PHX18NQ11T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
M3D308
版本01 - 2004年2月13日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个完全隔离的塑胶N沟道增强型网络场效功率晶体管
封装采用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
隔离安装基座
s
快速开关
s
低热阻
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
开关模式电源
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
110 V
s
P
合计
≤
31.2 W
s
I
D
≤
12.5 A
s
R
DSON
≤
90 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT186A （ TO- 220F ） ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
源极（S ）
漏极（四）
安装底座;
隔离
g
s
mb
d
简化的轮廓
符号
MBB076
1 2 3
MBK110
SOT186A （TO- 220F ）
飞利浦半导体
PHX18NQ11T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHX18NQ11T
TO-220F
描述
VERSION
塑料单端封装;孤立的散热器安装; 1安装孔; SOT186A
3引脚TO - 220AB “全包”
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
h
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
h
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 7.5 A;
t
p
= 0.09毫秒; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
[1]
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
h
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
h
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
图2
T
h
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
h
= 25
°C;
图1
[1]
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
110
110
±20
12.5
7.9
50.2
31.2
+150
+150
12.5
50.2
56
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
[1]
外部散热器连接安装基座。
9397 750 12915
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
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2 12
飞利浦半导体
PHX18NQ11T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
03aa13
120
伊德尔
(%)
80
03aa21
80
40
40
0
0
50
100
日（
°
C)
150
0
0
50
100
150
日（
°
C)
200
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能散热器的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能散热器的温度。
102
03am62
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
10
100
s
DC
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10-1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
h
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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5.热特性
表4：
R
号（j -h）中
[1]
热特性
条件
图4
[1]
符号参数
从结热阻到散热器
最小典型最大单位
-
-
4
K / W
外部散热器连接安装基座。
5.1瞬态热阻抗
10
03am61
第i （J -h）中
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
tp
T
t
P
δ
=
tp
T
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态结热阻抗到散热片作为脉冲持续时间的函数。
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产品数据
1.产品廓
1.1说明
在一个完全隔离的塑胶N沟道增强型网络场效功率晶体管
封装采用的TrenchMOS 技术。
1.2产品特点
s
低通态电阻
s
隔离安装基座
s
快速开关
s
低热阻
1.3应用
s
的DC- DC转换器
s
开关模式电源
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
110 V
s
P
合计
≤
31.2 W
s
I
D
≤
12.5 A
s
R
DSON
≤
90 m
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT186A （ TO- 220F ） ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
源极（S ）
漏极（四）
安装底座;
隔离
g
s
mb
d
简化的轮廓
符号
MBB076
1 2 3
MBK110
SOT186A （TO- 220F ）
飞利浦半导体
PHX18NQ11T
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
3.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PHX18NQ11T
TO-220F
描述
VERSION
塑料单端封装;孤立的散热器安装; 1安装孔; SOT186A
3引脚TO - 220AB “全包”
类型编号
4.极限值
表3：
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源（二极管的正向）直流（DC ）笔
h
= 25
°C
峰源（二极管正向）电流T
h
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 7.5 A;
t
p
= 0.09毫秒; V
DD
≤
15 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;起始物为
j
= 25
°C
[1]
[1]
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
T
h
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
h
= 100
°C;
V
GS
= 10 V
图2
T
h
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
h
= 25
°C;
图1
[1]
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
最大
110
110
±20
12.5
7.9
50.2
31.2
+150
+150
12.5
50.2
56
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
[1]
外部散热器连接安装基座。
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120
PDER
(%)
03aa13
120
伊德尔
(%)
80
03aa21
80
40
40
0
0
50
100
日（
°
C)
150
0
0
50
100
150
日（
°
C)
200
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能散热器的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能散热器的温度。
102
03am62
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
TP = 10
s
10
100
s
DC
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10-1
1
10
102
VDS （ V）
103
T
h
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲; V
GS
= 10 V
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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5.热特性
表4：
R
号（j -h）中
[1]
热特性
条件
图4
[1]
符号参数
从结热阻到散热器
最小典型最大单位
-
-
4
K / W
外部散热器连接安装基座。
5.1瞬态热阻抗
10
03am61
第i （J -h）中
（K / W）
δ
= 0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
单脉冲
tp
T
t
P
δ
=
tp
T
10-1
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态结热阻抗到散热片作为脉冲持续时间的函数。
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4 12
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