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飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

功率MOS晶体管

PHP1N60E孤立版

概述

N沟道增强模式

在一个完整的场效应功率晶体管

包装，塑料外壳具有高

雪崩能量功能，稳定

阻断电压，开关速度快和

高的热循环性能

具有低的热阻。意

在开关电源的使用

电源（SMPS ），电机控制

电路和通用

开关应用。

PHX1N60E

快速参考数据

符号

合计

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

漏源导通电阻

马克斯。

600

1.3

单位

钉扎 - SOT186A

针

门

漏

来源

描述

引脚配置

例

符号

孤立的情况下，

1 2 3

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号参数

DGR

±V

DRM

合计

英镑

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值

值）

源极 - 漏极二极管的电流

（DC）的

源极 - 漏极二极管的电流

（脉冲峰值）

总功耗

储存温度

结温

条件

= 20 k

= 25 C

= 100 C

= 25 C

分钟。

-55

马克斯。

600

1.3

0.83

5.2

1.3

5.2

150

单位

雪崩限值

符号参数

DSS

条件

分钟。

马克斯。

单位

漏源不重复的我

= 1.9 A; V

≤

50 V; V

= 10 V;

非钳位感应关关R

= 50

能源

= 25°暴涨之前

= 100前激增

漏源重复

= 1.9 A; V

≤

50 V; V

= 10 V;

非钳位感应关关R

= 50

;

≤

150 C

能源

DSR1

120

3.6

1.脉冲宽度和频率限制T

J（下最大）

1996年11月

启1.000

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

功率MOS晶体管

PHX1N60E

隔离限值&特性

= 25 C除非另有说明

符号

ISOL

参数

均方根所有隔离电压

三个端子的外部

散热器

条件

F = 50-60赫兹;正弦

波形;

相对湿度

≤

65 ％ ;干净无尘

分钟。

典型值。

马克斯。

2500

单位

ISOL

电容从T2到外部F = 1 MHz的

散热器

热阻

符号

日J- HS

日J-一

参数

热阻结到

散热器

热阻结到

环境

条件

与复合散热器

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

K / W

静态特性

= 25 C除非另有说明

符号

（ BR ） DSS

GS （ TO ）

DSS

GSS

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

源极 - 漏极二极管的正向

电压

条件

= 0 V ;我

= 0.25毫安

= V

; I

= 0.25毫安

= 600 V; V

= 0 V ;牛逼

= 25 C

= 480 V; V

= 0 V ;牛逼

= 125 C

±30

V; V

= 0 V

= 10 V ;我

= 0.9 A

= 1.9 A; V

= 0 V

分钟。

600

2.0

典型值。

3.0

0.1

5.3

1.1

马克斯。

4.0

100

1.0

100

1.4

单位

1996年11月

启1.000

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

功率MOS晶体管

PHX1N60E

动态特性

= 25 C除非另有说明

符号

国际空间站

OSS

RSS

G（ TOT ）

D ON

D OFF

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

总栅极电荷

门源费

栅漏（米勒）充电

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

源极 - 漏极二极管的反向

恢复时间

源极 - 漏极二极管的反向

恢复电荷

内部排水电感

内部源极电感

条件

= 15 V ;我

= 0.9 A

= 0 V; V

= 25 V ; F = 1 MHz的

分钟。

0.5

典型值。

0.8

224

350

3.5

4.5

7.5

马克斯。

310

单位

= 10 V ;我

= 1.9 A; V

= 480 V

= 30 V ;我

= 1.9 A;

= 10 V ;

= 50

;

根

= 50

= 1.9 A; -dI

/ DT = 100 A / μs的;

= 0 V; V

= 100 V

从漏极引线6毫米测

从包装到模具中心

从源测量导致6毫米

从包装到源焊盘

1996年11月

启1.000

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

功率MOS晶体管

PHX1N60E

机械数据

尺寸（mm）

净重： 2克

10.3

最大

3.2

3.0

4.6

最大

2.9最大

凹口（ 2×）

2.5

0.8最大。深度

2.8

6.4

15.8

最大。最大。

座位

飞机

15.8

最大

3最大。

不镀锡

2.5

13.5

分钟。

0.4

1.0 (2x)

0.6

2.54

0.5

2.5

1.3

0.9

0.7

5.08

图1 。 SOT186A ;飞机座位是所有终端电气隔离。

笔记

1.请遵守一般注意事项对静电放电敏感器件（ESDS ），以防止

损坏MOS栅氧化物。

2.请参考F-信封包安装说明。

3.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。

1996年11月

启1.000

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

功率MOS晶体管

PHX1N60E

释义

数据表状态

客观的特定网络阳离子

产品speci fi cation

极限值

限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。应力大于1

以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和

该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作

本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。

应用信息

其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。

飞利浦电子公司1996年N.V。

著作权人。

本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是

准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受

因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可

工业或知识产权。

此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。

此数据表包含网络最终产品规范阳离子。

初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。

生命支持应用

这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障

产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户

在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏

从这样的不当使用或销售。

1996年11月

启1.000