 220F ），简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
隔离
g
mbb076
简化的轮廓
mb
符号
d
s
1 2 3
MBK110
SOT186A （TO- 220F ）
飞利浦半导体
PHX45NQ11T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHX45NQ11T
TO-220F
描述
VERSION
塑料单端封装;孤立的散热器安装; 1安装孔; SOT186A
3引脚TO -220 “全包”
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
h
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
h
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 50 A;
t
p
= 0.07毫秒; V
DD
≤
100 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始在T
j
= 25
°C
[1]
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
h
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
h
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
T
h
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
h
= 25
°C;
图1
[1]
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
110
110
±20
30.4
19.2
121
62.5
+150
+150
30.4
121
250
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
[1]
外部散热器，连接安装基座。
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产品数据
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2 12
飞利浦半导体
PHX45NQ11T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
120
P
DER
(%)
80
03aa13
120
I
DER
(%)
80
03aa21
40
40
0
0
50
100
150
T
h
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
T
h
(
°
C)
200
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能散热器的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能散热器的温度。
10
3
ID
(A)
10
2
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
100
s
10
1毫秒
DC
1
10毫秒
03ao79
10
-1
1
10
10
2
VDS （ V）
10
3
T
h
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V.
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
5.热特性
表4：
R
号（j -h）中
[1]
热特性
条件
图4
[1]
符号参数
从结热阻到散热器
民
-
典型值
-
最大
2
单位
K / W
外部散热器，连接安装基座。
5.1瞬态热阻抗
10
第i （J -h）中
（K / W）
03ao78
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
10-1
0.05
0.02
P
δ
=
tp
T
单脉冲
10-2
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
tp
T
1
TP （多个）
t
10
图4.瞬态结热阻抗到散热片作为脉冲持续时间的函数。
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N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
6.特性
表5：
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
静态特性
V
（ BR ） DSS
漏源击穿电压
I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
和
10
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源极 - 漏极（二极管的正向）电压余
S
= 25 A; V
GS
= 0 V;
图12
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的; V
GS
= 0 V
V
DD
= 50 V ;
L
= 1.8
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5.6
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
图11
I
D
= 45 A; V
DD
= 80 V; V
GS
= 10 V;
图13
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
61
13
25
2600
340
195
18
72
69
58
0.87
82
260
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
-
-
22
-
25
68
m
m
-
-
-
-
-
0.02
10
100
100
A
A
nA
2
1
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
110
99
-
-
-
-
V
V
条件
民
典型值
最大
单位
源极 - 漏极二极管
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