飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
源极 - 漏极二极管额定值和特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源电流
（体二极管）
脉冲电流源（体
二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
T
hs
= 25C
T
hs
= 25C
I
S
= 2 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 2 A; V
GS
= 0 V ;的di / dt = 100 A / μs的
分钟。
-
-
-
-
-
PHX2N50E
典型值。马克斯。单位
-
-
-
300
2.1
2
8
1.2
-
-
A
A
V
ns
C
1998年12月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
额定雪崩能量
PHX2N50E
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
1E+01
第i个J- HS / （K / W）
ZTHX43
0.5
1E+00
0.2
0.1
0.05
1E-01
0.02
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
1E-02
1E-07
T
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
1E+01
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
hs
)
ID％
归一化电流降额
6
与复合散热器
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
PHP2N50
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID ，漏极电流（ AMPS ）
TJ = 25℃
5
4
3
2
20 V
10 V
7V
6.5 V
6V
1
0
5.5 V
VGS = 5V
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0
5
10
15
20
VDS ，漏极 - 源极电压（伏）
25
30
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
hs
） ;条件： V
GS
≥
10 V
漏极电流ID （安培）
PHX1N50
TP =
10我们
100us
1ms
图5 。典型的输出特性。
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
10
N)
S（O
RD
1
S / I
VD
=
D
10
漏极 - 源极导通电阻， RDS （ ON） （欧姆）
5V 5.5 V 6 V
6.5 V
7V
PHP2N50
TJ = 25℃
8
6
10 V
4
VGS = 20 V
DC
0.1
10ms
100ms
2
0.01
10
100
漏源电压VDS （伏特）
1000
0
0
1
2
3
漏极电流ID （安培）
4
5
如图3所示。安全工作区。牛逼
hs
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻。
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1998年12月
4
启1.200
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